日本科研团队研发了一种新型存储器STT-MRAM

（文章来源：米粒科技）

在这个信息时代，数据无疑是重中之重的，不仅获取数据的性能十分重要，用来存储数据的存储器也被人们渐渐的重视起来。许多关于数据的重要操作的实现，都是在数据能够存储起来的前提下发生的，如果没有存储器把这些数据保存起来，那么对数据的处理和分析都是不可能实现，因此科学家们也一直在研究，怎样改进存储器，让它变得更快、更安全，足以适应未来海量数据的存储需求。

目前，日本的一个科研团队就研发了一种存储器STT-MRAM，它的存储密度超过了128Mb，并且写入速度是世界上最快的，可以达到14纳秒，光是想想，这个速度就已经很恐怖了。你可能会好奇，有必要研究这么变态的速度吗？其实是有必要的，现在其实已经有互联网和人工智能相关的人员抱怨，数据太多而存储器性能跟不上，导致存储器拖了产品后腿的情况发生了。而且现在科技发展得那么快，对数据进行采集和分析的工作量肯定会继续增加，需要存储的数据也会越来越多，只有研发出写入速度足够快的存储器，才不会让存储技术成为这些技术的短板，因此研究写入速度这么快的存储器，是很有必要的。

而且这种存储器除了写入速度特别快之外，还有一个优点，那就是在速度和数据的平稳性做得非常好。要知道，现在的两种主流存储技术——RAM和FLASH，简直是在逼人2选1 ，要么选择速度，然后数据特别容易丢失，要么选择数据的安全性，但是那写入速度简直是乌龟速度。

科学家们对此当然觉得不满，于是他们就想，能不能让一种存储器，做到既有很快的速度，又能保证数据不那么容易丢失呢？在这样的期望之下，STT-MRAM就诞生了，它不仅速度快，还不会像RAM那样，一断电就丢失数据；同样是能保护数据不丢失，但是它的速度却是FLASH的十万倍左右，而且还省电得多，难怪科学家们对它寄予厚望，认为它可以在未来成为主流了。

那么STT-MRAM的原理是什么呢？为什么它可以做到这么快，又能保护数据呢？原来电子会在自旋极化电流的时候进行翻转，科学家们就利用这个原理，在STT-MRAM中，就用STT隧道结来形成磁性自旋电流，然后就可以让磁矩改变方向。就这样，数据通过一系列的转换，就能以磁的状态存在，因此可以有很好的安全性，不至于一断电就没了。而且因为这个的转换过程很快，因此存储器的写入速度可以达到了一个很恐怖的速度——14纳秒，足以应对海量数据。除了上面的优点，这种存储器还有其他额外的优点，比如可靠性高，读写次数高，寿命长等等。难怪网友们听说了之后，都对这种技术很感兴趣，还有人说，是时候换硬盘了。

小编认为，STT-MRAM的出现，意味着存储器技术又前进了一大步。也许以后，选择使用RAM和FLASH的人会变得越来越少，到那时，大部分人会更乐意选择STT-MRAM这种速度和安全性兼顾的存储器。不过，目前这种产品还没有量产，期待它普及的那一天。