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电子发烧友网>嵌入式技术>ARM>采用55纳米非易失性内存的Qorivva MCU

采用55纳米非易失性内存的Qorivva MCU

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2023-06-15 14:35:410

中芯国际获存储装置及其制作方法专利

该专利涉及一种新型存储装置及其制作工艺。具体而言,其步骤如下:首先,制备包含器件区与器件区的基底;接着,在基底上依次沉积第一电极材料层及绝缘材料层;然后,在绝缘材料层上形成牺牲层,该层覆盖器件区并露出器件区;
2024-05-06 10:33:02886

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