0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

eMMC NAND闪存技术和用例需求

MCU开发加油站 来源:MCU开发加油站 作者:MCU开发加油站 2021-01-18 16:21 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

监督成本 | eMMC NAND闪存技术和用例需求

ODI最近对较旧的Teslas Model S和Model X车辆提出的信息要求突显了工作负载疏忽,其中基于NVIDIA Tegra 3处理器和集成8GB eMMC NAND闪存的主控制单元(MCU)遇到了问题。当引入新的固件更新为电动汽车(EV)带来附加功能时,问题变得更加复杂。这充当进一步激发NAND闪存磨损进度的燃料。尽管在一开始固件不是问题,并且记录的数据具有足够的内存来处理工作量,但每次固件升级都带来了新功能,从而减少了每次更新的存储空间。

应ODI的信息请求,特斯拉列出了2,399项投诉和现场报告,7,777项保修索赔以及4,746项与MCU替换方案有关的非保修索赔。倒车时,故障的MCU导致后置摄像头图像显示遗失。随着NAND闪存全部耗尽,驾驶员不能再使用车辆的某些功能,例如HVAC(除雾),与ADAS相关可听得见的提示音,自动驾驶仪和转向信号灯,严格地来说尽管车主仍然可以驾驶车辆,但不能再充电,使汽车无法运行。

eMMC模块因为是以NAND闪存技术为基础而具有预定的使用寿命。它们具备有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照这些规范进行设计,他们也必须预见到同一系统随着时间的推移必须应对不断增加的工作负载挑战。最后,这问题有三个方面。缺乏对NAND闪存技术的了解,以及对更加复杂和多面的用例了解,并且假设驱动器的使用期限完全取决于NAND闪存技术–而不是正在使用的闪存控制器

了解NAND闪存技术

根据特斯拉维修专家的说法,由于eMMC中的NAND闪存单元结构,在较旧的Model S和X组件中发现的基于嵌入式NAND的eMMC磨损。在一定程度上是对的。不同类型的NAND闪存技术具有不同(但始终是有限的)的P/E周期数或他人所称的“写入周期”。

SLCNAND闪存技术大约10万次P/E周期

MLC NAND闪存技术大约10 000-3500 P/E周期

TLC NAND闪存技术大约3000个P/E周期

QLC NAND闪存技术大约1000-100次P/E周期

这意味着一旦这些周期用完,驱动器将再也无法可靠地存储数据。根据特斯拉的报告,Hynix单元“针对eMMC中每个NAND闪存块,额定3,000个编程/擦除周期”。

要了解NAND闪存单元为何总是具备有限的P/E周期,必须了解其基础技术。NAND闪存是一种非易失性存储器(NVM)技术,它通过电荷陷阱技术或浮栅MOSFET晶体管将数据存储在制成的存储单元阵列中。通过在晶体管的控制栅极上施加高电压,同时将源极和漏极接地,沟道中的电子可以获得足够的能量来克服氧化物势垒,并从沟道移入浮栅。在浮栅中捕获电子的过程是闪存设备的编程(或“写入”)操作,该操作对应于逻辑位0。相反,擦除操作从浮栅中提取电子,从而切换存储在其中的数据NAND闪存单元磨损,因为编程和擦除周期最终会损坏浮栅和基板之间的隔离层。这减少了数据保留,并可能导致数据丢失或意外编程的单元。

了解用例的工作负载

特斯拉电动汽车对于任何存储应用都是一个充满挑战的环境,这不仅是因为汽车质量对温度和功能安全性的要求,而且因为每辆汽车的使用方式都不同。在这种情况下,eMMC模块会受到每日行驶时间,每日充电时间,每日音乐流式传输时间以及一系列其他因素的影响。此外,极其重要的功能和特性取决于MCU能够可靠地执行其工作。这个生态系统中的eMMC具有非常独特的工业级工作负载,只有使用符合工业标准设计的高质量闪存控制器才能适当取得。

特斯拉认为“以每块0.7的额定每日P/E周期使用率计算,在设备中每块平均获得3,000个P/E周期需要11到12年的时间,以每块 1.5的每日P/E周期使用速率的第95个百分位,在设备中平均累积3,000个P/E周期需要5到6年时间。”归根结底,复合固件更新的苛刻性质使这些驱动器比预期还早崩溃。这就引出了一个问题,为什么这些MCU这么早崩溃?

