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标签 > 刻蚀工艺

刻蚀工艺

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刻蚀工艺技术

半导体制造技术之刻蚀工艺

W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,...

2023-12-06 标签:半导体制造技术刻蚀工艺 2238 0

晶圆级封装工艺:溅射工艺和电镀工艺

晶圆级封装工艺:溅射工艺和电镀工艺

溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积(PVD)6工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点,则被称为凸点下金属层(UBM,Under ...

2023-10-20 标签:半导体晶圆封装工艺 3461 0

芯片制造的刻蚀工艺科普

芯片制造的刻蚀工艺科普

在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是...

2023-09-24 标签:半导体晶圆制程工艺 1117 0

碳化硅功率半导体工艺流程

首先,以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC,通过物理气相传输(PVT)制备单晶 第二,使用多线切割设备切割SiC,晶体切成薄片,厚度不超过1毫米 ...

2023-09-06 标签:功率半导体光刻胶碳化硅 774 0

刻蚀工艺主要分为哪几种类型 刻蚀的目的是什么?

PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜,降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙,并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不...

2023-08-17 标签:芯片封装半导体器件刻蚀 3475 0

半导体前端工艺之刻蚀工艺

在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除...

2023-08-10 标签:半导体晶圆制造技术 550 0

详解半导体前端工艺之沉积工艺

详解半导体前端工艺之沉积工艺

和在刻蚀工艺中一样,半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如,降低压强,沉积速率就会放慢,但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 标签:半导体制造工艺刻蚀工艺 1337 0

浅谈半导体制造中的刻蚀工艺

浅谈半导体制造中的刻蚀工艺

在上一篇文章,我们介绍了光刻工艺,即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步,将在晶圆上进行刻蚀工艺,以去除不必要的材料...

2023-06-28 标签:半导体等离子体晶圆 921 0

半导体八大工艺之刻蚀工艺:干法刻蚀

半导体八大工艺之刻蚀工艺:干法刻蚀

在干法蚀刻中,气体受高频(主要为 13.56 MHz 或 2.45 GHz)激发。在 1 到 100 Pa 的压力下,其平均自由程为几毫米到几厘米。

2023-06-20 标签:半导体晶圆蚀刻 4494 0

3D NAND刻蚀工艺的挑战及特点

3D NAND刻蚀工艺的挑战及特点

中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解,本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设...

2023-06-12 标签:集成电路NAND3D 599 0

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刻蚀工艺帖子

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刻蚀工艺资讯

中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展

据“中科院微电子研究所”消息,为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成,同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影...

2023-03-10 标签:集成电路半导体刻蚀工艺 586 0

一种简单的原沸石晶种合成单晶分级ZSM-5沸石

原沸石是非结晶的,如粉末 X 射线衍射 (XRD) 图案所示。扫描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微镜 (TEM) 图像显示,原沸石是大小约为5-2...

2022-08-17 标签:单晶催化剂刻蚀工艺 2248 0

泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案 加速实现3D

泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案 加速实现3D

通过与客户、技术专家和产品团队的合作,他们已经在选择性刻蚀创新方面实现突破,这将使世界领先的芯片制造商得以提供下一代3D逻辑和存储设备。

2022-03-22 标签:刻蚀刻蚀工艺泛林集团 1853 0

关于光刻胶溶解过程中表面粗糙度的变化研究报告

关于光刻胶溶解过程中表面粗糙度的变化研究报告

摘要 图案图像中纳米级粗糙度的最小化已成为微处理器生产中光刻过程的优先事项。为了探究表面粗糙度的分子基础,通过将临界电离模型应用于聚合物基体的三维分子晶...

2022-01-25 标签:刻蚀工艺光刻蚀 702 0

上腔室窗口温度对STI刻蚀工艺的影响

上腔室窗口温度对STI刻蚀工艺的影响

本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现,当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时,刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiO...

2012-05-04 标签:STI刻蚀工艺 2882 0

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