54%关税之后，我们才看懂ST和英诺赛科这场GaN合作的真正价值

近日，美国宣布对全球大多数进口商品加征10%基础关税，并对包括中国在内的多个国家追加“对等关税”，将中国商品综合税率推升至54%。中国随后反制，扩大关税覆盖面并收紧部分关键材料出口。

地缘风险和全球制造成本被再次推上台面。

对于高度依赖全球制造网络的半导体行业而言，这一轮政策调整不仅抬高了成本，也将“在哪里制造”成为影响定价结构与交付路径的核心变量。

就在政策正式公布前三天，意法半导体(以下简称“ST”)与英诺赛科宣布在GaN功率器件领域达成制造合作：ST将在中国使用英诺赛科的晶圆产线生产其产品，英诺赛科则将借助ST在欧洲的产线完成自身晶圆制造。

这是一种由两家IDM建立的前端制造协作方式，不仅打通了制造资源的双向使用，也在工艺流程、产线认证和区域部署上实现了结构互认。

它所呈现出的，不只是制造路径的重组，更是一种能力形态的变化：制造能力正从单纯的产能调度，演变为企业能否在成本波动、政策不确定与交付挑战中保持持续出货能力的基础结构。

这种结构能力，正在被越来越多企业视作“制造自由”——指的是制造资源能否按需部署、灵活切换，并在不同制度环境下实现稳定交付。

在这样的语境下，ST与英诺赛科的合作提供了一个清晰样本。

01 54%关税之后，制造自由成为供应链第一变量

2025年4月2日，美国政府宣布对除美加墨外的大多数进口商品加征10%的基础关税，并对包括中国在内的60多个国家追加“对等关税”，中国输美商品的综合税率被推升至54%。政策发布当天即生效，美国海关同步调整通关程序，加快税率结算并限制暂缓执行条款。

两天后，中国予以反制。自4月10日起，对原产于美国的所有进口商品加征34%关税，并对部分关键技术和材料加强出口管制，调整配额审批机制，扩大不可靠实体清单。

与过往围绕特定品类或双边关系的贸易摩擦不同，这轮关税措施呈现出三个特征：波及范围广，执行效率高，政策穿透深。不仅对制造环节本身构成价格压力，更对供应链结构带来连锁影响。

在这一轮关税背后，真正被重新定价的，是“制造在哪里”这件事。

半导体行业尤其敏感。晶圆制造、封装测试、模组整合和终端交付常常分别位于不同国家和地区，制造路径天然跨境。在这种结构下，路径上的每一次区域切换，都可能引发税率重算、通关流程重排、成本结构再配置。

而几乎所有半导体产品的制造与交付路径都高度全球化。一旦制造地进入关税敏感区，其背后的成本结构就可能被政策直接改写。

制造路径能否具备跨区调配的灵活性，是否可以对冲制度性波动，开始成为定价策略和交付节奏的前提约束。

02 IDM互为制造? ST与英诺赛科打破了什么结构

而就在美国关税政策落地前三天，一场看似常规的制造合作，预先搭建了一个可配置、可调度、可背书的制造路径。

在地缘博弈推动制造成为核心变量的当口，ST与英诺赛科在GaN领域的合作应当被重新审视。它所触及的制造协作方式，正在构成一个新的结构信号。

根据官方新闻稿，双方将在氮化镓(GaN)功率器件领域展开技术开发与制造协作，其中最引人注目的条款，是制造产能的“双向使用”：ST将利用英诺赛科在中国的晶圆产线生产其GaN器件，而英诺赛科也将借助ST在中国以外的制造设施完成自身产品的生产。

这不是一次常规的供应链配套，它明确地将制造能力彼此开放，并跨越了地理和政策的边界。

这一模式的特殊性在于——它发生在两个IDM之间。过去，IDM体系内部的制造资源几乎都是自用闭环，即使偶有产能共享，也多集中于封测环节。

而此次合作直接打通的是前端晶圆制造，在晶圆工艺、质量认证、产线标准化方面必须高度对齐。这种跨IDM之间的制造背书，尚属首次。

从制造结构角度看，这种协作打破了两个边界：

一是制造资源的使用权边界：制造不再是“自己造”，而是“谁能为我造、造得出我标准的产品”;

二是制造地的制度边界：产能配置不再依附于总部所在国或主要市场，而是面向全球构建可部署的路径组合。

这也意味着，制造的“信任机制”正在发生变化。从以往的“工厂是否可控”，演变为“制造能力是否可验证、可复用、可转移”。工艺标准化、品控流程一致性和交付信任机制，将成为制造协作能否走出企业边界的必要前提。

ST与英诺赛科这场合作，不只是产能补位，而是在制造路径地理分布与工艺层结构层面，为“制造自由”提供了一个现实可行的操作样本。它展示出，即使在IDM之间，只要标准一致、认证互通，也可以实现跨制度、跨区域的产线协同。

这不仅缓解了个体产线负荷问题，更建立起在全球制造不确定性加剧背景下，一种具备可调性与可背书能力的交付体系。

03 制造自由≠自建产线，是制造网络的信任可控分布

在此次关税调整之后，制造路径的地理分布与政策暴露度，已从后台参数变成订单配置的一部分。制造不再只是技术问题，而是能否建立结构冗余、应对政策波动的能力。

在过往的IDM逻辑中，制造是一种封闭资产，是企业技术能力和产能规模的象征;而在Fabless体系中，制造则是被外包的、标准化的、可调度的。而当制造路径遭遇政策高压与地理敏感，这两种传统范式正在GaN赛道上显露出新的张力。

ST与英诺赛科的GaN制造合作，提供了一种不同的路径参考：不是单纯扩产，也不是彻底外包，而是“双IDM间制造互信+地理互补”的柔性协同模式：

ST将自身GaN产品的部分前端产能交由英诺赛科位于中国的晶圆线制造;

英诺赛科则获得ST位于中国以外产线的支持，为其全球客户预留政策弹性;

双方保留设计自主与产品差异化，在制造流程上建立互认，意味着制造节点可以跨境调度、产出具备交付背书，且不干扰各自产品节奏。

这种模式的关键在于：它不是把制造变成一项固定资产，而是将制造能力嵌入一个可调用、可互认、可跨区信任交付的网络中。

这对当前的国产GaN企业，是一次现实镜像：

大多数厂商已完成从设计突破到量产落地的第一跃迁，下一步的挑战不是“能不能做出来”，而是“做出来的东西能不能被接受”;

高压功率器件对制造合规性要求极高，稳定产线、认证机制、制造签名都是出货门槛;

“出海”不只是把产品寄出去，更是要构建一条能被终端客户与政策体系信任的制造路径。

ST与英诺赛科的合作提供了一种可能路径：

在制造资质尚未完全建立前，是否可以通过结构性协作，构建“部分制造外派 + 全球制造联保”的中间模式?

是否可以让“出海制造”从高门槛能力，变成可配置的交付组件?

制造自由的价值，在过去或许只是优化手段，而在今天，则是对抗政策变量的前提机制。制造能力是否具备结构弹性，能否在政策变量下完成交付，正在成为全球制造体系的基本能力要求。

这场由54%关税放大的冲击，也正在把“制造自由”的问题推向整个半导体产业链的决策核心。

这场合作带来的启示，也许不只局限于GaN，更属于每一个正在重构制造路径的半导体企业。

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审核编辑 黄宇