中芯国际获非易失性存储装置及其制作方法专利

据天眼查数据，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司近期获得了一项新专利——“非易失性存储装置及其形成方法”，公告号为CN113659073B，授权日期为2024年4月30日，申请日期为2022年2月12日。

该专利涉及一种新型非易失性存储装置及其制作工艺。具体而言，其步骤如下：首先，制备包含器件区与非器件区的基底；接着，在基底上依次沉积第一电极材料层及绝缘材料层；然后，在绝缘材料层上形成牺牲层，该层覆盖非器件区并露出器件区；最后，在器件区内的绝缘材料层上生长第二电极，同时去除牺牲层以及非器件区的绝缘材料层和第一电极材料层，仅保留剩余的绝缘材料层作为绝缘层，以及剩余的第一电极材料层作为第一电极层。此方法有助于提高器件性能。