GaN芯片制造商英诺赛科计划香港上市
近日，有消息透露，英诺赛科公司正筹备在今年内赴香港进行首次公开募股（IPO），预计融资规模将达到约3亿美元。
英诺赛科，这家成立于2015年12月的高新技术企业，专注于第三代半导体硅基氮化镓的研发与产业化。公司独具匠心地采用IDM全产业链模式，将芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析等关键环节融为一体。值得一提的是，英诺赛科已拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力，这一优势使其在行业内脱颖而出。
此次IPO不仅标志着英诺赛科在资本市场上迈出了重要一步，也预示着其将进一步推动硅基氮化镓技术的研发与应用，为半导体产业的创新发展注入新动力。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
463文章
54373浏览量
468982 -
GaN
+关注
关注
21文章
2382浏览量
84328 -
英诺赛科
+关注
关注
3文章
60浏览量
11056
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
英诺赛科产品完成谷歌AI硬件平台导入 并签订供货协议
电子发烧友网报道 英诺赛科公布，公司旗下相关产品已完成了在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并签订了合规的供货协议。这再次彰显了公司在技术先进性、产品性能和质量等方面在氮化镓行
97% 效率 + 130W/in³！英诺赛科×Allegro 推4.2kW全GaN PSU方案
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）上个月，英诺赛科和Allergro联合推出了一款4.2kW的全GaN数据中心PSU参考设计，整体数据非常亮眼，
6.6kW GaN OBC来袭！联合动力携手英诺赛科，有何杀手锏重塑车充新标杆？
近日，国内功率半导体厂商英诺赛科再传好消息。12月9日，中国智能电动汽车部件及解决方案提供商苏州汇川联合动力系统股份有限公司与
美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (
安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英
Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
与节能系统电源及传感解决方案领导者之一 Allegro ，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商 英诺赛科
纳芯微与联合电子、英诺赛科签署战略合作协议
近日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英
第三代700V GaN上市！英诺赛科上半年营收大增43.4%，机器人和数据中心应用破局
报披露，英诺赛科营收增长，主要是氮化镓应用领域持续拓展，从数据来看在氮化镓（GaN）市场拓展和成本控制上都有了进展。
慕尼黑法院判决英飞凌控告英诺赛科专利侵权案胜诉
）控告英诺赛科（Innoscience）关于氮化镓（GaN）技术专利侵权的一审判决中，判定英飞凌胜诉。该案的核心是
英诺赛科与联合电子成立 GaN 技术联合实验室
近日，氮化镓领域的领军企业英诺赛科与全球领先的汽车电子系统供应商联合电子宣布，双方携手成立氮化镓（GaN
54%关税之后，我们才看懂ST和英诺赛科这场GaN合作的真正价值
制造成本被再次推上台面。 对于高度依赖全球制造网络的半导体行业而言，这一轮政策调整不仅抬高了成本，也将“在哪里制造”成为影响定价结构与交付路径的核心变量。 就在政策正式公布前三天，意法半导体(以下简称“ST”)与
英诺赛科产能再扩张：年底8英寸晶圆月产将破2万片
近日，氮化镓行业的领军企业英诺赛科正式对外宣布，将进一步扩大其 8 英寸晶圆的产能。这一消息在半导体领域引发了广泛关注，标志着英
7月直播预告 | 英诺赛科、恩智浦、罗姆、英飞凌、广闳科技与您相约大大通直播间
大大通直播专区携手英诺赛科、恩智浦、罗姆、英飞凌、广闳科技等原厂，推出5场精彩线上直播，为您带来最新技术分享与行业洞察。
英诺赛科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW双向PFC电源方案，助力智能电网高效发展
英诺赛科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW双向PFC电源方案，以其高效、节能的特性，为智能电网提供突破性支持。
该方案采用AC-DC无桥图腾柱PFC拓扑，设计紧凑，支持
评论