了解NAND闪存控制器的作用

闪存控制器在高端存储系统中的作用常被忽略。在NAND闪存经常引起关注的地方,许多人忽视了评估控制器在管理其应用程序方面的真实能力,而所选闪存则预定义了P/E周期。尽管闪存技术在定义驱动器的使用寿命方面起着重要作用,但所选的控制器应掩盖闪存的所有固有缺陷,从而延长其使用寿命,确保不会出现任何故障设备或数据损坏。

例如,闪存控制器可以针对任何特定的存储设备执行最佳类型的纠错编码(ECC),完全取决于所选NAND闪存的特性以及控制器中可用的处理性能。在不同类型的NAND闪存中,不同类型的错误也更为常见,例如多层单元(MLC)中更容易出现读取干扰错误,而其他控制器功能(如损耗均衡)和垃圾回收的时间也会受到NAND闪存中过度配置的影响。因此,控制器需要仔细匹配NAND闪存的特性,如果忽略这一点,驱动器在预测的时间之前提早崩溃也就不足为奇了。这是一项昂贵的疏忽,选择正确的闪存控制器是设计高效可靠的存储系统(如eMMC模块)必不可少的一个部分。归根结底,在工业中–故障系统和数据损坏不像在其他市场中那样被接受,因为期望寿命和故障成本更为急切。像eMMC模块这样的存储系统需要针对其独特的工作负载进行设计,并进行适当的管理,以避免在其特定领域发生故障。最后,闪存控制器在掩饰所选NAND闪存技术的缺陷方面起着非常重要的作用,应被视为核心组件,而不仅仅是NAND闪存的支援。

Lena Harman

E-mail:lharman@hyperstone.com

Job Title:Marketing Coordinator

Biographical Statement

Lena Harman is responsible for digital marketing, online strategy and the optimization of online platforms at Hyperstone. She holds a double degree in Communications and International Studies from the University of Technology, Sydney.

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 控制器
    +关注

    关注

    114

    文章

    17930

    浏览量

    195962
  • 闪存技术
    +关注

    关注

    1

    文章

    56

    浏览量

    51857
  • eMMC NAND
    +关注

    关注

    0

    文章

    8

    浏览量

    7282

原文标题:eMMC芯片磨损导致MCU和车辆无法正常运作 | 这是怎么回事?

文章出处:【微信号:mcugeek,微信公众号:MCU开发加油站】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    PCB无需改版、驱动无需重写!SD NAND极简替代传统eMMC

    其实有一条路被低估了:米客方德SD NAND替代eMMC。而且好消息是,很多情况下PCB不用改,驱动也不用重写。
    的头像 发表于 05-25 16:30 1054次阅读
    PCB无需改版、驱动无需重写!SD <b class='flag-5'>NAND</b>极简替代传统<b class='flag-5'>eMMC</b>

    4GB-32GB eMMC涨幅超100%,采购必看的SD NAND替代成本分析

    eMMC的价格持续攀升,当采购交期从数周拉长到半年以上,嵌入式设备厂商正在经历一场前所未有的存储成本危机。对于精明的采购来说,危机之中往往藏着降本的新路径——SD NAND(贴片式TF卡),正成为4GB-32GB eMMC的高
    的头像 发表于 04-27 15:31 343次阅读
    4GB-32GB <b class='flag-5'>eMMC</b>涨幅超100%,采购必看的SD <b class='flag-5'>NAND</b>替代成本分析

    小容量 Flash 与 eMMC 持续减产缺货,采购与技术如何用 SD NAND 做安全选型替代

    近年来,随着存储芯片制程工艺持续向更先进节点演进,主流原厂纷纷将产能转向大容量、高利润的3D NAND和UFS/eMMC高端产品。曾经占据市场主流的小容量SLC NAND、MLC NAND
    的头像 发表于 04-20 16:32 2066次阅读
    小容量 Flash 与 <b class='flag-5'>eMMC</b> 持续减产缺货,采购与<b class='flag-5'>技术</b>如何用 SD <b class='flag-5'>NAND</b> 做安全选型替代

