致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技术的全新
2012-11-21 15:59:52
1379 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061450 美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 推出用于IEEE 802.11ac （亦称作第五代Wi-Fi）无线接入点和媒体设备的5 GHz功率放大器（PA） LX5509
2012-12-18 13:31:421325 Microsemi宣布提供新一代工业温度碳化硅（silicon carbide，SiC）标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
2013-01-25 11:50:121464 集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块
2015-10-14 09:52:222462 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 发布专门用于高电流、低导通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模块的极低电感封装。
2018-05-30 15:10:126553 用于功率转换器和逆变器的半桥配置中的硬切换是用于有效功率转换的常用技术，特别是在较高功率水平下。随着碳化硅（SiC）技术使开关速度提高，电源两端短路导致直通电流的可能性增加。从开关节点到栅极的寄生
2020-12-13 10:25:002734 为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
科锐推出新型SiC功率模块产品系列，为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。
2021-01-14 15:23:001978 功率处理能力，一直是首选解决方案。然而，在大规模MIMO系统的设计中，它们需要高偏置电压以施加反向偏置（用于提供隔离）和高电流以施加正向偏置（用于实现低插入损耗），这就变成了缺点。图3示出了一款用于
2021-05-19 09:33:41
发展。 Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）标准电源模块，非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该
2018-11-28 10:59:07
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。这些设计平台目 前针对战略客户而推出，代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
功率转换器。合作的第一个项目是为ADI隔离式栅极驱动器设计高压、高电流评估板。高功率规格（如1200 V、100 A、250 kHz以上的开关频率，可靠、鲁棒的设计）使客户可以全面评估用于驱动SiC
2019-07-16 23:57:01
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85
2018-11-29 14:35:23
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
。在其他设计中REF还可以用于给版上其他IC或器件进行供电。LM5036的双路PWM（5）输出带有2A的驱动能力，在评估板设计中直接驱动半桥的功率管而不需要额外的驱动电路。LM5036的双路同步整流
2019-08-23 04:45:06
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
半桥焊机（IGBT /二极管）器件选择指南评估板。各种拓扑结构，包括两个SW正向，半桥和全桥，已用于低压/大电流DC-ARC焊接机，以最大限度地提高系统效率并提高效率。在这些拓扑结构中，半桥最常用于小型，低于230A的焊接机
2020-04-13 09:52:57
用于半桥谐振变换器的FSFR1600功率开关（FPS）的典型应用。 FSFR系列包括专为高效半桥谐振转换器设计的高度集成的功率开关
2020-06-15 15:14:47
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模块为xEV应用提供性能。因此，设计工程师可以期望： 具有高功率密度，可减小系统尺寸; 提供更高的电源效率; 提高电池利用效率
2023-02-20 16:26:24
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工业级全碳化硅（SiC）半桥功率模块，专为高功率密度、极端高温环境
2025-03-17 09:59:21
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科锐）生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块，致力于高功率、高效化技术应用打造
2025-06-25 09:13:14
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC评估板的长X宽X高 为208mmX89mmX40mm，从图中可以看出比一个计算器大不了太多。因为该评估板的最大额定输出功率为3.3kw，所以它的功率密度是相当高
2020-07-20 09:04:34
概述：GR6953是一款半桥控制与驱动功率集成电路。双列直插8脚封装。它是专门为电子镇流器开发的半桥控制与驱动功率集成电路 (内含功率场效晶体管）
2021-04-22 07:26:43
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
NCP1083QBCGEVB，高功率PoE-PD模块评估板。 NCP1083是安森美半导体大功率HIPO以太网供电设备（PoE-PD）产品系列的成员，代表了一种强大，灵活且高度集成的解决方案，适用于
2020-05-20 09:49:36
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W镇流器评估板。 NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET，这些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
XM3半桥电源模块系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）电源模块平台，专为电动汽车、工业电源和牵引驱动等高要求应用设计。XM3半桥电源模块系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
