近日，在深圳福田会展中心举办的电源展会上，英诺赛科带来的全线的氮化镓产品亮相。高压器件从650V提升到700V，并且升级了40V/100V/150V平台。针对消费类、服务器、储能和汽车这些氮化镓
2023-03-24 09:10:25
10260 
摘要：英诺赛科推出 100V 双向导通器件，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。 英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件
2023-10-13 13:46:591838 
科，在第三代半导体市场快速起量的近几年发展如何呢？ 三年营收超7 亿，亏损累计67 亿 英诺赛科在招股书中表示，公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的
2024-06-17 00:11:005217 
IPO，英诺赛科拟募资13.999亿港元。 氮化镓全球第一，亏损幅度逐年收窄 英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。其产品包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、
2024-12-30 00:11:007888 
电子发烧友原创 章鹰 3月28日，功率半导体厂商英诺赛科发布2024年业绩报告，本年度营收达到8.285亿元，同比增长39.8%。作为全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，英诺赛科集团凭借
2025-04-01 01:20:004221 
发烧友拍摄 “与硅基器件相比，氮化镓的功率密度可达 30W/mm，是硅的150倍，开关频率提升 10 倍以上，可使电源适配器体积缩小 60%。” 西安电子科技大学广州研究院教授弓小武对媒体表示。当前，GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年
2025-04-21 09:10:422408 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大
2025-12-04 07:42:0010991 近日，国内功率半导体厂商英诺赛科再传好消息。12月9日，中国智能电动汽车部件及解决方案提供商苏州汇川联合动力系统股份有限公司与英诺赛科，共同宣布采用650V氮化镓的新一代6.6KW OBC系统在长安汽车顺利装车，为车载电源技术树立了新典范。
2025-12-24 00:56:008038 
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商，除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。一·宽禁带材料介绍宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
12月11日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包含《碳化硅单晶》等四项团体标准送审稿审定及《碳化硅混合模块产品检测方法》等四项团体标准草案讨论两部分内容。
2017-12-13 09:05:514919 近日，广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立，该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导，易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。
2018-06-25 16:54:0012151 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:009044 第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038619 近日，2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上，国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设，为技术协同以及产业、资本的对接提供了良好的交流互动平台。
2018-12-10 14:24:253991 现代电子技术偏爱高压，转向宽禁带半导体的高压系统，是因为：首先，高压意味着低电流，这也意味着系统所用的铜总量会减少，结果会直接影响到系统成本的降低；其次，宽禁带技术(通过高压实现)的阻性损耗
2018-12-13 16:58:306039 关键词：氮化镓 , GaN , 英诺赛科 近日，世强与国产品牌英诺赛科（Innoscience）签约，代理其全线产品。本次签约，不仅意味着世强进一步拓展了功率和射频器件的产品线，还意味着英诺赛科
2019-01-16 18:16:01894 如典型的宽禁带SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，济南宽禁带半导体产业小镇起步区项目开工活动在济南槐荫经济开发区举行。宽禁带半导体产业小镇位于济南槐荫经济开发区的，紧邻西客站片区和济南国际医学中心，是济南实施北跨发展和新旧动能转换
2019-05-17 17:18:524423 英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称英诺赛科）是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司。近日，芯片项目主厂房经过14个月的紧张建设，顺利完成封顶。市委副书记朱民，吴江区及汾湖高新区领导李铭、吴琦、沈伟江出席封顶仪式。
2019-09-02 16:19:4913130 半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58:592018 
近日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。
2020-10-21 10:30:243072 此外，英诺赛科（苏州）半导体有限公司副总经理王培仁表示，按照规划，项目开工两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线，投产后三年将实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标。
2020-11-05 09:41:534981 Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战，共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:571258 发烧友特别采访了英诺赛科产品应用经理邹艳波，他对2021年半导体市场提供了自己的前瞻观点和技术趋势分析。div style=text-align:center;img alt= src=https
2020-12-25 15:31:154331 2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称：英诺赛科）荣获2021中国IC风云榜“年度独角兽奖”。
2021-01-19 10:24:045220 先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12:0024 理工大学等纯研究机构。 几年来，这些单位的规划总投资已经超过300亿元，总产能超过180万片/年。专家预计，2022年，此类产品成本逐步下降之后，国内产品有望实现部分国产替代。 宽禁带（WBG）半导体包括碳化硅还有氮化镓（GaN），其启蒙阶段的“顶流
2021-06-08 15:29:092216 作为2021年技术热词，宽禁带总会在各大技术热文中被提起，我们在以往的文章中也笑称，宽禁带半导体是电动汽车的“宠儿”，但也有些朋友会问我们，宽禁带半导体为什么总是要和汽车一起提起呢？ 说到这里，我们
