ADRF5250 0.1GHz至6GHz硅SP5T开关技术手册

概述
ADRF5250是一款通用型单刀五掷(SP5T)、非反射式开关，采用硅工艺制造。ADRF5250采用4 mm × 4 mm、24引脚引线框芯片级封装(LFCSP)，在100 MHz至6 GHz频率范围内提供高隔离度和低插入损耗。

ADRF5250集成负电压发生器，当VSS引脚接地时，可采用施加于VDD引脚的3.3 V至5 V单正电源供电。当−3.3 V外部负电源电压施加于VSS引脚时，可禁用负电压发生器。ADRF5250提供1.8 V逻辑兼容、3引脚控制接口。
数据表：*附件：ADRF5250 0.1GHz至6GHz硅SP5T开关技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G 基础设施
• 无线基础设施
• 移动无线电
• 测试设备
  特性
• 非反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：1.5 dB（4 GHz时）
• 高隔离度：50 dB（4 GHz时）
• 高输入线性度
  • 0.1 dB压缩(P0.1dB)：34 dBm（典型值）
  • 三阶交调截点(IP3)：57 dBm（典型值）
• 85°C时高功率处理能力
  • 33 dBm（通过路径）
  • 27 dBm（端接路径）
• ESD额定值
  • 3.5 kV HBM，2级
• 单电源或双电源供电
  • 可选内部负电压发生器(NVG)
• 1.8 V逻辑兼容控制
• 4 mm × 4 mm、24引脚LFCSP封装

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

图18和图19显示了评估板的俯视图和横截面图，该评估板采用4层结构，铜层厚度为0.5盎司(0.7密耳)，各铜层之间采用电介质材料。

所有射频走线都在第2层布线；V1、V3和VSS dctraces在第3层上路由；V2和VDD直流走线在顶层布线；其余层为接地层，为RF传输线提供坚实的接地。顶部和底部介电材料是罗杰斯4350B，提供低损耗性能。中间的电介质材料是4450F，用于实现30密耳的总板厚。射频传输线路采用共面波导(CPWG)模型，宽度为8密耳，接地间距为10密耳，特性阻抗为50欧姆。为了实现最佳RF和热接地，尽可能多的镀通孔布置在传输线路周围和封装裸露焊盘下方。
图20显示了实际ADRF5250评估板的元件布局。两个电源端口连接到VDD和VSS测试点TP3和TP5，接地参考连接到GND测试点TP6。在数字控制和VDD电源走线上，使用旁路电容。