格芯以eVaderis超低耗电MCU参考设计强化22FDX® eMRAM平台

双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及芯片尺寸。

美国加利福尼亚圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）——今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。

eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力，相较于上一代 MCU，电池续航力可提高到10 倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™合作项目（FDXcelerator™ Partner Program）开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用， 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造，非常适合常闭的（normally-off）物联网应用。”eVaderis 总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM 作为工作内存，可让MCU的部分电路更频繁的下电，而不会引起MCU的性能损失。eVaderis 希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。”

“穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示，“身为 FDXcelerator 合作伙伴，eVaderis运用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技术， 开发全新的MCU架构，帮助客户达成更高的需求。”

格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM 和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆（MPW）已经开放，现成的eMRAM 模块也已提供，有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择，使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。

关于 eVaderis

eVaderis创立于 2014 年，是全球首家以MRAM及RRAM等新型颠覆性内嵌内存技术为基础，提供创新IP解决方案的公司。该公司提供具备高竞争力的产品级设计服务，可满足生产高阶非挥发性内存、编译程序、逻辑组件库及处理器子系统的需求，为新芯片设计模式建立基础。eVaderis是格芯FDXcelerator™合作伙伴计划的成员。

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。