大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:00
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近日，在深圳福田会展中心举办的电源展会上，英诺赛科带来的全线的氮化镓产品亮相。高压器件从650V提升到700V，并且升级了40V/100V/150V平台。针对消费类、服务器、储能和汽车这些氮化镓
2023-03-24 09:10:2510260 
9月，英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。这一突破将极大地推动氮化镓功率
2024-10-25 11:25:362337 
报披露，英诺赛科营收增长，主要是氮化镓应用领域持续拓展，从数据来看在氮化镓（GaN）市场拓展和成本控制上都有了进展。
2025-09-14 22:16:518759 
近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总
2021-04-04 08:39:006568 2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在苏州汾湖高新区举办量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科成立于2015年，是全球领先的硅基氮化镓IDM企业，致力于8英寸GaN电力电子器件的研发与生产，在
2021-06-08 07:31:007005 科，在第三代半导体市场快速起量的近几年发展如何呢？ 三年营收超7 亿，亏损累计67 亿 英诺赛科在招股书中表示，公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的
2024-06-17 00:11:005217 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）提升芯片产能的最显著方式，就是扩大晶圆尺寸，就像硅晶圆从6英寸到8英寸再到如今的12英寸。虽然在12英寸之后，继续扩大晶圆尺寸仍面临很多问题，不过对于比如碳化硅、氮化镓
2024-09-23 07:53:007413 
IPO，英诺赛科拟募资13.999亿港元。 氮化镓全球第一，亏损幅度逐年收窄 英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。其产品包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、
2024-12-30 00:11:007884 
电子发烧友原创 章鹰 3月28日，功率半导体厂商英诺赛科发布2024年业绩报告，本年度营收达到8.285亿元，同比增长39.8%。作为全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，英诺赛科集团凭借
2025-04-01 01:20:004221 
电子发烧友网报道（文/章鹰）4月15日到17日，在慕尼黑上海电子展上，功率器件大厂英诺赛科带来了数字能源、消费电子、汽车电子、机器人领域最新的氮化镓器件方案。 图：英诺赛科展台新品和氮化镓晶圆 电子
2025-04-21 09:10:422408 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大
2025-12-04 07:42:0010991 近日，国内功率半导体厂商英诺赛科再传好消息。12月9日，中国智能电动汽车部件及解决方案提供商苏州汇川联合动力系统股份有限公司与英诺赛科，共同宣布采用650V氮化镓的新一代6.6KW OBC系统在长安汽车顺利装车，为车载电源技术树立了新典范。
2025-12-24 00:56:008030 
成熟。2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，达到国际最高
2023-03-15 11:09:59
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充电器6、AUKEY傲基27W氮化镓充电器7、AUKEY傲基61W氮化镓充电器8、AUKEY傲基65W氮化镓充电器9、AUKEY傲基100W氮化镓充电器10、amc 65W氮化镓充电器11、Aohai奥海
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
晶圆低得多的成本。更重要的是，行业发展已为硅基氮化镓在商业化规模量产、库存维护、适应需求激增等方面打下了坚实的基础，缓解了供应短缺的担忧。只要碳化硅基氮化镓继续依赖耗时、高成本的制造工艺，这种担扰就将
2017-08-15 17:47:34
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本，极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下，一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
我国首条大尺寸等离子屏幕生产线已全面量产
长虹公司21日宣布，我国首条拥有自主产权的42英寸以上等离子屏幕生产线已实现全面量产，这标志着我国彩电业彻底告
2010-01-22 10:19:061083 Douglas Sparks博士在发言中介绍，罕王微电子投资建设的中国首条也是唯一一条专注于MEMS的8英寸大规模产业化生产线已经成功投入运营。通过此前对Maxim（美信）公司MEMS传感器业务
2017-11-16 17:06:464163 氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 从硅晶圆到8英寸晶圆代工报价调涨，世界先进8英寸产能供需吃紧一路畅旺到年底，并积极扩增氮化镓（GaN）产能，已有国际IDM大厂看好电动车产业后市，预先包下世界先进GaN产能，明年中GaN产出将快速放量，成为全球首座8英寸GaN代工厂。
2018-06-29 16:02:005707 与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:29:249762 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，其控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圆的生产企业，且在
2018-12-20 15:21:176874 近日，在深圳会展中心举办的深圳国际电子展上，英诺赛科（珠海）科技有限公司市场销售副总裁参加“2018（冬季）中国USB PD快充产业高峰论坛”分享了“8英寸硅基氮化镓在快充应用的机会和挑战”主题演讲。
2018-12-26 10:32:454065 司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域，公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品。
2019-08-28 15:00:3317963 英诺赛科主要产品为30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，产品覆盖面为全球氮化镓企业之首。公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线，使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
2020-09-22 15:36:232079 9月19日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史
2020-09-27 10:06:464332 华润微的历史可追溯至香港华科电子公司。1983年，华润集团与原四机部、七机部、外经贸部联合在香港设立微电子企业——香港华科电子公司，建立中国首条4英寸晶圆生产线。