。碳化硅有优点相当突出。是半导体公司兵家必争之地。应用场景;评估板采用常见的半桥电路配置，并配有驱动电路、驱动电源、过电流保护电路及栅极信号保护电路等评估板的主要特点如下： 可评估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
项目名称：全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划：申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验，曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统，通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
的1.2kV全SiC功率模块的外观，该模块为两单元半桥结构，每个单元由SiC的MOSFET和SiC的SBD组成。在新的APS系统中会用到7只该功率模块，其中4只用于H桥MOSFET整流器，另外3只用于三相
2017-05-10 11:32:57
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
。目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
2021-11-29 07:42:30
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器，集成了辅助偏置电源，为电信，数据通信，工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2022-11-10 06:28:59
得益于 SiC功率模块的低开关损耗和由此产生的高开关频率。此外，变压器使用带状绕组来实现低漏感和强制风冷。中频变压器及其尺寸如图2所示。由此产生的漏感和磁化电感以及DAB参数如表1所示。漏感是一个关键参数
2023-02-20 15:32:06
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
EVAL-CN0196-EB1Z，H桥驱动器评估板，采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥，其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
客户的新一代功率转换器设计具备高性能、高可靠性和市场竞争力，ADI公司已决定开发各种硬件和软件设计平台，其既可用于评估IC，又可作为完整系统的构建模块。这些设计平台目前针对战略客户而推出，代表了驱动
2018-10-22 17:01:41
TI与Lemnis Lighting联合推出LED照明驱动器参考板
德州仪器 (TI) 联合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED 照明驱动器参考板，帮助解决成本、调光以及效
2010-04-14 16:56:25745 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础
2011-07-06 09:11:50992 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前发布全球首款单芯片、标准化同步以太网(SyncE)解决方案。
2012-02-02 09:27:41914 Redpine Signals, Inc，近日宣布推出业界首款适用于M2M市场的集成式、低功率Wi-Fi模块。该模块有很多针对Wi-Fi Direct和Enterprise security的全新功能。
2012-03-28 16:03:111111 ADI携手柏恩斯（Bourns）公司近日推出业界首款通过认证的RS-485评估板EVAL-CN0313-SDPZ，用于保护工业和仪器仪表设备不受EMC（电磁兼容性）损害。
2013-03-01 10:24:132473 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出IRSM808-105MH和IRSM807-105MH，以扩充正在申请专利的高集成、超小型µIPM功率模块。两款新产品都针对马达功率高达300W的高效家电和轻工业应用做出优化。
2013-11-04 17:53:481986 致力于提供大功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 宣布推出全新Timberwolf™数字信号
2014-09-22 10:27:591384 日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
2015-09-06 17:39:111816 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1314691 6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑，一般的大功率应用可以采用并联连接来提高输出功率。高电压功率模块在高频下运行，需要考虑模块自身的寄生电容、寄生电感和寄生阻抗等。3D电磁
2018-09-13 15:04:126799 近日，据国内媒体报道，一款由猎豹移动与多点Dmall联合推出的超市机器人，在北京物美联想桥店内上岗。
2018-12-04 09:59:01795 视频简介：DC-DC转换器设计人员正设法减少设计的尺寸/提高输出功率。在本视频中，我们将为您介绍行业首款100 V桥式功率级模块FDMF8811，能以紧凑的、集成的MOSFET及驱动器功率级方案实现更高输出功率的DC-DC转换器，用于DC-DC开关应用。
2019-03-04 06:19:007797 
带Microsemi模块的栅极驱动器板
2019-08-15 06:15:002726 本视频展示了一个评估板上的ADI公司高功率隔离式栅极驱动器ADuM4135。ADuM4135驱动Microsemi SiC功率模块。此评估板是ADI公司与Microsemi合作的一个范例。
2019-06-18 06:00:004966 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:502235 
CISSOID在论文中提出了一种新的栅极驱动板，其额定温度为125°C（Ta），它还针对采用半桥式SiC MOSFET的62mm功率模块进行了优化。
2019-08-05 17:07:555454 汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。
2019-08-08 10:04:355415 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。
2020-03-07 09:31:301412 据外媒报道，比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块（IPM），可用于电动出行。
