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标签 > 硅工艺
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ADRF5715硅数字衰减器,1位,1MHz至30GHz技术手册
ADRF5715 是一款 1 位数字硅工艺衰减器,衰减率为 16 dB。 ADRF5715 的工作频率范围为 1 MHz 至 30 GHz,具有优...
HMC1122 0.1GHz至6.0 GHz、0.5 dB LSB、6位硅数字衰减器技术手册
HMC1122是一款6位数字衰减器,工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC1122...
HMC1119 0.25dB LSB、7位硅数字衰减器,0.1GHz至6.0GHz技术手册
HMC1119是一款宽带、高精度、7位数字衰减器,工作频率范围为0.1 GHz至6.0 GHz,以0.25 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 ...
HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅数字步进衰减器技术手册
HMC8073 是一款 6 位数字步进衰减器 (DSA),工作频率范围为 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰减范围为 31.5 dB,步进为 0.5...
ADRF5473硅数字衰减器,0.5dB LSB,6位,100MHz至40GHz技术手册
ADRF5473是一款具有31.5 dB衰减范围和0.5 dB步长的6位数字衰减器,采用连接在砷化镓(GaAs)载波衬底上的硅工艺制造。该衬底集成了芯片...
ADRF5474硅数字衰减器,2dB LSB,4位,10MHz至60GHz技术手册
ADRF5474是一款具有22 dB衰减控制范围和2 dB步长的4位数字衰减器,采用连接在砷化镓(GaAs)载波衬底上的硅工艺制造。该衬底集成了芯片和引...
ADRF5714硅数字衰减器,1位,100MHz至30GHz技术手册
ADRF5714 是一款 1 位硅工艺数字衰减器,具有 16 dB 衰减率,并且支持无干扰操作。 该套件的工作频率范围为 100 MHz 至 30...
ADRF5250 0.1GHz至6GHz硅SP5T开关技术手册
ADRF5250是一款通用型单刀五掷(SP5T)、非反射式开关,采用硅工艺制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引脚引线框芯片级封装(L...
ADRF5144 1GHz至20GHz 10W平均值硅SPDT反射开关技术手册
ADRF5144 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (SPDT) 开关。 ADRF5144 的工作频率范围为 1 GHz 至 20 GHz,具...
该款产品集中运用了多项领先的创新技术,满足了相控阵雷达天线系统小型化和低成本的多项要求,向相控阵T/R组件的单芯片化实现跨出了里程碑的一步。
格芯成为 7nm LP 工艺开发的逃兵,专注于14/12nm FinFET 节点
缩减硅工艺的可怕竞争,最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德(GlobalFoundries)今日宣布,它将无限期地暂停 7nm LP 工艺的开发,以便将资...
近年来,芯片的发展进程始终严格遵守着“摩尔定律”,并有条不紊地进行着,直到14nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功,业界开始有了担忧。
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