在材料方面,除了硅基,第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术,我国除了在硅基方面进行追赶外,在第三代半导体方面也做了很多投入,有了不少的创新研究。国家总共投资了4亿元来建设宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心,这个工程研究中心不仅仅承载着解决技术的问题,我们还承载着一些对原创性技术的布局。
2020-08-17 09:05:56
19141 宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商,除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商,除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
应用于光学领域,然而由于其禁带特性,近年来在微波和毫米波领域也获得极大关注。在光子带隙结构中,电磁波经周期性介质散射后,某些波段电磁波强度会因干涉而呈指数衰减,无法在该结构中传播,于是在频谱上形成带隙
2019-06-27 07:01:22
三极管具有什么特性?什么是宽禁带半导体?
2021-06-08 07:09:36
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢?
2019-07-31 07:42:54
的使用越来越多,SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。此外,为适应特高压输电、电动汽车充电桩等超高压应用,可以承受更高电压的超宽禁带半导体,如碳化硅、氧化镓等的研究也在逐渐深入,宽禁带材料一直是
2022-01-23 14:15:50
全球汽车市场发展整体向好,汽车中的半导体含量将持续增长,尤其是动力系统、照明、主动安全和车身应用领域。新能源汽车推动汽车动力系统中半导体成分增高约5倍。燃油经济性、先进驾驶辅助系统(ADAS)、便利及信息娱乐系统,以及占全球汽车销售比例50%以上的新兴市场,推动全球汽车半导体市场同比增长7%。
2020-05-04 06:30:06
`类似这种图片,能够体现半导体应用领域的,最好是有标色或者突出的效果。`
2020-05-09 10:26:35
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
`海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等
2019-10-24 14:21:23
泛的宽禁带半导体材料之一,凭借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身优异的半导体性能,在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计?
2021-06-17 06:45:48
半导体材料的发展历程和应用领域
半导体材料经历几代的发展:
第一代半导
2010-03-04 13:18:15
15772 现代电子产品的基础是半导体器件,因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能,所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25:23
1561 12月11日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包含《碳化硅单晶》等四项团体标准送审稿审定及《碳化硅混合模块产品检测方法》等四项团体标准草案讨论两部分内容。
2017-12-13 09:05:51
4919 “在全省新旧动能转换重点工程十强产业和济南市十大千亿级产业中,新材料产业是其中的重点,而宽禁带半导体产业又是新材料产业中的核心产业之一,它的应用领域十分广泛,据国内外权威机构预测,到2025年,全球
2018-07-23 15:40:00
963 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制
2018-07-26 09:09:00
1153 
近日,广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立,该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导,易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。
2018-06-11 01:46:00
11051 6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。
2018-06-25 16:54:00
12150 行业标准的收紧和政府法规的改变是提高产品能效的关键推动因素。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础,具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:51
6425 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视,其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:00
9041 第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域,包括电力电子,新能源汽车,光伏,机车牵引,以及微波通讯器件等,由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,被业界一直看好。
2018-10-10 16:57:40
38617 近日,2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上,国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设,为技术协同以及产业、资本的对接提供了良好的交流互动平台。
2018-12-10 14:24:25
3990 现代电子技术偏爱高压,转向宽禁带半导体的高压系统,是因为:首先,高压意味着低电流,这也意味着系统所用的铜总量会减少,结果会直接影响到系统成本的降低;其次,宽禁带技术(通过高压实现)的阻性损耗
2018-12-13 16:58:30
6038 如典型的宽禁带SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性,尤其是
2019-04-03 15:46:09
4850 5月16日上午,济南宽禁带半导体产业小镇起步区项目开工活动在济南槐荫经济开发区举行。宽禁带半导体产业小镇位于济南槐荫经济开发区的,紧邻西客站片区和济南国际医学中心,是济南实施北跨发展和新旧动能转换
2019-05-17 17:18:52
4422 半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外,我们还提供spice物理模型,帮助设计人员在仿真中实现其应用性能,缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58:59
2018 
资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带
2020-07-06 08:54:55
1214 基于新兴GaN和SiC宽禁带技术的新型半导体产品,有望实现更快的开关速度,更宽的温度范围,更好的功率效率,以及其他更多增强功能。
2020-10-23 11:03:26
1297 Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:57
1258 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场,也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12:00
24 的角度来看,这将具有现实意义。宽禁带(WBG)半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56:00
2760 理工大学等纯研究机构。 几年来,这些单位的规划总投资已经超过300亿元,总产能超过180万片/年。专家预计,2022年,此类产品成本逐步下降之后,国内产品有望实现部分国产替代。 宽禁带(WBG)半导体包括碳化硅还有氮化镓(GaN),其启蒙阶段的“顶流
