本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32:46
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英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。源极底置是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:082025 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:432168 
，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性
2023-10-13 13:57:362179 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:491311 
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:371464 
【 2024 年 4 月 15 日 ， 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7
2024-04-16 09:58:445848 
，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动
2024-06-18 17:51:281177 
看英飞凌的OptiMOS 7系列产品。 官网产品列表 来源：英飞凌 OptiMOS系列是英飞凌面向中低压领域的产品，产品覆盖10V到300V区间，主打一个高性能和高性价比。OptiMOS系列的特点包括极低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，适合于较高开关频率的应用，像通信应
2025-02-27 00:58:002676 
寄生导通能力 ，可在0 V关断电压下运行。此外，这些MOSFET还包含支持硬换流的强大的体二极管。封装的爬电距离和电气间隙为6.1 mm。由于采用SMD封装, 这些MOSFET可以直接集成到具有自然对流冷却功能的PCB上，因此无需额外的散热器。
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
。比如英飞凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨导跨导反映了漏极电流Id对于Vgs变异的敏感程度。9. 寄生电容MOSFET的寄生电容由三类，它们分别是门极源极电容，门极漏极电容
2018-07-12 11:34:11
很重要，所以我们将选用半桥拓扑。这种拓扑是电力电子装置最常用的拓扑之一。这些例子重点介绍了同步压降转换器——一个半桥拓扑的具体应用。共源极电感效应图1为具备杂散电感和电阻(由封装键合线、引线框以及电路板
2019-05-13 14:11:31
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
时，从结点到PCB的热阻仅为1.8°C/W。图1 PQFN底侧裸热焊盘改善电气和热性能 在封装内，两种可能的技术都可以被用来创建从裸片到封装端子之间的MOSFET源连接。利用标准后端冷却方式来连接
2018-09-12 15:14:20
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56:23
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封装不等。MOSFET额定电压范围从12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便携式设备如手机和平板电脑。它们也用于计算机、服务器、电动工具和汽车。选择合适
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，PCB布局，特别是贴片封装功率MOSFET管，要在源极、漏极管脚充分敷设铜皮进行散热。功率MOSFET管数据表的热阻测量通常有一定限制条件，如元件装在1平方英2OZ铜皮电路板上进行测量，实际应用中，源
2025-11-19 06:35:56
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19:33
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
Architect工具可对变压器、功率MOSFET、功率二极管、传输电缆等进行定制建模，而且建模信息主要利用器件手册和器件实验数据；因而定制设计的器件模型较为精确，较为真实反映器件的真实性能。 该课程主要
2017-04-12 20:43:49
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
的封装内采用更高性能的MOSFET，业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。对于大电流应用，常用的是功率6mmx 5mm封装，例如PowerPAK® SO-8。但对
2013-12-23 11:55:35
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID，对于
2016-08-15 14:31:59
，就可以将效率提高0.4%。这种消耗的降低，来源于更低的封装电阻和低至约1nH的极低封装电感。对应于40V、60V和80V的电压等级，OptiMOS 3的漏极-源极通态电阻RDS(on)分别为1.8m
2018-12-07 10:23:12
Figure 4 是具有驱动器源极引脚的 MOSFET 的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。从电路图中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
开关损耗。测试中使用的是最大额定值（RDS（on））为 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封装的产品（型号：SCT3040KL）没有驱动器源极引脚，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:442304 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:571239 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:471055 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:181196 基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22748 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351748 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:026854 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:044803 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16897 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41898 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司
2018-06-26 16:48:008541 英飞凌革命性OptiMOS产品的P沟道功率MOSFET之一，在导通电阻的开关系统设计中，能经受极高的质量考验以满足高性能的需求；加入增强模式，可根据不同应用场景选择Normal Level
2019-09-24 11:37:513853 
SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:023163 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念， 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381561 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382669 
英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:162199 
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:056085 使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:531669 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453724 未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:221708 在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，源极是控制栅极电场的参考点，它是连接到源极-漏极之间的电路，电流会从源极流入器件。通过改变栅极和源极之间的电压，可以控制源极和漏极之间的电流流动。
2023-02-21 17:52:553591 IRFH7085TRPBF英飞凌NMOS,MOSFET,HEXFET系列,Vds=60V,PQFN封装,147A,表面贴装,8引脚,Si晶体管IRFH7085TRPBF供应商
2021-12-07 13:47:301858 
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:101596 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
电子发烧友网站提供《封装外形图34引线功率四平面无引线（PQFN）塑料封装介绍.pdf》资料免费下载
2024-01-31 10:04:17
1 漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别。 首先，让我们一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:453609 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:291466 全球半导体行业的领导者英飞凌科技股份公司宣布推出一款新型封装——SSO10T TSC，该封装基于其先进的OptiMOS™ MOSFET技术，专为满足汽车电子产品中对热效率和空间利用有严苛要求的场合设计。
2024-04-15 15:49:331564 
英飞凌科技近日推出了其最新的OptiMOS™ 7 80 V系列首款产品——IAUCN08S7N013。这款MOSFET技术不仅显著提升了功率密度，还采用了通用且坚固的SSO8 5x6mm² SMD封装。
2024-05-07 15:08:071440 基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等
2024-06-26 18:12:00938 
英飞凌再次引领行业潮流，最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技术创新和卓越性价比，在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 近日，英飞凌正式发布了采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板。这款功率板模块采用了OptiMOS™ 6功率MOSFET 135V，并配备了D²PAK 7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。
2024-10-23 17:27:101205 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率
2024-10-24 08:03:521298 CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装，具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(ON)），适用于次级侧同步整流和电机控
2025-04-15 16:23:11774 
产品概述 型号 ：CSD18512Q5B 类型 ：40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33784 
mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述 型号 ：CSD18513Q5A 类型 ：40V N沟道 NexFET 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端
2025-04-16 10:54:00755 
的 AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计，可完美满足AI服务器和数据中心电源系统的严苛需求。 AONK40202 的创新源极朝下封装技术，使源极
2025-06-18 15:18:491438 
及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品
2025-10-31 11:00:59297 安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、114A连续漏极
2025-11-24 09:56:46273 
™ 7优化40V功率MOSFET.pdf 一、产品概述 英飞凌的OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET系列，采用了最新的电机驱动优化技术。该系列产品主要面
2025-12-18 14:30:06188 。今天就来详细聊聊英飞凌的OptiMOS™ 5 Linear FET 2，也就是型号为IPT017N10NM5LF2的这款100V MOSFET，看看它有哪些特性和优势。 文件下载： Infineon
2025-12-19 09:35:06504 探索 OptiMOS™ 5 汽车功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽车电子领域，功率 MOSFET 扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨英飞凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 英飞凌双栅极MOSFET 80V 48V开关板：技术解析与应用前景 在现代电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。英飞凌推出的双栅极MOSFET
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2025-12-20 10:35:06518 威兆半导体推出的VS4518AD是一款面向-40V中压场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配中压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率
2025-12-23 11:39:03236 
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