2021-08-26 15:20:283018 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:314217 
大会同期举办了面向宽禁带半导体领域的“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”。峰会以“创新技术应用，推动后摩尔时代发展”为主题，邀请了英诺赛科科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、苏州晶湛半导体
2021-12-23 14:06:342831 
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。
2022-02-21 16:47:151118 近年来，一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，近期携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来，双方将合作攻克氮化镓更快开关速度、更高开关频率等一系列挑战，让优异的氮化镓产品进入更多应用领域，一起为未来科技充电！
2022-04-22 16:55:192948 中国北京2022年4月22日 — 近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来。未来，双方将携手克服氮化镓更快开关速度、更高开关频率等等一系列挑战
2022-04-25 16:30:232414 
对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段，由于每部分的物态形式、设备控制都不一样，要想做好这个行业的MES软件，就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。
2022-07-05 12:44:534544 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161771 宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22:121579 随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽禁带半导体，展示出高频、高压、高温等独特的性能优势，迎来新的发展机遇
2022-10-28 11:04:341761 
碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
2022-11-29 09:10:391949 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料，它们具有
2022-12-09 14:29:421622 
宽禁带半导体，指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大，决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大，对应电子跃迁导带能量越大，从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:5810873 第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59:483757 
作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体，它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19:2912 ）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46:2211803 
第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
英诺赛科（Innoscience）一直致力于推动GaN技术的发展，从而推动新一代电力电子设备的快速普及。2023年8月，英诺赛科推出了一款100V的GaN新品，采用FCQFN封装，再次彰显了其在GaN领域的领导地位。
2023-08-14 15:07:062681 宽禁带半导体光电探测技术在科学、工业和医疗领域中发挥着重要作用，提供了高效的光电转换和探测功能，推动了许多现代科技应用的发展。
2023-09-20 17:52:092640 
点击蓝字 关注我们 宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据，宽
2023-10-08 19:15:02967 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:061828 
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:021785 
11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用
将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
2023-11-22 15:27:561481 点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。 在整个
2023-12-07 10:45:021168 在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽
2023-12-16 08:30:341285 
Technologies Austria AG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英诺赛科美国
2024-03-14 18:04:211530 英飞凌现已通过下属子公司英飞凌科技奥地利公司，正式状告位于珠海的英诺赛科、以及其在美分支机构涉嫌侵犯有关GaN技术的美国专利，寻求永久禁令。
2024-03-15 09:56:041823 英诺赛科，这家成立于2015年12月的高新技术企业，近日传出计划今年内在香港进行IPO的消息，预计融资规模将达到3亿美元。
2024-03-20 14:36:532672 英飞凌就其GaN相关的美国专利对英诺赛科提起诉讼，目前正在寻求永久禁令! 3月14日英飞凌官网发布消息称英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)将通过其子公司英飞凌
2024-03-21 11:00:361246 
近日，有消息透露，英诺赛科公司正筹备在今年内赴香港进行首次公开募股（IPO），预计融资规模将达到约3亿美元。
2024-03-25 15:40:081459 近日，全球宽禁带领域的领军企业意法半导体（ST）在深圳和上海两地成功举办了宽禁带研讨会，受到电力和能源领域专业嘉宾的热烈追捧。
2024-03-28 10:32:341128 2024年3月29日，2024上海全球投资促进会在临港新片区召开，其中包括宽禁带半导体产业链投资机遇分论坛。
2024-03-29 16:35:241164 临港新片区管委会和万业企业（600641.SH）下属的凯世通等知名企业联合宣布成立“汽车-宽禁带半导体产业链联盟”，其中，凯世通总经理陈克禄博士作为关键装备企业的代表荣耀见证了这一重要时刻。
2024-04-03 09:23:101094 会上，临港新片区管委会联动万业企业（600641.SH）旗下凯世通等多家行业翘楚，协同成立“汽车—宽禁带半导体产业链联盟”。联盟成立仪式上，凯世通总经理陈克禄博士代表关键装备企业发声。
2024-04-03 15:50:561151 功率电子学在现代科技领域扮演着举足轻重的角色，尤其是在可再生能源和电动交通领域。为了满足日益增长的高效率、小巧紧凑组件的需求，我们需充分认识并保证宽禁带（WBG）半导体（如碳化硅（SiC）和氮化镓