2020-04-22 15:54:254520 作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:572382 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:211334 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:082522 
根据市场分析机构 Yole 预测，在未来 5 年内，SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%，SiC 行业（从衬底到模块，包括器件）的增长率非常高。在Yole看来，到 2027 年，该行
2023-02-20 17:05:162145 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:281234 
系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。
2023-09-14 19:15:141231 改变功率模块市场。通过用宽带隙碳化硅（SiC）取代标准半导体中使用的硅，它们有可能将半导体功率模块的适用性扩展到更高功率、更高温度的用例。 碳化硅不辜负其高期望，到2026年占据功率模块市场25%的份额 ^1^ ，开发人员将不得不克服几个挑战。首先，他们
2023-10-23 16:49:362060 
近日，浙江晶能微电子有限公司与嘉兴国家高新区成功签约，共同打造一项总投资约人民币10亿元的SiC半桥模块制造项目。该项目由晶能微电子携手星驱技术团队共同出资设立，专注于车规SiC半桥模块的研发与生产。
2024-02-18 17:21:572349 日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成
2024-03-08 09:15:181737 
Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:511491 新品带iMOTIONMADK的160V半桥SOI半桥驱动器驱动100VMOSFET评估套件用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板，该功率板
2024-03-13 08:13:071575 
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，
2024-04-11 09:22:271998 
SemiQ在其碳化硅(SiC)N沟道MOSFET产品组合中添加了一组全波H桥模块。这些部件专为需要高电压、高速和高功率部件的三重威胁应用而设计。它们针对超低开关损耗进行了优化，从而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:541112 
据金融界网站近期消息：江西万年芯微电子有限公司申请一项名为“紧凑型高功率半桥电路器件、PCB板及其制造方法”的专利。金融界消息称，万年芯该项专利摘要显示本发明公开了一种紧凑型高功率半桥电路器件
2024-10-22 15:16:12894 
近日，英飞凌正式发布了采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板。这款功率板模块采用了OptiMOS™ 6功率MOSFET 135V，并配备了D²PAK 7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率
2024-10-24 08:03:521298 
电子发烧友网站提供《UCC25660x半桥LLC评估模块.pdf》资料免费下载
2024-11-08 14:49:30
6 半桥功率模块（IPM）凭借其高集成度、高可靠性、布板灵活、设计与使用便捷等诸多优势，被广泛应用于无刷电机驱动领域，其中在高速风筒中的应用尤为突出。
2025-03-07 17:37:452530 
近日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。
2025-03-11 15:22:521253 
近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)，此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。纳维塔斯
2025-03-19 11:15:001257 
近日，英飞凌、三菱和Navitas分别推出了多款新型功率模块，旨在提升电动汽车及工业应用的效率和可靠性。这些优化的模块不仅能够降低能量损失，还能在极端环境下稳定运行，标志着电力电子技术的又一次进步
2025-05-06 14:08:48716 
BASiC_62mm SiC MOSFET半桥模块和驱动方案介绍
2025-09-01 15:23:110 Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于
2025-09-11 09:39:37682 
评估模块通过提供功率级、偏置功率和逻辑电路，可快速测量GaN器件开关。该评估模块可提供高达8A输出电流，具有适当的热管理（强制风冷、低频工作等），确保不超过最高工作温度。Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM不适合用于瞬态测量，因为它是一款开环电路板。
2025-09-26 11:14:31549 
芯原股份近日宣布与谷歌联合推出面向始终在线、超低能耗端侧大语言模型应用的Coral NPU IP。
2025-11-13 11:24:37448 
今日，南芯科技（证券代码：688484）宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610，可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:371531 双脉冲测试技术解析报告：国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的验证与性能评估 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源
2025-12-15 07:48:22466 
Technologies推出的EVAL_7116G_100V_SSO8通用半桥评估板。 文件下载： Infineon Technologies EVAL_7116G_100V_SSO8半桥评估板
2025-12-19 11:35:07320 评估套件，板上搭载了两个GD3160单通道栅极驱动器件。该套件旨在为工程师提供一个便捷的平台，用于评估和开发与IGBT或SiC模块相关的半桥应
2025-12-25 10:55:05246
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