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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>英飞凌推出OptiMOS 5 25V和30V产品家族,能效高达95%以上

英飞凌推出OptiMOS 5 25V和30V产品家族,能效高达95%以上

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2016-11-06 21:06:07

请问ADP7182有什么办法輸出調整從-25V轉成-1.8V

您好!目前使用ADP7182希望從-25V轉成-1.8V, 調整adj分壓電阻為60.4KOhm 與 110KOhm後僅得到-2.5V. 請問有其他的建議可以達到期望的輸出值嗎? 謝謝
2018-08-19 07:54:45

请问如何实现±25V到±15降压且电压源噪声低于5mv?

大家好:我的板子里现在需要一个±25V和±15V电源,且噪声要求5mV以下,做精密测量噪声越小越好。我现在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(图一
2018-10-16 06:28:07

请问如何实现±25V到±15降压,且电压源噪声低于5mv?

大家好: 我的板子里现在需要一个±25V和±15V电源,且噪声要求5mV以下,做精密测量噪声越小越好。我现在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(图一
2024-01-08 11:26:17

赛芯微XC3108线性充电IC,集成OVP 30V耐压

,超过6.8V芯片不充电,最高耐压30V。带NTC,支持BAT反接保护(BAT耐压30V)。与市面上4056Pin 2 Pin
2021-10-26 16:01:43

赛芯微最新推出XC3108,高耐压线性充电IC,耐压30V

OVP(6.8V)保护,超过6.8V芯片不充电,最高耐压30V。带NTC,支持BAT反接保护(BAT耐压30V)。与市面上4056Pin 2 Pin
2021-09-26 14:10:46

输入12V,输出25V,6A的开关电源电路

输入12V,输出25V,6A的开关电源电路
2019-05-09 11:31:13

输入12V输出25V 10A的开关电源电路

输入12V,输出25V,10A的开关电源电路
2019-05-10 08:24:16

问个关于MCU 5V稳压的问题

用于MCU和RF芯片供电的稳压源,从30V降压到5V,用7805好还是317好,有区别吗?(因为有看到一外国户客的产品用的是LM317降压)
2016-03-15 11:36:44

阻容降压中的电容降到30V是怎么计算的

途中C1是怎么把220V降到30V的。
2012-06-11 15:46:20

英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件   英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57827

英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS

英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列      为提高计算和电信产品的能效,英飞凌科技股份公司近日宣布,公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731

取代继电器:英飞凌推出HITFET低边开关产品家族

英飞凌推出具备出色保护功能并能轻松调节斜率的HITFET™+低边 开关产品家族,首款产品BTF3050TE现已批量供应.
2015-04-28 13:59:081651

电容25V指的是什么

电容25V指的是该电容最高耐压25V,使用该电容时,加在电容两端的电压不允许超过25V
2019-12-08 10:37:5015369

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V30V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161651

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装的MOSFET器件的产品阵容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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