2020-09-30 15:05:456451 近日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。
2020-10-21 10:30:243072 此外，英诺赛科（苏州）半导体有限公司副总经理王培仁表示，按照规划，项目开工两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线，投产后三年将实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标。
2020-11-05 09:41:534981 2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称：英诺赛科）荣获2021中国IC风云榜“年度独角兽奖”。
2021-01-19 10:24:045220 2021年1月21日，英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。
2021-01-22 09:26:503015 ASML是全球芯片制造设备领导厂商，其生产的XT400和XT860 的i-line和KrF经过升级，能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。
2021-01-22 14:08:161156 全球领先的硅基氮化镓集成器件制造商英诺赛科科技有限公司和光刻机制造厂商ASML近期达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的合作协议。ASML是全球芯片制造设备领导厂商，其生产的XT400和XT860 的i-line和KrF经过升级，能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。
2021-02-01 15:33:534118 目前世界500强正威集团计划投资53亿，在阳逻建设硅基8-12英寸SOI半导体材料项目，投产后将实现年产70万片8英寸SOI晶圆片和30万片12英寸SOI晶圆片。
2022-01-23 09:56:331905 近年来，一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，近期携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来，双方将合作攻克氮化镓更快开关速度、更高开关频率等一系列挑战，让优异的氮化镓产品进入更多应用领域，一起为未来科技充电！
2022-04-22 16:55:192948 中国北京2022年4月22日 — 近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来。未来，双方将携手克服氮化镓更快开关速度、更高开关频率等等一系列挑战
2022-04-25 16:30:232414 
芯采购设备并开始在8英寸产线实现硅基氮化镓量产。与传统GaN-on-SiC等技术路线相比，硅基氮化镓选用的衬底成本与可及性有显著优势，GaN外延生长缺陷也显著降低。
2022-10-21 15:33:231691 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1527982 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器市场快速渗透，长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:264975 
在过去几年中，氮化镓（GaN）在半导体技术中显示出巨大的潜力，适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙（WBG）半导体，具有快速的开关速度，更高的击穿强度和高导热性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:342743 
宏禧科技现已建成一条12英寸硅基Micro OLED 微型显示器生产线，是国内甚至国际上为数不多的几条12英寸硅基Micro OLED 微型显示器生产线。
2023-02-10 12:41:461609 硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层，为中间产物。氮化镓功率器件是把特定电路所需的各种电子组件及线路，缩小并制作在极小面积上的一种电子产品。氮化镓功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。
2023-02-12 13:52:271619 硅基氮化镓是第三代半导体化合材料，有着能量密度高、可靠性高的优点，能够代替很多传统的硅材料，晶圆可以做得很大，晶圆的长度可以拉长至2米。 硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，可有效缩小功率器件体积，提高功率器件效率，对传统硅材料功率器 件进行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术，它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度，从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化镓功率器件是一种新型的功率器件，它可以提高功率器件的热稳定性和抗拉强度，从而提高功率器件的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化镓是一种新型复合材料，它是由硅和氮化镓结合而成的，具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性和抗拉强度，可以用于制造功率器件和衬底，如电子元件、电子器件和电子零件等。它具有低温制备、低成本、低污染等优点，可以满足不同应用领域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化镓是一种由硅和氮化镓组成的复合材料，它具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。此外，硅基氮化镓还可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化镓充电器是一种利用硅基氮化镓材料作为电池正极材料的充电器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等优点。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓都是氮化镓材料，但它们之间存在一些差异。硅基氮化镓具有良好的电子性能，可以用于制造电子元件，而蓝宝石基氮化镓具有良好的热稳定性，可以用于制造热敏元件。此外，硅基氮化镓的成本更低，而蓝宝石基氮化镓的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 杰华特联合英诺赛科推出120W氮化镓快充方案，打造大功率高端当前，高功率快充标配在市场上受到不少关注，不久前努比亚为其新品红魔游戏手机标配的正是120W快充方案（内置InnoGaNINN650D02
2022-04-18 16:51:291448 
科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
2023-06-25 14:47:291033 GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:362158 
11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用
将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
