ADRF5474硅数字衰减器，2dB LSB，4位，10MHz至60GHz技术手册

概述
ADRF5474是一款具有22 dB衰减控制范围和2 dB步长的4位数字衰减器，采用连接在砷化镓(GaAs)载波衬底上的硅工艺制造。该衬底集成了芯片和引线装配焊盘，且器件底部经过金属化处理并接地。

该器件的工作频率范围为10 MHz至60 GHz，在55 GHz时提供优于2.7 dB的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下，ADRF5474具有23 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。

ADRF5474需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5474设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。
数据表：*附件：ADRF5474硅数字衰减器，2dB LSB，4位，10MHz至60GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：10 MHz 至 60 GHz
• 衰减范围：22 dB，步长为 2 dB
• 用于线焊和带状键合的焊盘
• 低插入损耗
  • 1.3 dB 典型值，最高 20 GHz
  • 2.0 dB 典型值，最高 44 GHz
  • 2.7 dB 典型值，最高 55 GHz
• 衰减精度
• ±（0.3 + 1.0% 的衰减状态）通常高达 20 GHz
• ±（0.4 + 4.0% 的衰减状态）通常高达 44 GHz
• ±（0.4 + 6.0% 的衰减状态）通常高达 55 GHz
• 典型步进误差
• ±0.30 dB 典型值，最高 20 GHz
• ±0.65 dB 典型值，最高 44 GHz
• ±1.10 dB 典型值，最高 55 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB：25.5 dBm（典型值）
  • IP3：45 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力
• 23 dBm 稳态和热切换，平均值
• 24 dBm 稳态和热切换，峰值
• 在相对相位中实现紧密分布
• 无低频杂散信号
• 并行模式控制，与 CMOS/LVTTL 兼容
• RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：175 ns
• 16 焊盘、2.770 mm × 1.620 mm、载体上裸片 [CHIP]

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

芯片组装

ADRF5474的组装图如图25所示。

ADRF5474经过设计，采用3 mil×0.5 mil的金带线，典型环路高度为3 mil ，可实现最佳的射频输入和输出阻抗匹配。键合图如图26和图27所示。此外，使用具有等效电感的多根线键合也能产生相似的性能。对于从器件引出的射频布线，可使用共面波导或微带传输线。传输线焊盘无需进行阻抗匹配，因为器件已进行内部设计，可与推荐的带线相匹配。建议从射频传输线到器件边缘保持3 mil的间距，以实现最佳性能。

直流焊盘可使用标准的1 mil直径金线进行连接，应使线长尽可能短，以最小化寄生电感。如果直流焊盘足够大，能够容纳带线键合，则优先采用带线键合。
所有键合必须在150°C的标称平台温度下进行热超声键合，并且必须施加足够的超声能量，以实现可靠的键合。
器件背面有金属化层，接地连接可通过直接连接器件来实现。在这种情况下，将射频接地层与导电环氧树脂连接，连接接地焊盘虽非必需，但仍建议进行，以确保接地牢固。

搬运、安装和环氧芯片粘贴

器件在运输时置于防静电密封袋中，所有裸芯片应存放在干燥氮气环境中。
对于手动拾取，通常使用镊子拾取砷化镓（GaAs）器件。然而，对于芯片载体器件，建议使用真空工具，以免对器件衬底造成损坏。应在清洁环境中操作这些器件。
粘贴芯片时，应在安装表面涂抹少量环氧树脂，以便在芯片放置到位后，在其周边形成薄的环氧树脂溢边。在制造商指定的固化温度下固化环氧树脂。设置芯片粘贴工艺和环氧树脂固化温度，以降低组装后的累积应力。
由于芯片通过焊点粘贴，用户必须遵循其模块组件的热机械设计最佳实践。衬底材料的热膨胀系数必须与砷化镓（GaAs）和硅（Si）芯片的热膨胀系数相匹配。请勿让衬底发生翘曲或其他机械变形。