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TLV313-Q1单通道运算放大器低功耗与良好的性能于一体。这使得器件非常适用于各种应用,如信息娱乐,引擎控制单元,汽车照明等。该器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值:65μA),高带宽(1MHz)以及超低噪声(1kHz时为26nV /√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电应用而言非常具有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适合用于源阻抗高达兆欧级的应用。
TLV313-Q1的稳健耐用设计便于电路设计人员使用。该器件在高达100pF的容性负载条件下单位增益稳定并集成了RFI /EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电(ESD)保护功能(4kV人体模型(HBM))。
此类经过优化,适合在低至1.8V(±0.9V)和高达5.5V(±2.75V)的低压下工作,和额定扩展工作温度范围为
-40°C至+ 125°C。
单通道TLV313-Q1器件采用..
< small>所有商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
TLV313-Q1 |
---|
1 |
1.8 |
5.5 |
1 |
0.5 |
In Out |
3 |
0.065 |
26 |
Automotive |
-40 to 125 |
SC70 |
5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70) |
2 |
Cost Optimized EMI Hardened Small Size |
85 |
15 |
CMOS |