2023-11-22 15:27:561480 12月6日，致力于高性能Micro-LED技术开发的西安赛富乐斯半导体科技有限公司（简称“赛富乐斯”），对外宣布首条硅基Micro-LED微显示屏产线正式贯通。
2023-12-08 09:17:471986 硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起，利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍硅基氮化镓集成电路芯片的背景、特点
2024-01-10 10:14:582335 公司（Innoscience America, Inc）及其关联公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。英飞凌正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓（GaN）技术有关的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涉及氮化镓功率半导
2024-03-14 18:04:211529 , Ltd.)和英诺赛科美国公司(Innoscience America, Inc.)及其附属子公司提起诉讼。该诉讼目前已向加利福尼亚州北区地方法院提起。 英诺赛科是一家国内氮化镓(GaN)IDM企业，全球首
2024-03-21 11:00:361246 
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司近日正式向香港证券交易所递交了首次公开募股（IPO）的上市申请，标志着这家全球氮化镓功率半导体领域的领军企业正式迈出了登陆资本市场的重要步伐。
2024-06-15 09:50:031456 在半导体行业的快速变革中，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司以卓越的氮化镓产品，已发展成为全球领先的第三代半导体高新技术企业。近期发布的招股书数据显示，英诺赛科不仅在多个应用领域获得了客户的广泛认可
2024-07-08 12:53:04785 诺赛科）在现有诉讼基础上，追加了新的诉讼请求，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项与氮化镓（GaN）技术相关的专利。此外，英飞凌今日还向美国国际贸易委员会（USITC）起诉，就前述诉讼所涉的四项相同专利提出法律索赔。 英飞凌正在寻求美国专利侵权永久禁令
2024-07-29 13:41:52751 全球首条6英寸Micro LED量产产线在珠海正式投产！京东方华灿Micro LED晶圆制造和封装测试基地项目投产仪式在珠海金湾区举行。该项目是全球首个实现规模化量产的Micro LED生产线，也是
2024-11-10 13:43:431589 ，已成为推动功率半导体行业转型升级的核心力量。 在这一领域，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)凭借其深厚的技术底蕴和前瞻性的战略布局，成功跻身行业领先地位。作为公认的头部企业，英诺赛科在功率半导
2024-12-25 13:49:05923 近日，国内氮化镓功率半导体领域的佼佼者——英诺赛科(苏州)科技股份有限公司，在香港联合交易所主板成功挂牌上市。此举标志着国内氮化镓半导体第一股正式诞生，为行业树立了新的里程碑。 英诺赛科作为一家
2025-01-02 14:36:301522 近日，全球氮化镓(GaN)功率半导体领域的佼佼者英诺赛科(2577.HK)成功登陆港交所主板，为港股市场增添了一枚稀缺且优质的投资标的。 英诺赛科作为全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358 2025 年3月19日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（香港联交所代码：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化镓（GaN-on-Si）芯片制造及电源解决方案企业。 今日，英诺赛科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 科在中国的制造产能。 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司 意法半导体 （简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业 英诺赛科 ，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各
2025-04-01 10:06:023811 
英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。
英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck
2025-05-12 14:00:001145 
4颗英诺赛科合封氮化镓器件ISG6121TD，峰值效率高达99.03%。其逆变测试效率也达到了98.95%，在节能表现上遥遥领先。
2025-06-23 10:34:002706 
关系 ，正式启动并持续推进业内领先的 8英寸硅基氮化镓技术生产。 纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电8B厂的
2025-07-02 17:21:091548 
诺赛科作为全球首家实现大规模量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的企业，在技术和产能方面一直处于行业领先地位。目前，其每月的 8 英寸晶圆产能已达到 13000 片，而根据最新的扩张计划，到今年年底，这一数字将提升至 20000 片，增幅高达
2025-07-17 17:10:59678 近日，氮化镓领域的领军企业英诺赛科与全球领先的汽车电子系统供应商联合电子宣布，双方携手成立氮化镓（GaN）技术联合实验室。这一合作旨在充分发挥氮化镓器件在高功率密度、低导通电阻、高转换效率以及产品
2025-07-31 17:14:13887 
）控告英诺赛科（Innoscience）关于氮化镓（GaN）技术专利侵权的一审判决中，判定英飞凌胜诉。该案的核心是英诺赛科未经授权使用了英飞凌受专利保护的氮化镓（GaN，以下同）技术。氮化镓技术在实现高性能及高能效的电源系统中发挥着关键作用，应用范围广泛涵盖可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动
2025-08-04 18:28:251668 、全国首条工艺设备配套齐全的压电MEMS量产线正式投产，在半导体领域引发广泛关注。 据悉，华鑫微纳8英寸MEMS晶圆生产线项目由安徽华鑫微纳集成电路有限公司投资建设，总建设投资达50.6亿元，占地约79亩，总建筑面积约6万平方米，定位
2025-10-16 18:25:022136 与节能系统电源及传感解决方案领导者之一 Allegro ，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商 英诺赛科 (Innoscience) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计 ，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方案有望重新定
2025-11-25 16:28:32923 
安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美
2025-12-11 17:47:04656
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