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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>工艺/制造>低挥发刻蚀产物淀积平衡的变化 - 上腔室窗口温度对STI刻蚀工艺的影响

低挥发刻蚀产物淀积平衡的变化 - 上腔室窗口温度对STI刻蚀工艺的影响

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半导体刻蚀工艺简述(2)

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半导体刻蚀工艺简述(3)

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单晶硅刻蚀工艺流程

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半导体行业之刻蚀工艺技术

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重点阐述湿法刻蚀

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半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

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2023-09-04 09:32:371168

干法刻蚀与湿法刻蚀各有什么利弊?

在半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003307

使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口

持续的器件微缩导致特征尺寸变小,工艺步骤差异变大,工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足,评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足,我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺工艺窗口
2023-11-16 16:55:04270

工艺窗口建模探索路径:使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口

工艺窗口建模探索路径:使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
2023-11-23 09:04:42178

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形

半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256

半导体制造技术之刻蚀工艺

W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀
2023-12-06 09:38:531538

北方华创公开“刻蚀方法和半导体工艺设备”相关专利

该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370

InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究

在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01206

刻蚀终点探测进行原位测量

使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42130

如何调控BOSCH工艺深硅刻蚀?影响深硅刻蚀的关键参数有哪些?

影响深硅刻蚀的关键参数有:气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283

刻蚀机是干什么用的 刻蚀机和光刻机的区别

刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似,先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜,再将掩膜与待加工物料模组装好,将样品置于刻蚀室内,通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉,以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24472

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