2024-06-07 14:30:311647 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司近日正式向香港证券交易所递交了首次公开募股（IPO）的上市申请，标志着这家全球氮化镓功率半导体领域的领军企业正式迈出了登陆资本市场的重要步伐。
2024-06-15 09:50:031456 当今，气候变化与如何应对持续增长的能源需求已经成为人类面临的共同挑战，而宽禁带半导体高度契合节能减排需求，并在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带
2024-06-18 08:14:18789 
在全球半导体市场日新月异的今天，荷兰半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布，计划投资高达2亿美元（约合1.84亿欧元），用于研发下一代宽禁带半导体产品，并在其位于汉堡的工厂建立生产基础设施。
2024-06-28 11:12:341392 下一代宽禁带半导体（WBG）的研发和生产，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能材料，进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半导体产业日新月异的今天，芯片制造商Nexperia（安世半导体）再次展现了其前瞻性的战略布局。近日，该公司宣布将投资高达2亿美元，用于在德国汉堡工厂开发下一代宽禁带半导体产品，并扩大其晶圆厂的产能。
2024-06-29 10:03:261673 英飞凌致力于通过其创新的宽禁带（WBG）半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC创新产品，偕同英飞凌智能家居方案，以及电动交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 在半导体行业的快速变革中，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司以卓越的氮化镓产品，已发展成为全球领先的第三代半导体高新技术企业。近期发布的招股书数据显示，英诺赛科不仅在多个应用领域获得了客户的广泛认可
2024-07-08 12:53:04785 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于2024年7月23日在美国加利福尼亚北区地方法院，对英诺赛科（珠海）科技有限公司、英诺赛科美国公司及其关联公司（以下简称：英
2024-07-29 13:41:52751 功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料，它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别： 材料类型：功率半导体通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而宽禁
2024-07-31 09:07:121517 宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中，半导体材料扮演着至关重要
2024-07-31 09:09:063202 第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体
2024-12-05 09:37:102785 
，已成为推动功率半导体行业转型升级的核心力量。 在这一领域，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)凭借其深厚的技术底蕴和前瞻性的战略布局，成功跻身行业领先地位。作为公认的头部企业，英诺赛科在功率半导
2024-12-25 13:49:05923 近日，国内氮化镓功率半导体领域的佼佼者——英诺赛科(苏州)科技股份有限公司，在香港联合交易所主板成功挂牌上市。此举标志着国内氮化镓半导体第一股正式诞生，为行业树立了新的里程碑。 英诺赛科作为一家
2025-01-02 14:36:301522 近日，全球氮化镓(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板，为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 •无需焊接或探针，即可轻松准确地测量宽禁带功率半导体裸片的动态特性 •是德科技夹具可在不损坏裸片的情况下实现快速、重复测试 •寄生功率回路电感小于10nH，实现干净的动态测试波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 2025 年3月19日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（香港联交所代码：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化镓（GaN-on-Si）芯片制造及电源解决方案企业。 今日，英诺赛科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 ❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛
2025-04-01 10:06:023812 
近日，氮化镓行业的领军企业英诺赛科正式对外宣布，将进一步扩大其 8 英寸晶圆的产能。这一消息在半导体领域引发了广泛关注，标志着英诺赛科在巩固自身行业地位的同时，也将为全球氮化镓市场注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59678 制造成本被再次推上台面。 对于高度依赖全球制造网络的半导体行业而言，这一轮政策调整不仅抬高了成本，也将“在哪里制造”成为影响定价结构与交付路径的核心变量。 就在政策正式公布前三天，意法半导体(以下简称“ST”)与英诺赛科
2025-07-23 16:31:471148 
：在刚刚过去的英飞凌2025年宽禁带开发论坛上，英飞凌与汇川等企业展示了宽禁带半导体技术的最新进展。从SiC与GaN技术的创新应用到融合Si与SiC逆变器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
尺寸小型化等方面的优势，共同为新能源汽车开发先进的电力电子系统。 英诺赛科作为全球氮化镓产业的龙头，自 2017 年成立以来成绩斐然。2024 年完成 E 轮融资后，其投后估值达 235 亿元，成功跻身超级独角兽行列，并于同年 1
2025-07-31 17:14:13887 
）控告英诺赛科（Innoscience）关于氮化镓（GaN）技术专利侵权的一审判决中，判定英飞凌胜诉。该案的核心是英诺赛科未经授权使用了英飞凌受专利保护的氮化镓（GaN，以下同）技术。氮化镓技术在实现高性能及高能效的电源系统中发挥着关键作用，应用范围广泛涵盖可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动
2025-08-04 18:28:251668 随着全球汽车产业向电动化、智能化迈进，半导体技术已成为推动这一变革的关键驱动力。特别是宽禁带半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其卓越的电气性能，正在掀起一场深刻的技术革命。这些材料
2025-09-24 09:47:03680 近日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）共同签署战略合作协议。
2025-10-13 11:41:042483 安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美
2025-12-11 17:47:04656
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