300nm晶圆首次用于制造功率器件,英飞凌推出超结MOSFET
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1764英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45
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1266英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革
科技股份公司今天宣布,已成功开发出全球首项300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项
2024-09-13 08:04:20
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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆
在半导体制造技术领域,英飞凌再次取得了新的里程碑。近日,该公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圆,这一突破性进展展示了英飞凌在半导体材料处理方面的卓越实力。
2024-10-30 18:02:39
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1304英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,突破技术极限并提高能效
已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌
2024-10-31 08:04:38
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晶圆制造及直拉法知识介绍
晶圆是集成电路、功率器件及半导体分立器件的核心原材料,超过90%的集成电路均在高纯度、高品质的晶圆上制造而成。晶圆的质量及其产业链供应能力,直接关乎集成电路的整体性能和竞争力。今天我们将详细介绍
2025-01-09 09:59:26
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功率器件晶圆测试及封装成品测试介绍
本文主要介绍功率器件晶圆测试及封装成品测试。 晶圆测试(CP) 如图所示为典型的碳化硅晶圆和分立器件电学测试的系统,主要由三部分组成,左边为电学检测探针台阿波罗
2025-01-14 09:29:13
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英飞凌首批采用200毫米晶圆工艺制造的SiC器件成功交付
众所周知,几乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圆上制造的,使用更大的晶圆存在重大挑战。从 200 毫米晶圆出货器件是降低 SiC 器件成本的关键一步,其他公司也在开发 200 毫米技术
2025-02-19 11:16:55
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813芯片制造的画布:晶圆的奥秘与使命
芯片制造的画布 芯片制造的画布:晶圆的奥秘与使命 在芯片制造的宏大舞台上,晶圆(Wafer)扮演着至关重要的角色。它如同一张洁白的画布,承载着无数工程师的智慧与梦想,见证着从砂砾到智能的奇迹之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
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