芯片制造商Netsol推出STT-MRAM
STT-MRAM是一种先进的磁阻，它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器，是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。
STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造，得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺，Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。大规模生产STT-MRAM，在从物联网到医疗和汽车的广泛行业提供替代品。
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb，具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。数据保存期10年，拥有无限读取耐力，写入耐力1014，无需外部ECC，工业标准引脚及封装8WSON、8SOP。样品测试及规格书详情联系代理英尚微电子。
Netsol串行MRAM
| Part Number | Density | Interfaces | VDD(V) | Frequency(MHz) SDR/DDR | Temperature | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S3A1004V0M | 1Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A1004R0M | 1Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A2004V0M | 2Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A2004R0M | 2Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A4004V0M | 4Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A4004R0M | 4Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A8004V0M | 8Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A8004R0M | 8Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A1604V0M | 16Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A1604R0M | 16Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A3204V0M | 32Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 2.70~3.60 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
| S3A3204R0M | 32Mbit | Single/Dual/Quad SPI | 1.71~1.98 | 108Mhz/54MHz | -40℃ to 85℃ | 8WSON, 8SOP |
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
447文章
47804浏览量
409173 -
MRAM
+关注
关注
1文章
231浏览量
31582
发布评论请先 登录
相关推荐
MCU制程工艺迈进28nm时代，汽车行业的创新之路
瑞萨日前宣布，公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造，包括一个 10.8Mbit嵌入式
发表于 03-05 10:05
•367次阅读
最高额！芯片制造商格芯将获美国15亿美元补贴
2月20日消息，据外媒报道，当地时间周一，美国政府表示，作为美国《芯片与科学法案》的一部分，它打算向芯片制造商格芯提供15亿美元资金，用于支持该公司扩大其在纽约和佛蒙特州的芯片生产。
Molex推出Easy-On FFC FPC连接器产品介绍-赫联电子
Molex(莫仕) 宣布推出两款 FFC/FPC 连接器，其设计可满足汽车制造商与电视显示器制造商对信息市场不断增长的需求，并且满足设计人员对小螺距、高可靠性连接器的需求。Easy-On FFC
发表于 01-29 12:32
台积电引领新兴存储技术潮流，功耗仅为同类技术的1%
MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
发表于 01-22 10:50
•146次阅读
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片
据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功
台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM，功耗仅为STT-MRAM的百分之一
鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
APTC成为美芯片制造商的供应伙伴
韩国晶圆蚀刻设备优质制造商 APTC 今日宣布，已成功与一家美国芯片制造商达成供应协议。APTC首席执行官 Choi Woo-hyung 指出，成为合作伙伴是双方在设备供应领域深度对话的基础。
RAM和NAND再遇强敌， MRAM被大厂看好的未来之星
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM
发表于 11-22 14:43
•268次阅读
混合NVM/DRAM平台上的内存带宽调节策略
随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
数据记录应用STT-MRAM芯片S3R1016
MRAM在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
三种不同的存储芯片性能比较
为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
芯片设备制造商准备迎接苦日子
来源：半导体产业纵横，谢谢 内存市场对芯片制造设备公司的影响开始展现。 编辑：感知芯视界 九大芯片设备制造商中有七家可能在本季度出现销售额下滑，因为他们的客户在半导体市场恶化的情况下收
Netsol并口STT-MRAM非易失存储S3R8016
其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
工商网监
评论