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电子发烧友网>安全设备/系统>格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术,以满足数据中心和高速无线应用需求

格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术,以满足数据中心和高速无线应用需求

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2023-05-25 09:40:241237

泛林集团推出全球首个边缘沉积解决方案提高芯片良率

近日,泛林集团推出了Coronus DX产品,这是业界首个边缘沉积解决方案,旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片关键尺寸的不断缩小,其制造变得
2023-06-29 10:08:271400

泛林集团推出全球首个边缘沉积解决方案提高芯片良率

近日,泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX产品,这是业界首个边缘沉积解决方案,旨在更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体芯片
2023-07-05 00:39:291080

业界首家!华为电力模块3.0获颁“数据中心电力模块预制化产品认证”证书

【中国,北京,2023年8月10日】在中国电子节能技术协会数据中心节能技术分会(简称GDCT)主办的第十三届数据中心市场年会期间,华为数字能源荣获上海添唯认证技术有限公司(简称添唯)颁发的业界首个
2023-08-10 17:15:031752

上海微系统所在300mm RF-SOI制造技术方面实现突破

近日,上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI制造技术方面取得突破性进展,制备出了国内第一片300mm 射频(RF)SOI
2023-10-23 09:16:452112

日本Socionext发布了业界首款32核数据中心级芯片

日本定制芯片开发商 Socionext 发布了业界首款 32 核数据中心级芯片,该芯片将采用台积电 2nm 级制造工艺制造。
2023-10-30 18:21:371620

国内第一片300mm射频(RF)SOI的关键技术

多晶层用作电荷俘获层是RF-SOI中提高器件射频性能的关键技术,晶粒大小、取向、界分布、多晶电阻率等参数与电荷俘获性能有密切的关系;此外,由于多晶/的复合结构,使得应力极难控制。
2023-11-21 15:22:102534

新思科技推出业界首个1.6T高速以太网解决方案

新思科技(Synopsys)近日在数据中心领域取得了重大突破,推出业界首个1.6T高速以太网解决方案,为日益增长的人工智能(AI)计算需求提供了强有力的网络支持。这一创新解决方案相较于传统的800G速率IP网络,在性能上有了显著提升,其延迟最多可减少40%,空间占用也可节约50%。
2024-03-08 11:06:281276

印度首家能够加工300mm的商业设施诞生!

美国半导体设备制造商应用材料公司在印度班加罗尔开设了一个验证中心,标志着印度首家能够加工300mm的商业设施诞生。
2024-03-12 10:03:031288

楷登电子Cadence推出业界首个全面的AI驱动数字孪生解决方案

中国上海,2024 年 3 月 22 日——楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)推出业界首个全面的 AI 驱动数字孪生解决方案,旨在促进数据中心的可持续发展及现代化的设计,标志着在优化数据中心能效和运营能力方面取得了重大飞跃。
2024-03-22 11:38:051506

半导体工艺片的制备过程

先看一些的基本信息,和工艺路线。 主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前对8吋,12吋硅片的应用在不断扩大。这些直径分别为100mm、150mm、200mm300mm。硅片直径的增大可降低单个芯片的制造成本。
2024-04-15 12:45:082660

东芝300mm功率半导体工厂竣工,产能将增至去年的2.5倍

5 月 24 日,日本东芝电子元件及存储装置部于官网上发文称,其 300mm 功率半导体制造厂与办公室已于日前正式完工。
2024-05-24 16:52:191318

东芝宣布其300mm功率半导体制造工厂和办公楼竣工

近日,东芝电子器件与存储株式会社(下简称“东芝”)宣布其300mm功率半导体制造工厂和办公楼竣工。目前将继续进行设备安装,计划在2024财年下半年开始大规模生产。
2024-05-29 18:05:571765

数据中心液冷需求技术及实际应用

了,也更热了。有什么办法,给服务器“物理降温”吗?   根据国家对数据中心的节能要求,全国范围内新建数据中心要求PUE(Power Usage Effectiveness,电源利用效率)<1.2,而传统的风冷制冷方式已经无法满足数据中心的散热需求,更加高效
2024-06-19 11:12:223494

碳化硅的区别是什么

。而是传统的半导体材料,具有成熟的制造工艺和广泛的应用领域。 制造工艺: 碳化硅的制造工艺相对复杂,需要高温、高压和长时间的生长过程。而的制造工艺相对成熟,可以实现大规模生产。此外,碳化硅的生长速度
2024-08-08 10:13:174711

英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革

科技股份公司今天宣布,已成功开发出全球首项300mm氮化镓(GaN)功率半导体技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项
2024-09-13 08:04:20947

的制备流程

本文从硅片制备流程为切入点,以方便了解和选择合适的的制备工艺流程比较复杂,加工工序多而长,所以必须严格控制每道工序的加工质量,才能获得满足工艺技术要求、质量合格的硅单晶片(),否则就会对器件的性能产生显著影响。
2024-10-21 15:22:272000

英飞凌推出全球最薄功率,突破技术极限并提高能效

已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌
2024-10-31 08:04:38826

12寸的制造工艺是什么

12寸(直径300mm)的制造工艺是一个高度复杂且精密的过程,涉及材料科学、半导体物理和先进设备技术的结合。以下是其核心工艺流程及关键技术要点: 一、单晶生长与圆成型 高纯度多晶提纯 原料
2025-11-17 11:50:20340

罗方德收购新加坡代工厂AMF

创新、及加强技术领域布局战略中的关键一步。此次收购将拓展罗方德在新加坡的技术业务组合、生产能力以及研发实力,与现有技术能力形成互补,并凭借更广泛的数据中心和通信技术开拓新的市场机遇。
2025-11-19 10:54:53434

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