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电子发烧友网>存储技术>Intel大连公司破记录 QLC 3D NAND存储芯片产量突破1000万

Intel大连公司破记录 QLC 3D NAND存储芯片产量突破1000万

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2020-10-22 15:17:263852

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

上,TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲,详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:444306

不要过于关注3D NAND闪存层数

    NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583

英特尔发布固态盘 670p: 144 层 QLC 3D NAND,全新主控

12 月 16 日消息 根据英特尔官方的消息,在今天的 2020 英特尔内存存储日活动上,英特尔正式发布了英特尔固态盘 670p,采用了英特尔下一代 144 层 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066

Intel全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒

近日,Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品,不过对于主控芯片Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737

长江存储或将2021年存储芯片产量提高一倍

据媒体报道,长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10片晶圆,并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片,最快将于2021年中试产,不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。
2021-01-12 14:47:015916

回顾长江存储3D NAND技术的发展进程

日前,有媒体报道称,消息人士透露,长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10片晶圆,并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片,不过为确保量产芯片质量,该计划有可能会被推迟至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

长江存储即将试产第一批 192 层 3D NAND 闪存芯片

长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到 10 片晶圆,约占全球总产量的 7%。并准备试产 192 层 NAND 快闪记忆体晶片。这将有助于长江存储缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉,三星电子目前每月约生产 48 片晶圆,而美光的月产能约为 18 片。
2021-02-14 09:21:009270

长江存储计划今年将产量提高一倍

此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。
2021-01-17 10:19:203430

盘点2020年存储行业十大事件

2020年4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,这也是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存。同年8月14日,长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片在紫光集团展台上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

存储芯片将走向何方?存储芯片的分类

应用了闪存堆叠技术的3D NAND Flash的出现,比以往的2D NAND Flash提供了更大存储空间,满足了业界日益增长的存储需求,因而成为主流。
2023-04-10 17:35:172618

QLC固态硬盘将成企业新宠!和Solidigm高管探讨未来企业级存储发展趋势

无独有偶,SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm,很快又发布了同样基于QLC闪存的全新企业级产品P5-D5430,再次引发了“QLC取代TLC”的话题讨论。据悉,P5-D5430采用大连Fab 68工厂出品的192层堆叠3D QLC闪存芯片(该厂的QLC产品占40%以上)
2023-06-13 16:16:001465

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。
2024-03-17 15:31:392376

铠侠瞄准2027年:挑战1000层堆叠的3D NAND闪存新高度

在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后,铠侠的两座日本工厂生产线开工率已提升至100%,同时上周还公布了其令人瞩目的3D NAND闪存技术路线图计划。
2024-06-29 09:29:371369

首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

国产存储芯片发威!内存条价格杀疯了!果链惊现国产3D NAND

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)根据 IC Insights 统计,2020年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元,其中DRAM和NAND Flash市场规模较大,占比分别为53%和44
2022-04-17 15:21:466469

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:008061

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