    2026嵌入式存储选型:eMMC断供、SPI NAND难调,SD NAND成最大变量

    当8GB eMMC交期拉长至52周,当SPI NAND的坏块管理让工程师调试到怀疑人生,2026年的嵌入式存储市场正上演一场“冰与火之歌”。而在eMMC和SPI NAND的夹缝中,SD
    的头像 发表于 04-14 14:46 546次阅读
    2026嵌入式存储选型:<b class='flag-5'>eMMC</b>断供、SPI <b class='flag-5'>NAND</b>难调,SD <b class='flag-5'>NAND</b>成最大变量

    应对eMMC供货短缺,SD NAND成嵌入式存储替代新方案

    当前,AI大模型需求爆发正引发全球存储芯片结构性短缺。原厂将大部分产能转向HBM、企业级SSD等高毛利产品,导致4GB-32GB eMMC全面减产,交期拉长至26-52周,价格涨幅超100%,断供
    的头像 发表于 04-08 15:57 1471次阅读
    应对<b class='flag-5'>eMMC</b>供货短缺,SD <b class='flag-5'>NAND</b>成嵌入式存储替代新方案

    创世品牌 SD NANDeMMC优劣势对比

    NAND
    雷龙Lucca
    发布于 :2025年12月09日 17:32:32

    震惊:他们家有现货。EMMC, DDR, NAND FLASH

    MXIC 500K; MX25L6433FZ2I-08G MXIC 95K; TC58NVG1S3ETA00 NAND 256MB 216K; H26M78103CCR EMMC 64GB 13K
    发表于 11-27 15:58

    芯天下的Parallel NAND

    一、并行NAND闪存的基本概念 并行NAND闪存(Parallel NAND)是一种通过多条数据线同时传输多位数据的非易失性存储芯片。不同于
    的头像 发表于 10-30 08:37 722次阅读
    芯天下的Parallel <b class='flag-5'>NAND</b>

    NAND Flash的基本原理和结构

    NAND Flash是什么?NAND Flash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同,NAND
    的头像 发表于 09-08 09:51 8109次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> Flash的基本原理和结构

    如何在“SD 卡 NAND 闪存”的情况下使用 Non-OS NVTFAT?

    如何在“SD 卡 NAND 闪存”的情况下使用 Non-OS NVTFAT
    发表于 09-01 07:58

    N9H30如何使用 NuWriter 进行 NAND 闪存

    N9H30如何使用 NuWriter 进行 NAND 闪存
    发表于 09-01 06:01

    工业网关的emmc是什么

    工业网关中的eMMC(Embedded Multi Media Card)是一种 嵌入式存储解决方案 ,结合了闪存芯片(NAND Flash)和存储控制器,专为工业环境中的数据存储需求
    的头像 发表于 08-15 10:21 1129次阅读

    存储大厂MLC NAND停产,旺宏电子看好eMMC放量

    电子发烧友网综合报道,日前,存储厂商旺宏电子表示,不会直接以MLC NAND颗粒应对市场,而是以eMMC形式出货,相关产品与搭配的控制器均已准备就绪。MLC产品线因营收占比低,未揭露具体数据,但公司
    的头像 发表于 08-08 09:12 3819次阅读
    存储大厂MLC <b class='flag-5'>NAND</b>停产,旺宏电子看好<b class='flag-5'>eMMC</b>放量

    什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash

    的成本越低,同样意味着平均寿命更短。 SLC是数据中心标准,但控制器技术的不断优化使得MLC被大多数所接受。尤其是在采用了某种方式的数据保护,比如镜像或者RAID或者使用了FLASH闪存
    发表于 07-03 14:33

    Flash闪存技术是什么?创世SD NAND Flash又有何独特之处?#嵌入式开发 #存储芯片 #闪存

    闪存
    深圳市雷龙发展有限公司
    发布于 :2025年06月05日 17:58:25