英飞凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同级最佳效能

　　英飞凌科技发表新一代薄晶圆技术IGBT TRENCHSTOP 5 系列产品，其导通损失和切换损失均远低于目前的领导解决方案。透过这项突破性的产品，英飞凌为 IGBT 效能立下新标竿，继续在效率需求不断提升的市场中保持领先地位。

　　新技术的崩溃电压提高至 650V，让设计拥有更高的安全余裕。目标拓朴为 PFC （AC/DC） 升压级和高电压 DC/DC 拓朴，常见于光伏逆变器、不断电系统 （UPS） 和变频焊接机具等应用。

　　TRENCHSTOP 5 拥有两个系列产品，一为 HighSpeed 5 （H5），这是一款使用方便的软性 high speed IGBT，随插即用可立即取代现有的 IGBT，大幅简化设计时程。另一款为 HighSpeed 5 FAST （F5），提供业界最佳的效率；举例来说，在使用「H4 全桥」拓朴的光伏逆变器应用中，所测得的系统效率可达到 98% 以上。

　　英飞凌 IGBT 功率分离式元件行销协理 Roland Stele 表示：「TRENCHSTOP 5 不仅让 IGBT 的效能大幅跃进，同时更改善系统效率、提高崩溃电压，并提升可靠性，进而降低整个平台的系统成本。对于客户来说，希望拥有一个具备上述所有优点的解决方案，TRENCHSTOP 5 就是唯一的选择。」

　　全新的 TRENCHSTOP 5 为各式目标应用提供了多项优势。与目前业界最佳的英飞凌 HighSpeed （H3） 系列相较，TRENCHSTOP 5 导通损失减少 10% 以上，整体的切换损失也降低 60% 以上。效率大幅提升，可降低操作时的接面温度，提升使用寿命可靠度或功率密度设计。如应用测试所显示，TO-220 封装的 TRENCHSTOP™ 5 的零件温度比 TO-247 封装的 H3 低了15%。

　　其他优势还包括：饱和电压 （Vce（sat）） 和关断切换损失 （Eoff） 的正温度係数，确保效能不致在高温操作下衰减，并能轻易并联。闸极电荷 （Qg） 比 H3 少了 2.5 倍，让 IGBT的运作成本也更为降低。此外，TRENCHSTOP 5 具备快速回復特性的飞轮二极体，相对温度稳定的顺向压降 （VF），且反向恢復时间 （Trr） 少于 50 奈秒。低输出电容（Coss 和 Eoss），可提供优异的轻载效率，极适合最高额定值在 40% 以下运作为主的设计。

　　H5 和 F5 衍生产品将从 11 月中旬开始提供样品。