22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:09
8685 美国加利福尼亚圣克拉拉，2017年9月20日 -- 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK（22FDX®-rfa）解决方案，以及面向5G、汽车
2017-09-27 11:16:539380 今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术
2018-03-01 14:52:0611765 不久前，Dialog半导体公司与格芯（GLOBALFOUNDRIES）签订了协议，向其授权导电桥式随机存取存储器（Conductive Bridging RAM；CBRAM）技术。CBRAM属于通用
2021-01-24 12:25:185665 
并非所有非易失性或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的非易失性FPGA的优势 - 包括显著降低功耗、更快的响应时间、无与伦比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是无法复制的。
2022-11-14 15:34:192378 
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
（CMIC）GreenPAK 通过NVM（非易失性存储）自由设计配置内部数字和模拟资源，可以帮助创新设计工程师集成更多系统功能，并以最少元件、最小占板尺寸、最低功耗实现设计。Dialog 30位FAE
2018-04-02 14:27:14
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
数字电位器存储类型标注具有“易失性”，他的意思是不是说，假设当前已经调节好电位器处于3.5kΩ这个位置，那么断电再上电后，电位器就回到初始状态位置，不再是3.5kΩ这个位置了。“非易失性”就是断电再上电后还是3.5KΩ这个位置。是这个意思吗
2024-11-21 07:15:57
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
Xicro公司生产的X25Fxx 系列非易失性快速擦写串行 RAM 具有功耗低, 擦写速度快的特点 ,它采用 SPI 三总线接口,可与各种单片机连接,且具有很完善的数据保护功能。本文从应用角度出发
2009-04-25 16:01:35
18 X9511 ─ 按键式非易失性数字电位器简介X9511 是一个理想的按钮控制电位器，其内部包含了31 个电阻单元阵列，在每个电阻单元之间和任一端都有可以被滑动端访
2009-11-14 14:50:3838 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，介绍MAX®II系列即时开启非易失性CPLD基于0.18-μ，6层金属闪存工艺，密度从240到2210个逻辑元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
英特矽尔Intersil推出小型非易失性按钮式数控电位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按钮式数控电位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文讨论如何使用安全数字(SD)媒体格式扩展MAXQ2000的非易失数据存储器。 低功耗、低噪声的MAXQ2000微控制器适合于多种应用。MAXQ2000在闪存中存储非易失性数据，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®处理器的非易失存储服务
摘要：需要非易失数据存储的应用通常都需要使用外部串行EEPROM。这篇文章介绍了仅使用MAXQ微控制器中已有的闪存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
相变内存（Phase Change Memory，PCM）是一项以Intel、Numonys和三星等厂商为先驱的新型非易失性技术，可以成为取代闪存的一种低成本、更可靠、更快速和更好的技术。
一些
2010-07-17 11:10:14803 概述
可编程逻辑器件已经越来越多地用于汽车电子应用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技术(快闪和反熔丝)，不易发生由中子引发的固件错误，
2010-08-26 10:52:38669 该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:301444 
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421402 DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术，采用独特的55纳米(nm)非易失性内存(NVM)构建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011741 
赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261584 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1312电池监视器非易失控制器是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供应电路要求提供标准CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。
2012-07-19 14:30:074121 
使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 （phase-change memory, PCM）、磁阻式随机存储（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。
2018-07-04 11:55:007915 
影响，相关的存储与事务处理技术是其中值得关注的重要环节．首先，概述了事务型数据库系统随存储环境发展的历史与趋势；然后，对影响上层数据管理系统设计的非易失性存储技术以及面向大数据应用领域与硬件环境优化的事务技术进行综述
2018-01-02 19:04:400 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:426591 ）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业
2018-03-02 15:29:01315 提供行业首款实时4D成像雷达 格芯宣布Arbe Robotics已选择在其开创性的专利成像雷达中采用格芯22FDX工艺，这种成像雷达将帮助实现全自动系统功能，并实现更加安全的自动汽车
2018-05-17 10:12:002760 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 晶圆代工大厂格芯（GlobalFoundries）在10日宣布，旗下的22FDX制程已经进行了50多个设计订单，合约总金额突破了20亿美元。以这样的合约金额来计算，因为2017年格芯全年的总营收落在61.76亿美元。因此，这么一个成熟技术制程能有如此规模的营收，算是发展相当成功。
2018-07-11 16:51:002494 对于需要大幅降低功耗和芯片尺寸的客户来说，相较于传统的CMOS体硅工艺，22FDX可提供业界较低的运行电压，仅需0.4V即可实现高达500MHz的频率。
2018-07-19 15:55:001109 能在全球范围内收获了超过20亿美元的收益，并在超过50项客户设计中得到采用。本次两位中国客户的成功流片再次印证了22FDX技术在实际应用中的可靠性和灵活性。 格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农先生表示：“22FDX 是业内首个 22nm FD-SOI 平台，作为业界领先的低功耗芯片平台，它在全
