2012年10月10日，德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。
2012-10-10 13:37:10
1190 `肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。SiC肖特基势垒二极管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
同时放在脑里。可以理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为
2019-04-12 00:31:05
。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件
2019-05-06 09:15:49
。相关文章 来自工程师的声音第三代SiC肖特基势垒二极管：SCS3系列 Part 1 SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停＜ 相关产品信息 ＞SiC特殊的网站SiC支持网页（评估板）SiC
2018-12-03 15:11:25
肖特基势垒二极管（SBD）是利用金属与半导体的接合产生肖特基障壁的二极管。与普通PN结二极管相比，具有正向电压（VF）更低，开关更快的特征。但是，有反向漏电流（IR）较大的缺点，其耐压在200V以下，与其
2018-12-04 10:10:19
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2019-10-22 09:12:18
凌讯MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于硅肖特基二极管技术的最新器件。肖特基势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器件，因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二极管、稳压二极管、瞬态二极管之间的区别和理解1、肖特基二极管肖特基二极管是以贵金属为正极，N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性制成的金属-半导体器件。肖特基整流管的结构
2021-11-15 06:47:36
`肖特基二极管又被称为肖特基势垒二极管（简称 SBD），是一种低功耗、超高速半导体器件。肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间极短，正向导通压降仅为0.4V左右。下面小编为大家介绍一款PFC的肖特基
2018-09-06 10:17:48
`肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V
2020-10-28 09:13:12
，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二极管是什么？ 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降
2016-04-19 14:29:35
小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。 其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种
2019-02-20 12:01:29
时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。3.额定电流IF：指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。4.最大浪涌电流IFSM：允许流过
2022-01-24 11:27:53
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护
2021-06-30 16:48:53
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2017-10-19 11:33:48
肖特基势垒。 三、肖特基二极管的应用 肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器，以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。此外，肖特基二极管还广泛用于笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字卫星接收机和机顶盒的电源等等。`
2018-12-27 13:54:36
肖特基二极管原理； 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝
2015-11-26 15:59:32
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管
2021-06-30 17:04:44
较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、打电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管的作用：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管
2020-10-27 06:31:18
在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是肖特基二极管(同时也是sic功率器件)的第1个民用下游领域，曾经在早期为siC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业
2018-11-14 14:54:30
集成电路Al内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有
2019-02-18 11:27:52
物理学家Walter Schottky开发了金属-半导体接触的模型。与半导体-半导体接触相反，肖特基二极管由于材料组成的选择方式在半导体的界面上形成了一个耗尽区而因此具有势垒。这防止了低于特定功率阈值
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流
2018-10-25 14:48:50
和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基势垒二极管。二者的反向峰值电压均为100V，反向电压（VR）也均为
2019-07-23 04:20:37
的影响。 3. 伏安特性一般地肖特基势垒二极管的伏安特性可表示为 与理想金半接触伏安特性公式（2-29）相比较式（2-39）多了一个修正因子n。对于理想的肖特基势垒n=1 当势垒不理想时n》1且
2021-01-19 17:26:57
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生
2018-12-03 14:31:01
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-30 03:25:24
形成的势垒层为基础制成的二极管，也称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结二极管。PS2045L主要特点是正向导通压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。它是一种低功耗、超高速的半导体器件，缺点是耐压比较
2021-11-26 16:28:38
编辑-Z肖特基二极管是什么？肖特基二极管（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
编辑-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由
2021-09-11 16:42:45
：102mil浪涌电流Ifsm：200A漏电流(Ir)：20mA工作温度：-65~+175℃恢复时间(Trr)：5ns引线数量：3 肖特基二极管MBR20200FCT是基于通过接触金属和半导体形成的势垒层
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 编辑
ROHM肖特基势垒二极管具有各种高可靠性，低损耗器件。 它们有各种包装。 肖特基二极管提供低正向电压和反向电流
2019-06-17 15:30:23
