英飞凌诉英诺赛科专利纠纷，涉及GaN功率半导体

芯片巨头英飞凌今日宣称已在美国法庭发起针对中国同行英诺赛科的专利诉讼，涉及与其氮化镓（GaN）技术相关的重要美国专利。作为全球领先的氮化镓供应商，英飞凌贵在于此先进技术。GaN是优秀的宽体材料，拥有卓越的开关性能，可打造出更为紧凑高效且经济实惠的电力系统。

英飞凌现已通过下属子公司英飞凌科技奥地利公司，正式状告位于珠海的英诺赛科、以及其在美分支机构涉嫌侵犯有关GaN技术的美国专利，寻求永久禁令。据悉，该专利覆盖GaN功率半导体的核心部分，和英飞凌专有的GaN器件的可靠性和性能息息相关。诉讼已被提交至加利福尼亚州中区地方法院审理。

英飞凌在起诉书中指责多个产品侵犯了其在美国范围内的广泛专利权，涉及汽车、数据中心、太阳能、电动机驱动和消费电子等应用领域中的GaN晶体管制造及运营。公司方面强调，这些行为未经许可，可能给消费者和社会带来潜在的危害。

英飞凌公司电源与传感器系统部门的总裁Adamwhite表示，GaN功率晶体管的生产需依赖全新的半导体设计和工艺，经过多年的实践和积累，已经无可争议地成为了行业领导者。公司坚持保护自身知识产权，以确保客户和最终用户的权益。众所周知，多年来，英飞凌在与GaN技术相关的研发、产品开发和制造上投入巨大。公司仍将不断加大力度维护自己的知识产权，以此来保护历年所累积的宝贵投资。

值得一提的是，日前，英飞凌顺利完成对于GaN Systems的收购，成功跻身业内前茅，巩固了其在功率半导体领域的领先地位。目前，英飞凌以逾350个专利族的实力雄踞行业领军者之席。据市场分析师预测，至2028年，低压大电流应用的GaN收入将保持高达49%的复合年均增长率，有望突破20亿美元的新高。