2018-11-05 16:31:02500 研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01574 事实上，除了这些传统要求，在前两代非易失FPGA产品的经验基础上，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）公司还认识到需要灵活的片上非易失存储器，以及作为非易失FPGA新要求的用于现场逻辑更新的全面解决方案。
2019-06-16 09:48:472069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II软核嵌入式处理器。 MAX 10 NEEK是一个功能丰富的平台，为嵌入式设计人员提供了一种快速简便的方法，可以在非易失性FPGA中体验定制嵌入式处理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic联合开发。
2019-08-12 14:14:292036 格芯的战略是为快速增长市场中的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案，而践行这一承诺的实际成果就是我们的22nmFD-SOI（22FDX）嵌入式MRAM非易失性存储器（NVM）技术。多家物联网大客户已经进入这项技术的试验性生产阶段。
2019-09-04 15:25:088933 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 据外媒报道称，美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随机存取存储器（eMRAM）已正式投入生产。同时格芯正与多家客户共同合作，计划于2020年实现多重下线生产
2020-03-04 17:27:352668 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:371159 ROHM确立了非易失性逻辑IC技术的可靠性，已经开始进行批量生产阶段。此次采用了非易失性逻辑CMOS同步式的技术开发了4 Pin非易失性逻辑计算IC“BU70013TL”。这个产品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统，但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理
2020-09-11 16:09:322230 Dialog半导体已将其导电桥接电阻RAM非易失性存储器（NVM）技术授权给Globalfoundries，但生产计划要等到2022年。 Globalfoundries公司计划在2022年将
2020-11-17 14:35:022572 
电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0026 可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。 易失性存储器 易失存储器是指在系统停止供电的时候数据丢失。常见的设备如电脑内存、高速缓存、显示器显存等。 易失性存储器-RAM 易失性存储器主要是指随机访问存储器
2020-12-07 14:26:136411 
内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 为解决SRAM的数据保存问题，国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品，国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢？建议用户根据以
2021-01-11 16:44:202306 Dialog的CBRAM技术适用于像所有物联网解决方案一样要求低功耗的应用。应用范围包括从5G到人工智能，这些领域对读/写速度有很高要求，但同时要求降低生产成本。像工业应用这种需要对严苛环境有一定耐受能力的应用也偏爱使用该技术，该技术也可用于汽车行业。
2021-02-21 10:50:322536 
AD5110/AD5112/AD5114：单通道、128/64/32位、I2C、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-19 09:37:215 AD5111/AD5113/AD5115：单通道、128/64/32位、升/降接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
2021-03-21 06:43:004 电子发烧友网为你提供F-RAM非易失性存储技术优势与安全气囊设计资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-17 08:47:555 ADM1166：带余量控制和非易失性故障记录的超级序列器
2021-04-24 12:29:412 现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存（Non- Volatile memory，NVM）进行测试，而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异，使得测试结果无法准确反映文件系统在
2021-05-07 11:05:2013 AD5116单通道，64位，按钮，±8%电阻容差，非易失性数字电位器数据表
2021-06-18 09:12:065 低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍64Kbit非易失性铁电存储器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413 文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了
2021-11-11 16:26:49793 电子发烧友网站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM适配器.zip》资料免费下载
2022-07-12 10:20:410 GlobalFoundries 22FDX平台是物联网（IoT）、智能移动和汽车市场的热门之选。GlobalFoundries的认证可确保Ansys工具提供业界领先的预测准确性，以帮助验证超低功耗、高速和射频（RF）设计的功能正确。
2022-12-12 15:35:151026 作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现非易失性门控功能的替代方案，这些电路使用串行接口控制的数字电位器（MAX5427或MAX5527）存储门控信号（模块或发送）。
2023-01-12 11:30:521731 
电子发烧友网站提供《使用XOD访问ESP32非易失性存储.zip》资料免费下载
2023-06-15 14:35:410 ，作为一家全球领先的半导体制造公司，发布了其最新的技术成果——22FDX®平台。这个平台以其卓越的性能和适应性，正在成为人工智能（AI）和物联网（IoT）等新兴技术的关键推动力。 GlobalFoun
2023-11-15 14:53:382726 
该专利涉及一种新型非易失性存储装置及其制作工艺。具体而言，其步骤如下：首先，制备包含器件区与非器件区的基底；接着，在基底上依次沉积第一电极材料层及绝缘材料层；然后，在绝缘材料层上形成牺牲层，该层覆盖非器件区并露出器件区；
2024-05-06 10:33:02886 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
2025-02-28 10:48:16918 
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