该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-20 15:18:00
1557 东芝电子宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
采用的三电平电路，用两个600V的Mosfet串联，来解决高母线电压带来的MOS管应力问题。 其次是高压下的开关损耗很大，使得我们必须选择软开关的电路拓扑。LLC变换器可以在全负载范围内实现ZVS，使
2018-10-17 16:55:50
中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
的一半。开关损耗是另一个可以优化的部分，如［3］所示。为了驱动 ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驱动器。STGAPxx MOSFET驱动器有两种不同的规格，如图3
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多，如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，封装也是影响产品可靠性的重要因素。基本半导体碳化硅分立器件采用AEC-Q101标准进行测试。目前碳化硅二级管产品已通过AEC-Q101测试，工业级1200V碳化硅MOSFET也在进行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
92%的开关损耗，还能让设备的冷却机构进一步简化，设备体积小型化，大大减少散热用金属材料的消耗。半导体LED照明领域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且，尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
使用IGBT（绝缘栅极双极晶体管）等少数载流子元器件（双极元器件）。但因为开关损耗大而具有发热问题，实现高频驱动存在界限。由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高，因此能
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
的小电流，因此碳化硅肖特基二极管的开关损耗比硅快速恢复二极管更低。使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗，能快速稳定实现器件的正反切换，提高产品的效率和降低产品噪音，同时易于改善EMI。 以下测试结果
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件导通损耗对温度的依存度很小，随温度的变化也很小，这与传统的Si器件也有很大差别。4) 开关速度快SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）。但随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关，通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
可以减小内部源极布线的电感，从而允许MOSFET实现高开关频率。TO263-7L采用7引脚封装，采用开尔文连接，适合表面安装。TO268-2L采用双引脚封装，中间没有引脚，以确保最佳的爬电距离。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14:19
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中MOSFET开关损耗3. Coss产生的开关损耗4.Coss对开关过程的影响希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的开关损耗。
2021-01-30 13:20:31
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
封装还是TO-247-4引脚封装。 图5. 在800V、15A和150°C时，不同1200V碳化硅MOSFET技术能实现的最小导通开关损耗。被测器件的标称通态电阻为60-80mΩ，在栅极电压18
2023-02-27 13:53:56
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。碳化硅具有极佳的材料特性，可以显著降低开关损耗，因此电源开关的操作频率可以大为提高，从而使电源系统的尺寸明显缩小。至于在转换
2021-09-23 15:02:11
，航空业最近经历了快速增长，新的航空航天世界在用于电源和电机控制的SiC器件中找到了新的电源管理解决方案。碳化硅有望在航空工业中降低重量和减少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作温度下
2022-06-13 11:27:24
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
的例子中，开关损耗可以降低24%。此外，还可以 在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率 ，在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%，可进一步降低车载和工业设备应用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
的整体系统尺寸，更小的整体成本，高温下更高的可靠性，同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模组和集成功率模组，用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通，而跨导和工艺有关。
2017-03-06 15:19:01
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的效率也会更高。当客户选择碳化硅MOSFET为主开关管后，通常也会愿意多花额外的成本将工频整流二极管D3和D4换成普通的低导通电阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的导通损耗
2023-02-28 16:48:24
一种减慢di/dt和dv/dt的方式来解决。不幸的是，这些方法会导致开关损耗增加和系统效率降低。而在使用碳化硅MOSFET时，只需在栅极和源极之间增加一个二极管电压钳位即可解决这一难题。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC，可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。 图（1）碳化硅二极管
2023-02-28 17:13:35
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速度极快，开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关损耗显著降低，但传统封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会产生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
，在这两种情况下估算时间t3作为MOSFET的上升和下降时间，您可使用等式4估算开关损耗：开关损耗取决于频率和输入电压。因此，输入电压和开关频率较高时，总效率相对降低。在轻负载时，LM2673非同步降压
2018-06-05 09:39:43
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引脚封装，也是基于这样的背景，旨在在使用了SiC功率元器件的应用中，进一步降低损耗。这里有一个注意事项，或者说是为了有效使用4引脚封装产品而需要探讨的事项。前面提到
2020-07-01 13:52:06
C3M0015065D碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位
2022-05-21 11:12:51
C3M0025065D碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位
2022-05-21 15:52:28
C3M0060065J碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位
2022-05-21 18:00:35
C3M0120065J碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位
2022-05-21 21:54:44
C3M0120065K碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位
2022-05-21 22:04:32
PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代坚固技术；提供业界最低的开关损耗和最高的品质因数。E 系列 MOSFET 针对用于 EV 电池
2022-05-22 10:54:29
E3M0075120K为E 系列分立碳化硅 MOSFET。业界首款汽车级碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D为E 系列分立碳化硅 MOSFET。业界首款汽车级碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通过推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 扩展了其在碳化硅领域的领先地位
2022-05-24 21:59:02
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:05
38 相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-19 16:11:223531 
东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-25 14:14:40951 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151182 器件用于开关损耗和浪涌电压，可降低开关损耗高达92%。半导体碳化硅功率器件功耗显着降低，设备发热量大大降低，进一步简化了设备的冷却机构，减小了设备的体积，大大降低
2021-12-07 10:36:02546 
的传导和开关损耗，本文以给出了使用ST碳化硅MOSFET的主要设计原则，以得到最佳性能。一，如何减少传导损耗：碳化硅MOSFET比超结MOSFET要求更高的G级电压
2022-11-30 15:28:282649 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32738 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02269 
Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:00321 
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
碳化硅（SiC）MOSFET以其正温度系数的特性进行静态电流的共享和负反馈。如果一个设备的电流更大，那么它就会加热，相应地增加其RDS(on)。这样，过境电流降低，热失衡级别也降低。此外，他们在温度
2023-12-19 11:59:32142 
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357
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