2021-06-08 15:29:09
2215 作为2021年技术热词,宽禁带总会在各大技术热文中被提起,我们在以往的文章中也笑称,宽禁带半导体是电动汽车的“宠儿”,但也有些朋友会问我们,宽禁带半导体为什么总是要和汽车一起提起呢? 说到这里,我们
2021-08-26 15:20:28
3017 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:31
4217 
大会同期举办了面向宽禁带半导体领域的“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”。峰会以“创新技术应用,推动后摩尔时代发展”为主题,邀请了英诺赛科科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、苏州晶湛半导体
2021-12-23 14:06:34
2830 
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。
2022-02-21 16:47:15
1118 对于宽禁带半导体行业目前概况,吕凌志博士直言,宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段,由于每部分的物态形式、设备控制都不一样,要想做好这个行业的MES软件,就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。
2022-07-05 12:44:53
4543 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:16
1771 宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22:12
1579 对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙 (WBG) 半导体,由于一系列应用程序供应商的兴趣激增,它经历了更新。
2022-08-05 14:39:17
2175 追求更高效的电子产品以功率器件为中心,而半导体材料则处于研发活动的前沿。硅的低成本和广泛的可用性使其在几年前超越锗成为主要的功率半导体材料。然而,今天,硅正在将其在功率器件中的主导地位让给两种更高
2022-08-08 10:16:49
1930 
。目前,从市场领域来看,宽禁带半导体材料已于快充、新能源汽车、光伏、风电、高铁等多领域实现应用。其中,氮化镓主要面向PD电源类居多,而碳化硅主要应用于新能源汽车领域。 但从使用情况来看,相比于其他材料,宽禁带半导体
2022-10-28 11:04:34
1760 
碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
2022-11-29 09:10:39
1948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有
2022-12-09 14:29:42
1621 
宽禁带半导体,指的是价带和导带之间的能量偏差(带隙)大,决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。更宽的带隙允许器件能够在更高的电压、温度和频率下工作。
2022-12-19 17:59:03
3531 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料,是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大,对应电子跃迁导带能量越大,从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:58
10872 半导体,通常指硅基的半导体材料,这类材料可以通过掺杂产生富电子及富空穴的区域(自行修读半导体物理),而在外部电场的影响下,能使材料表现出导通电流和非导通电流的状态,从而实现逻辑功能或0/1控制。
2023-02-02 15:22:59
3812 
第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等,适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件,可用于卫星、汽车、雷达、工业、电源管理、射频通信等诸多领域。在当前的第三代半导体材料中,氮化镓(GaN)和(SiC)相对成熟,具有最有前景的发展前景。
2023-02-05 14:36:00
1940 氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
2023-02-05 15:19:59
3114 作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19:29
12 领域的性能方面表现不佳,但还有性价
比助其占据市场。第二代半导体以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)为代表,主要应用领域为光电子、微电
子、微波功率器件等。第三代半导体以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:11
3 )为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46:22
11803 
活动预告今天下午晚4点(北京时间),英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续6个小时,更有英飞凌总部资深专家从技术和应用角度深度解析宽禁带半导体,与大家共同迎接新器件的设计挑战
2022-04-01 10:32:16
1356 
第95期什么是宽禁带半导体?半导体迄今为止共经历了三个发展阶段:第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表;第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46
6543 
为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新?如何提
2023-06-30 10:08:30
1328 
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有优异的物理、化学和电学性能,在高温、高频、高压等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。本文将对SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和技术发展趋势进行简要介绍。
2023-09-12 17:25:41
5310 宽禁带半导体光电探测技术在科学、工业和医疗领域中发挥着重要作用,提供了高效的光电转换和探测功能,推动了许多现代科技应用的发展。
2023-09-20 17:52:09
2640 
点击蓝字 关注我们 宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料,例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性,因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据,宽
2023-10-08 19:15:02
966 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域,处于宽禁带半导体产业链的前端,是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06
1828 
第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比,第三代半导体具有许多优势,这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28
1254 
半导体材料。 宽禁带半导体材料适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件,正在成为固态光源和电力电子、微波射频器件的重要材料,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。 宽
2023-11-03 12:10:02
1785 
点击上方 “ 意法半导体中国” , 关注我们 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。 在整个
