全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技（Infineon Technologies）宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结（Super Junction）构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”，由奥地利菲拉赫工厂生产。
2013-02-25 08:53:001733 本文提供了来自英飞凌的两个文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin这个单个模板中文件中包含了286个模型。
2023-12-06 11:32:46505 
本应用笔记介绍了通过利用英飞凌OptiMOS™3解决方案的优化表帮助选择最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 
基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50:081494 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431205 
单元（ECU）市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品
2023-10-13 13:57:361133 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
寄生导通能力 ，可在0 V关断电压下运行。此外，这些MOSFET还包含支持硬换流的强大的体二极管。封装的爬电距离和电气间隙为6.1 mm。由于采用SMD封装, 这些MOSFET可以直接集成到具有自然对流冷却功能的PCB上，因此无需额外的散热器。
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
。比如英飞凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨导跨导反映了漏极电流Id对于Vgs变异的敏感程度。9. 寄生电容MOSFET的寄生电容由三类，它们分别是门极源极电容，门极漏极电容
2018-07-12 11:34:11
很重要，所以我们将选用半桥拓扑。这种拓扑是电力电子装置最常用的拓扑之一。这些例子重点介绍了同步压降转换器——一个半桥拓扑的具体应用。共源极电感效应图1为具备杂散电感和电阻(由封装键合线、引线框以及电路板
2019-05-13 14:11:31
系列。3．选择无引线的封装MOSFET，降低由封装所产生的寄生电阻和电感。4．选择合适的门极驱动电阻从而抑制MOSFET的门极驱动震荡。图5中是Infineon的600V高压MOSFET ThinPAK
2018-12-10 10:04:29
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
时，从结点到PCB的热阻仅为1.8°C/W。图1 PQFN底侧裸热焊盘改善电气和热性能 在封装内，两种可能的技术都可以被用来创建从裸片到封装端子之间的MOSFET源连接。利用标准后端冷却方式来连接
2018-09-12 15:14:20
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56:23
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件在正向偏置时安全的工作，如下图，SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极
2016-10-31 13:39:12
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封装不等。MOSFET额定电压范围从12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便携式设备如手机和平板电脑。它们也用于计算机、服务器、电动工具和汽车。选择合适
2018-10-18 09:13:03
和动态均流问题；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4
2021-08-29 18:34:54
的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
防止场效应管(MOSFET)接电感负载时，在截止瞬间产生感应电压与电源电压之和击穿场效应管(MOSFET)，一般功率场效应管 (MOSFET)在漏极与源极之间内接一个快速恢复二极管，如图8所示
2011-12-19 16:52:35
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19:33
进一步减少所需的组件。 凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管技术，PTVA127002EV展现出了极高的能效：利用300微秒10%占空比脉冲进行测量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
- 200V 电压、1000W 脉冲和 100W 直流总功率的源和测量。2400 系列 SMU 主要性能指标· 6½ 位精确分辨率源和测量· 1 M 个样点/秒数字化测量速度· 电流：10nA - 7A 直流
2020-02-18 11:35:49
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
`SD36C 静电保护装置 双向TVS瞬变二极管, SOD-323, 2 Pins, 36 V, 450 W,类型TVS二极管双向通道1电压 - 反向关态（典型值）36V（）电压 - 击穿（下限
2020-08-26 09:54:57
Architect工具可对变压器、功率MOSFET、功率二极管、传输电缆等进行定制建模，而且建模信息主要利用器件手册和器件实验数据；因而定制设计的器件模型较为精确，较为真实反映器件的真实性能。 该课程主要
2017-04-12 20:43:49
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
;自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如<br/>高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅
2010-08-12 13:58:43
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03:26
的封装内采用更高性能的MOSFET，业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。对于大电流应用，常用的是功率6mmx 5mm封装，例如PowerPAK® SO-8。但对
2013-12-23 11:55:35
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速恢复二极管N沟道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 从这两项技术
2018-11-20 10:52:44
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36:47
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
大部分功率 MOSFET 都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟
2019-11-17 08:00:00
有2个芯片（Nch+Nch 和Nch+Pch）的产品，充实供用户选择的产品系列。*VGS=10V MPT6 双元件系列的主要优点1） 小型、大功率「MPT6」型封装（4540规格：4.5×4.0
2018-08-24 16:56:26
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
的性能很重要，所以我们将选用半桥拓扑。这种拓扑是电力电子装置最常用的拓扑之一。这些例子重点介绍了同步压降转换器——一个半桥拓扑的具体应用。共源极电感效应图 1为具备杂散电感和电阻(由封装键合线、引线框以及
2011-08-18 14:08:45
1、结构 第一个功率MOSFET - 与小信号MOSFET不同 -出现在1978年左右上市，主要供应商是Siliconix。它们是所谓的V-MOS设备。MOSFET的特点是源极和漏极之间的表面
2023-02-20 16:40:52
的产生机理 由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，此时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例，当下管V2已经完全
2018-08-27 16:00:08
- 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 340 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.2
2020-03-19 16:31:27
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID，对于
2016-08-15 14:31:59
，就可以将效率提高0.4%。这种消耗的降低，来源于更低的封装电阻和低至约1nH的极低封装电感。对应于40V、60V和80V的电压等级，OptiMOS 3的漏极-源极通态电阻RDS(on)分别为1.8m
2018-12-07 10:23:12
供电，其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化，包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护，如图5所示。MOSFET 以源极跟随器配置连接
2023-02-21 15:46:31
Figure 4 是具有驱动器源极引脚的 MOSFET 的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。从电路图中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
开关损耗。测试中使用的是最大额定值（RDS（on））为 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封装的产品（型号：SCT3040KL）没有驱动器源极引脚，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57827 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18951 基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351506 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:025986 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
2012-02-09 09:18:22807 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司
2018-06-26 16:48:007652 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用
2018-11-13 16:26:191657 英飞凌革命性OptiMOS产品的P沟道功率MOSFET之一，在导通电阻的开关系统设计中，能经受极高的质量考验以满足高性能的需求；加入增强模式，可根据不同应用场景选择Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 
SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念， 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381073 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161650 
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785 
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一个M1连接器，用于连接iMOTION模块化应用设计套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
电子发烧友网站提供《封装外形图34引线功率四平面无引线（PQFN）塑料封装介绍.pdf》资料免费下载
2024-01-31 10:04:17
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