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电子发烧友网>存储技术>紫光重庆建设工厂 DRAM内存将在5年内量产

紫光重庆建设工厂 DRAM内存将在5年内量产

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2020-09-23 16:23:00974

Gartner发布五个新兴趋势,将影响未来十年内的技术和社会

Gartner 2020新兴技术成熟度曲线主要突出了30项技术概况,它们将在未来五到十年内对社会及商业模式有显著改变。
2020-10-28 16:57:442738

EUV工艺已拉响战局 美光计划在2021持续加码投资DRAM

,进一步扩大先进技术的量产规模。 图源:美光 美光 2021 A5建设计划主要彰显了美光对 DRAM 未来发
2021-02-27 12:09:393676

特斯拉的柏林工厂将在年底前获得最终建设许可

据国外媒体报道,作为特斯拉的第四座超级工厂,特斯拉的柏林工厂将在2020年年底前获得最终的建设许可。
2020-11-04 09:29:031747

嘉合劲威将在2021率先实现DDR5内存量产

,2021 将在深圳坪山率先实现 DDR5 内存量产。 参数方面,新一代的内存 DDR5,一个 DIMM,两个通道,将具备更快的速度,有望达到 4.8Gbps 的速度,比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:362487

DDR5内存将在明年实现量产

DDR4内存占据主流地位已经有差不多5的时间了,算算迭代的速度,DDR5也该来了,而国内存储品牌的龙头之一,嘉合劲威最近也是宣布,正在积极引入DDR5内存技术,将在2021于深圳坪山率先实现DDR5量产
2020-12-09 10:19:553059

Facebook正在研究接口,3到5年内投放市场

Facebook正在研究未来的接口,包括那些使用脑信号的接口。其现实实验室(Facebook Reality Labs)的负责人安德鲁博斯沃思(AndrewBosworth)说,相应的产品将3到5年内到来。他预测,在20年内,意图将不仅能转化为运动,还可以解释为抽象的目标。
2021-01-18 09:56:422137

SKI投73亿扩建匈牙利电池工厂 将在2028完成建设

    摘要 SKI表示,匈牙利第三工厂是一个长期项目,将在2028完成建设,总投资约为2.6万亿韩元(约合人民币150亿元)。 外媒报道称,SKI宣布对旗下匈牙利子公司SK Battery
2021-02-02 09:50:312553

开始供不应求!2021DRAM内存将全面涨价

DRAM内存从2018进入周期性下跌,经过两多的低潮期之后,内存市场在2020底开始止跌,部分产品甚至开始涨价。 内存涨价的主要原因在于三星、美光、SK海力士、削减内存产能,预计从2021年内存
2021-02-05 18:18:518548

重庆市委常委一行到访参观紫光集团(重庆)数字工厂

4月11日,重庆市委常委、两江新区党工委书记段成刚一行到访参观紫光集团(重庆)数字工厂紫光股份有限公司董事长于英涛陪同参观,并就紫光集团卓越的创新能力、研发实力与重庆数字工厂建设情况进行汇报交流。
2022-04-12 11:17:002736

三星计划:3年内实现2纳米量产

10月19日,韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上,三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略,宣称将在未来3年内量产2纳米
2023-11-01 15:07:53988

SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

SK海力士考虑新建DRAM工厂

SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士HBM4E内存2025下半年采用32Gb DRAM裸片量产

值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c nm DRAM量产,而美光则需等到明年。新一代颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。
2024-05-14 14:56:271657

美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

据悉,新厂将采用EUV光刻机技术,并计划在2025量产的下一代1-gamma(nm)节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期,新厂有望具备生产1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。
2024-05-28 15:06:371352

美光将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027底或将竣工

美光近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027末实现先进DRAM量产
2024-05-28 16:38:401923

美光科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

近日,美国芯片巨头美光科技宣布了一项重大投资计划。据悉,该公司将在日本广岛县建设一家全新的DRAM芯片工厂,预计总投资将达到6000至8000亿日元。
2024-05-29 09:16:201203

京东方加速OLED产能布局,B16工厂预计2026量产

京东方(BOE)在OLED面板领域再迈重要步伐。据最新报道,京东方计划新建的OLED面板工厂B16已选址四川成都,并于今年3月下旬正式破土动工。该工厂建设进展迅速,预计将在2024完成主体厂房建设,随后于20259月搬入生产设备,最终在2026实现8.6代OLED面板的量产
2024-05-29 14:49:0719173

美光科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

近日,美光科技宣布,将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂,预计最早于2027底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至8000亿日元之间,体现了美光对于日本市场及全球半导体产业的坚定信心。
2024-05-31 11:48:231570

美光日本广岛DRAM新厂预计2027量产

全球知名的DRAM大厂美光,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,美光计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工厂。这一项目预计将在2026初破土动工,最快有望在2027底前完成厂房建设、机台设备安装,并正式投入营运。
2024-06-14 09:53:101341

美光将在西安工厂率先启动LPCAMM和MRDIMM内存模组量产

据最新韩媒报道,全球领先的半导体存储解决方案供应商美光科技已决定在中国西安的工厂率先启动LPCAMM(低功耗客户异步内存模组)和MRDIMM(多排名直接内存访问内存模组)的量产计划。这一战略部署标志着美光在推动内存技术革新与产能扩张方面迈出了重要一步。
2024-09-02 16:42:041337

国产内存量产DRAM芯片产业发展提速!

近两,国内存储产业发展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,长江存储、合肥长鑫相继宣布64层3DNAND量产、DDR4内存芯片量产,实现从0到1的突破。 今年,基于长江存储64层
2020-07-14 09:26:5712533

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