半桥器件采用 TrenchIGBT 技术,可选低 VCE(ON)或低 Eoff
适用于大电流逆变级
日前,Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N组成,采用 Vishay 的 Trench IGBT 技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低 VCE(ON)或低 Eoff—降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的 Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代 FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型 INT-A-PAK 封装采用新型栅极引脚布局,与 34 mm 工业标准封装 100% 兼容,可采用机械插接方式更换。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备、发电配电和储电系统、焊接设备、电机驱动器和机器人。
为降低 TIG 焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在+ 125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07V,达到业内先进水平。
VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 适用于高频电源应用,开关损耗极低,+ 125 °C,额定电流下,Eoff仅为 1.0 mJ 。
模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650 V,集电极连续电流为100 A至200 A,结到外壳的热阻极低。
器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。
器件规格表
Vishay五款采用改良设计的 INT-A-PAK封装新型半桥 IGBT 功率模块
审核编辑:刘清
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原文标题:采用改良设计的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块,降低导通和开关损耗
文章出处:【微信号:Vishay威世科技,微信公众号:Vishay威世科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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