2023-12-07 10:45:02
1167 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽
2023-12-16 08:30:34
1284 
2023年,半导体市场的逆风周期仍未过去,企业收并购的脚步却不曾停歇。根据公开的信息,《中国电子报》记者梳理了23桩半导体领域的国际收并购案例,发现2023年全球半导体领域的收并购案主要集中在AI、EDA、宽禁带半导体等领域,呈现以下特点。
2023-12-19 11:21:31
2590 
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
4062 氮化镓半导体并不属于金属材料,它属于半导体材料。为了满足你的要求,我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓(GaN)是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:32
4486 近日,全球宽禁带领域的领军企业意法半导体(ST)在深圳和上海两地成功举办了宽禁带研讨会,受到电力和能源领域专业嘉宾的热烈追捧。
2024-03-28 10:32:34
1127 2024年3月29日,2024上海全球投资促进会在临港新片区召开,其中包括宽禁带半导体产业链投资机遇分论坛。
2024-03-29 16:35:24
1164 临港新片区管委会和万业企业(600641.SH)下属的凯世通等知名企业联合宣布成立“汽车-宽禁带半导体产业链联盟”,其中,凯世通总经理陈克禄博士作为关键装备企业的代表荣耀见证了这一重要时刻。
2024-04-03 09:23:10
1093 会上,临港新片区管委会联动万业企业(600641.SH)旗下凯世通等多家行业翘楚,协同成立“汽车—宽禁带半导体产业链联盟”。联盟成立仪式上,凯世通总经理陈克禄博士代表关键装备企业发声。
2024-04-03 15:50:56
1150 功率电子学在现代科技领域扮演着举足轻重的角色,尤其是在可再生能源和电动交通领域。为了满足日益增长的高效率、小巧紧凑组件的需求,我们需充分认识并保证宽禁带(WBG)半导体(如碳化硅(SiC)和氮化镓
2024-06-07 14:30:31
1646 当今,气候变化与如何应对持续增长的能源需求已经成为人类面临的共同挑战,而宽禁带半导体高度契合节能减排需求,并在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带
2024-06-18 08:14:18
788 
在高频高压应用领域,宽禁带材料不可替代的优势正在加速相关产品的研发与落地应用。制造技术的进步,也让其成本更有竞争力。需求拉动叠加成本降低,宽禁带半导体的时代正在到来。
2024-06-19 15:36:24
1703 半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施
2024-06-28 09:30:59
1876 在全球半导体市场日新月异的今天,荷兰半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布,计划投资高达2亿美元(约合1.84亿欧元),用于研发下一代宽禁带半导体产品,并在其位于汉堡的工厂建立生产基础设施。
2024-06-28 11:12:34
1391 下一代宽禁带半导体(WBG)的研发和生产,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等高性能材料,进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。
2024-06-28 16:56:38
1690 在全球半导体产业日新月异的今天,芯片制造商Nexperia(安世半导体)再次展现了其前瞻性的战略布局。近日,该公司宣布将投资高达2亿美元,用于在德国汉堡工厂开发下一代宽禁带半导体产品,并扩大其晶圆厂的产能。
2024-06-29 10:03:26
1672 英飞凌致力于通过其创新的宽禁带(WBG)半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC创新产品,偕同英飞凌智能家居方案,以及电动交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:31
1370 
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料,它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别: 材料类型:功率半导体通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而宽禁
2024-07-31 09:07:12
1517 宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度(Eg>2.3eV)的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质,使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中,半导体材料扮演着至关重要
2024-07-31 09:09:06
3202 在电力电子领域,碳化硅(SiC)功率器件正以其独特的性能和优势,逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,使得碳化硅功率器件在高温、高频、大功率应用领域展现出显著的优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-09-13 10:56:42
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第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势,且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带化合物半导体
2024-12-05 09:37:10
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本文介绍第三代宽禁带功率半导体的应用 在电动汽车的核心部件中,车用功率模块(当前主流技术为IGBT)占据着举足轻重的地位,它不仅决定了电驱动系统的关键性能,还占据了电机逆变器成本的40%以上。鉴于
2025-01-15 10:55:57
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一、引言随着科技的不断发展,功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性,逐渐
2025-02-15 11:15:30
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•无需焊接或探针,即可轻松准确地测量宽禁带功率半导体裸片的动态特性 •是德科技夹具可在不损坏裸片的情况下实现快速、重复测试 •寄生功率回路电感小于10nH,实现干净的动态测试波形 是德科技(NYSE
2025-03-14 14:36:25
738 :在刚刚过去的英飞凌2025年宽禁带开发论坛上,英飞凌与汇川等企业展示了宽禁带半导体技术的最新进展。从SiC与GaN技术的创新应用到融合Si与SiC逆变器概念,再
2025-07-24 06:20:48
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电子学会主办,浙江大学与清华大学联合承办,中国电源学会、天津工业大学、华南理工大学等多家机构协办,汇聚了全球宽禁带功率器件领域的顶尖力量。 2025 IEEE 亚洲宽禁带功率器件及应用研讨会 全球顶尖力量
2025-08-28 16:00:57
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随着全球汽车产业向电动化、智能化迈进,半导体技术已成为推动这一变革的关键驱动力。特别是宽禁带半导体材料,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),因其卓越的电气性能,正在掀起一场深刻的技术革命。这些材料
2025-09-24 09:47:03
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