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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>300nm晶圆首次用于制造功率器件,英飞凌推出超结MOSFET

300nm晶圆首次用于制造功率器件,英飞凌推出超结MOSFET

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2024-01-24 17:19:521459

东芝300mm功率半导体工厂竣工,产能将增至去年的2.5倍

5 月 24 日,日本东芝电子元件及存储装置部于官网上发文称,其 300mm 功率半导体制造厂与办公室已于日前正式完工。
2024-05-24 16:52:191317

东芝宣布其300mm功率半导体制造工厂和办公楼竣工

近日,东芝电子器件与存储株式会社(下简称“东芝”)宣布其300mm功率半导体制造工厂和办公楼竣工。目前将继续进行设备安装,计划在2024财年下半年开始大规模生产。
2024-05-29 18:05:571764

英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技术创新和卓越性价比,在全球范围内树立了高压超级MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革

科技股份公司今天宣布,已成功开发出全球首项300mm氮化镓(GaN)功率半导体技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项
2024-09-13 08:04:20947

英飞凌推出全球最薄硅功率

在半导体制造技术领域,英飞凌再次取得了新的里程碑。近日,该公司宣布成功推出全球最薄的硅功率,这一突破性进展展示了英飞凌在半导体材料处理方面的卓越实力。
2024-10-30 18:02:391304

英飞凌推出全球最薄硅功率,突破技术极限并提高能效

已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌
2024-10-31 08:04:38826

制造及直拉法知识介绍

是集成电路、功率器件及半导体分立器件的核心原材料,超过90%的集成电路均在高纯度、高品质的制造而成。的质量及其产业链供应能力,直接关乎集成电路的整体性能和竞争力。今天我们将详细介绍
2025-01-09 09:59:262105

功率器件测试及封装成品测试介绍

‍‍‍‍ 本文主要介绍功率器件测试及封装成品测试。‍‍‍‍‍‍   测试(CP)‍‍‍‍ 如图所示为典型的碳化硅和分立器件电学测试的系统,主要由三部分组成,左边为电学检测探针台阿波罗
2025-01-14 09:29:132359

英飞凌首批采用200毫米工艺制造的SiC器件成功交付

众所周知,几乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米制造的,使用更大的存在重大挑战。从 200 毫米出货器件是降低 SiC 器件成本的关键一步,其他公司也在开发 200 毫米技术
2025-02-19 11:16:55813

芯片制造的画布:的奥秘与使命

芯片制造的画布 芯片制造的画布:的奥秘与使命 在芯片制造的宏大舞台上,(Wafer)扮演着至关重要的角色。它如同一张洁白的画布,承载着无数工程师的智慧与梦想,见证着从砂砾到智能的奇迹之旅。
2025-03-10 17:04:251545

半导体制造流程介绍

本文介绍了半导体集成电路制造中的制备、制造测试三个关键环节。
2025-04-15 17:14:372160

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