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒，约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-18 10:35:14
反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 三、肖特基二极管
2019-03-11 11:24:39
二极管的结电容分两种：势垒电容和扩散电容。而一般数据手册给到的结电容参数，通常指的是势垒电容。上面这个是ES1J超快恢复二极管数据手册的结电容参数Cj=8pF。同时我们知道，对于常用的二极管来说
2021-10-08 10:37:02
二极管是作为单向开关的两端设备。肖特基是一种金属-半导体二极管，以极低的正向电压著称，其中金属形成阳极，n 型半导体充当阴极。这种二极管是以德国物理学家华特·萧特基命名的。它也被称为肖特基势垒二极管
2022-03-19 22:39:23
0.61V，这样就大大的提升了工作效率，所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。另外，低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电流可以达到几千安，适用于低电压、大电流的条件下工作。低压降肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 15:00:32
目前经常用到的大功率二极管有：肖特基二极管、快恢复二极管、整流二极管、稳压二级管，等等。着重介绍前两种。 一，肖特基二极管(英文简称SBD) 肖特基势垒二极管简称肖特基二极管。它不是PN结
2015-06-19 14:52:18
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
`肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二极管是利用金-属半导体接面做为肖特基势垒，而发生整流的效果，和普通二极管中由半导体-接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，能够提高切换的速度
2018-11-05 14:29:49
-半导体(接触) 二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管和快恢复二极管在物理结构上是不一样的。肖特基二极管的阳极是金属 ，阴极是N型半导体;快恢复二极管基本结构仍然是普通的PIN
2018-11-01 15:26:11
20V100或者表面势垒二极管20V100，具有正向耐大电流，反向恢复时间极快等优点。伴随着科学技术的不断进步发展，对肖特基二极管的性能要求也越来越高，要求自身功率损耗更小，所以VF值与漏电流控制到更低
2018-10-17 15:20:19
的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20，两者二极管的反向电压都为20V，正向
2019-04-17 23:45:03
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
电路损耗，提高电路工作频率。在PFC电路中用SiC SBD（肖特基势垒二极管）代替原来的硅FRD（快速恢复二极管）可以使电路在300kHz以上工作，效率基本保持不变，而使用100kHz以上硅FRD的电路效率急剧下降。随着工作频率的增加，电感器等无源元件的体积相应减小，整个电路板的体积减小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。 肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属
2018-10-26 14:36:32
二极管也研制成功。肖特基二极管-作用肖特基二极管又被称为肖特基势垒二极管（简称 SBD），是一种低功耗、超高速半导体器件。肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间极短，正向导通压降仅为0.4V左右
2018-10-19 11:44:47
减少，反向恢复时间trr可低至几十纳秒。 肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称，它的构造原理与普通PN结二极管有着很大区别：其内部是由阳极金属(用金、银、钼、铝等)、二氧化硅电场消除材料、N外延层材料
2021-05-14 08:11:44
保护元件具备更高性能，在这种趋势下逐渐拉大与TVS (Transient Voltage Suppressor) 的差别。特点只有ZD利用了反向特性。肖特基势垒二极管高频二极管
2019-04-11 00:08:21
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管又称肖特基势垒二极管，它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V
2019-06-12 02:34:10
本人想了解下肖特基势垒二极管制造技术和工艺，望高手指点
2011-02-23 22:07:19
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
-半导体接面产生的P-接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。 肖特基二极管的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7伏特的电压降，不过
2018-10-22 15:32:15
不同，ROHM利用多种金属，推出如下产品阵容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列车载用超低IR型 RB**8系列特点通过改变金属种类，可制造低VF型、低IR型产品。关于热失控肖特基势垒二极管在
2019-04-11 02:37:28
的接触势垒来实现的。由于肖特基的势垒高度低于pn结的势垒高度，使其在小电流下正向压降低，击穿电压低，反向漏电流大。功率肖特基二极管旨在提高其功率特性，有以下三类结构。 (1)普通功率肖特基势垒二极管
2019-02-12 15:38:27
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。 肖特基势垒二极管（SBD）作为一种单极性器件，在导通过程中没有额外载流子注入和储存，因而基本没有
2019-10-24 14:21:23
明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管：以金属为阳极，以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一。它推出了6款中功率肖特基势垒二极管，型号分别为RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3
2019-07-15 04:20:07
肖特基势垒二极管。五者的VRM（峰值反向电压）均为35V，反向电压（VR）均为30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基
2021-01-13 16:36:44
是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。与普通的二极管不一样，SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结
2019-04-12 11:37:43
和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基势垒二极管
2019-04-18 00:16:53
肖特基二极管的作用 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管
2016-12-06 18:25:12
。对于优化体二极管（图1）性能在硬开关条件下应用而言，反向恢复波形的形状和印刷电路板的设计尤其重要[3-4]。新一代CoolMOS™ 650V CFD2改进了体二极管反向恢复性能，而且给击穿电压留有更大
2018-12-03 13:43:55
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26731 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:17612 
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