等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。
2023-02-08 09:41:26
2467 单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。
2023-02-13 11:13:235905 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58844 
在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。
2023-08-10 15:06:10506 在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58552 
本人5年工作经验，主要负责半导体工艺及产品开发相关工作，工艺方面对抛光、切割比较精通，使用过NTS/DISCO/HANS等设备，熟悉设备参数设置，工艺改善等，产品开发方面熟悉新产品导入流程。目前本人已经离职，寻找四川境内相关工作，如有机会请与我联系：***，谢谢！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 编辑
北京飞特驰科技有限公司对外提供6英寸半导体工艺代工服务和工艺加工服务，包括：产品代工、短流程加工、单项工艺加工等
2015-01-07 16:15:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
半导体工艺
2012-08-20 09:02:05
有没有半导体工艺方面的资料啊
2014-04-09 22:42:37
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
是各种半导体晶体管技术发展丰收的时期。第一个晶体管用锗半导体材料。第一个制造硅晶体管的是德州仪器公司。20世纪60年代——改进工艺此阶段，半导体制造商重点在工艺技术的改进，致力于提高集成电路性能
2020-09-02 18:02:47
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体基础知识与晶体管工艺原理
2012-08-20 08:37:00
半导体失效分析项目介绍，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。
2020-11-26 13:58:28
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
大家好！ 附件是半导体引线键合清洗工艺方案，请参考，谢谢！有问题联系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、高端PP/PVC通风柜/厨、CDS化学品集中供液系统等一站式解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。集成电路是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管
2021-09-15 07:24:56
国际半导体芯片巨头垄断加剧半导体芯片产业呈现三大趋势
2021-02-04 07:26:49
半导体是什么？芯片又是什么？半导体芯片是什么？半导体芯片内部结构是由哪些部分组成的？
2021-07-29 09:18:55
` 谁来阐述一下半导体集成电路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。一 .N型半导体在本征半导体加入+5价元素磷，由于加入了最外层为5个电子
2020-06-27 08:54:06
因为半导体生产过程中使用的药水不同，生产工艺流程的差异，对纯水的品质要求也不一样。最关键的指标是：电导率(电阻率)，总硅，pH值，颗粒度。线路板、半导体用纯水因为本身工艺流程的不同对纯水制造
2013-08-12 16:52:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑
简述进局光缆成端安装工艺及要求？
2011-10-16 20:30:14
的应用。 2 SPC技术概述 早期的半导体制造企业为保证产品质量，基本上以工艺检测和产品检验为主要手段进行产品的质量监控，很明显这是一种事后检测的方法，随着各类使用半导体元器件的电子产品的质量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
３０ ｄＢｍ，增益大于５ ｄＢ。关键词：碳化硅；金属?半导体场效应晶体管；牺牲氧化；干法刻蚀；等平面工艺
2009-10-06 09:48:48
一个比较经典的半导体工艺制作的课件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体行业的湿化学分析——总览编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html对液体和溶液进行
2021-07-09 11:30:18
之间移动的电子称为带隙能量。绝缘体、导体和半导体的导电性能可以从它们带隙的不同来理解。图 1 和图 2 说明了掺杂剂如何影响半导体的电阻率/电导率。在图 1 中，掺杂剂产生了一个空穴，因为它缺少与四价
2021-07-01 09:38:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
。 半导体器件制造中的硅片清洗应用范围很广，例如 IC 预扩散清洗、IC 栅极前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后抛光清洗等。这些应用一般包括以下基本工艺：1、去除有机杂质2、去除金属污染物3、去除
2021-07-06 09:36:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IC制造工艺编号：JFSJ-21-046作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V族半导体纳米线结构的光子学特性编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技 摘要：III-V 族半导体纳米线 (NW) 由于其沿纳米线轴对电子和光子
2021-07-09 10:20:13
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
1、 电子、物理、通信、材料等专业，本科以上学历，3年以上的PECVD\LPCVD沉积工作经验； 2、 了解半导体工艺、精通PECVD或LPCVD材料生长技术； 3、 精通PECVD或LPCVD设备
2012-12-19 22:42:16
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
变化。SiGeBiCMOS工艺技术几乎与硅半导体超大规模集成电路(VLSI)行业中的所有新技术兼容，包括绝缘体硅(SOI)技术和沟道隔离技术。不过硅锗要想取代砷化镓的地位还需要继续在击穿电压、截止频率
2016-09-15 11:28:41
与固体电子学或凝聚态物理学硕士以上学历。 2、熟悉半导体激光器工作原理、对半导体激光器有较深入的研究，熟悉半导体封装工艺。 3、英语水平较好，能熟练查阅有关文献。 4、分析问题及解决问题的能力较强，动手
2015-02-10 13:33:33
，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。刻蚀（英语：etching）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以恢复
2017-10-09 19:41:52
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下：集成电路工艺（integrated
2009-09-16 11:51:34
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
；2、具体半导体光刻、镀膜、化学清洗、刻蚀等工艺经历，具有相关半导体设备使用经历。任职条件： 1、大学本科学历(含)以上， 理工科专业；2、微电子学和固体电子学、物理、化学、半导体器件专业优先考虑3
2016-10-26 17:05:04
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。关键字：干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 半导体制造刻蚀设备调度算法的研究_贾小恒
2017-03-19 11:28:162 据浦东时报报道，2020年开年，中微半导体成功中标长江存储9台刻蚀设备订单。
2020-01-08 10:49:094292 摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域的研究进展。以ＩＣＰ刻蚀ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料为例，通过工艺参数的优化，得到了高刻蚀速率和理想的选择比及
2020-12-29 14:39:292909 
摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况. 半导体器件已广泛应用于各种场合,近年来其应用领域已拓展至许多
2020-12-30 10:30:117638 
刻蚀是半导体制造中十分关键的一环，刻蚀通过物理或化学方法将硅片表面不需要的材料去除，从而将掩膜图形正确的复制到涂胶硅片上。
2021-02-23 16:41:573382 半导体工艺化学原理。
2021-03-19 17:07:23111 刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316 功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试，其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。
2023-02-24 15:34:133185 等离子体最初用来刻蚀含碳物质，例如用氧等离子体剥除光刻胶，这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这个过程是在带有刻蚀隧道的桶状系统中进行的（见下图）。
2023-03-06 13:50:481074 对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批量均有差异，因此单独用时间决定刻蚀终点很困难，一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:031773 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统，从长远来看，可以为客户节省大量费用，有可能
2023-04-21 09:20:221351 本篇要讲的金属布线工艺，与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中，光刻、刻蚀等工艺，其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中，会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料（金属）。
2023-04-25 10:38:49986 
经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571181 
Dimension, CD)小型化(2D视角)，刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀，因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法，刻蚀工艺的核心性能指数出现波动，从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 
半导体同时具有“导体”的特性，因此允许电流通过，而绝缘体则不允许电流通过。离子注入工艺将杂质添加到纯硅中，使其具有导电性能。我们可以根据实际需要使半导体导电或绝缘。 重复光刻、刻蚀和离子注入步骤会在
2023-07-03 10:21:572170 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214 
【半导体后端工艺：】第一篇了解半导体测试
2023-11-24 16:11:50485 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 
[半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2023-11-29 15:14:34541 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531538 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 
智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23637 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42130 
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