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当CMOS技术遇上微波传感器，更先进的雷达系统诞生了

随着武器测试技术的进步、传统的测速技术，如靶圈测试、天幕靶测试等方法因测试过程繁琐，精度较差，已不能满足实时战地测试的需要。而毫米波测速雷达将毫米波技...

2017-12-28 标签：CMOS SiGe adas 9.7k 0

SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用及GAA结构中的作用

本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高...

2024-12-20 标签：半导体工艺 SiGe 6.3k 0

使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电的完整解决方案

完整的宽带解决方案，涵盖26 GHz至44 GHz范围内的所有无线电设计。这款完整的信号链采用高度集成的宽带高性能部件，可减少元件数量，简化设计架构，加...

2018-06-06 标签：CMOS adi 宽带 6.3k 0

用于频率生成和转换的高集成度SiGe解决方案

ADI公司拓展用于微波频率生成和转换的高集成度SiGe解决方案系列，为航空飞行、汽车雷达和5G等各种客户应用提供宽带性能。

2018-06-06 标签：adi SiGe 雷达 3.9k 0

源漏嵌入SiGe应变技术简介

与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用...

2024-07-26 标签：SiGe PMOS 晶格 3.7k 0

硅锗技术增强无线电前端性能

本应用笔记介绍了硅锗如何增强RF应用中的IC性能。贾科莱托模型用于分析噪声效应。SiGe技术的更宽增益带宽表明可提供更低的噪声性能。探讨了SiGe对线性...

2023-02-24 标签：SiGe RF 无线电 2k 0

以CMOS技术实现的微型化毫米波传感器

大多数商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然...

2023-04-07 标签：SiGe adas 雷达系统 2k 0

用毫米波传感器为汽车带来高级视觉

相对于基于传统锗硅（SiGe)的传感器技术，TI基于RFCMOS的雷达传感器引入了更高的数字和模拟集成度，以实现高输出功率、低功耗（比市面上现有解决方案...

2023-04-07 标签：SiGe API 雷达传感器 1.8k 0

利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻引言

器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术...

2023-06-15 标签：半导体晶圆 SiGe 1.6k 0

用于WCDMA应用的MAX2322

MAX2322为高性能SiGe接收器前端IC，优化用于PCS （1900MHz）频段CDMA（码分多址）应用。它包括一个LNA、一个混频器和一个可选频率...

2023-02-23 标签：接收器 SiGe 混频器 1.3k 0

SiGe整流器：热稳定效率

SiGe整流器集肖特基整流器的效率与快速恢复二极管的热稳定性于一身，让工程师能够优化100-200V功率电路的设计，从而达到更高的效率。该器件面向汽车、...

2023-02-09 标签：整流器 SiGe CFP 1.2k 0

ADA4950-1低功耗、增益可选的差分ADC驱动器技术手册

ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可选版本，具有片上反馈和增益电阻。作为单端至差分或差分至差分放大器，...

2025-03-14 标签：差分放大器 SiGe ADC 1.2k 0

MAX2659 GPS/GNSS低噪声放大器技术手册

MAX2659是高增益、低噪声放大器(LNA)，设计为用于GPS、Galileo和GLONASS等应用。芯片采用Maxim先进的硅锗(SiGe)工艺，在...

2025-03-18 标签：放大器 SiGe LNA 1.1k 0

铜夹片提供高功率整流器

从封装的角度来看，这些功率二极管一直使用传统的功率器件封装，例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是，为了提高系统效率，更好地将器件的热...

2023-02-09 标签：二极管整流器 SiGe 1.1k 0

ADCLK946采用SiGe工艺的6 LVPECL输出时钟扇出缓冲器技术手册

ADCLK946是一款采用ADI公司专有的XFCB3硅锗（SiGe）双极性工艺制造的超快型时钟扇出缓冲器。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。 ...

2025-04-11 标签：缓冲器 SiGe 时钟 1k 0

ADRF6780 5.9 至23.6GHz、宽带微波上变频器技术手册

ADRF6780是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波上变频器，针对点到点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为5.9 GHz至23.6 GHz。

2025-03-28 标签：变频器 SiGe 微波 1k 0

ADCLK914超快型SiGe开集HVDS时钟/数据缓冲器技术手册

ADCLK914是一款采用ADI公司专利的互补双极性(XFCB-3)硅锗(SiGe)工艺技术制造的超快型时钟/数据缓冲器。ADCLK914具备高压差分信...

2025-04-11 标签：SiGe 时钟 adclk914 967 0

ADMV4801 24至29.5 GHz TX/RX波束形成器技术手册

ADMV4801 是一款硅锗（SiGe），频率为 24 GHz 至 29.5 GHz，毫米波，5G 波束成形器。该 RF IC 高度集成，包含 16 ...

2025-04-09 标签：SiGe RF 波束 956 0

ADCLK944 2.5 V/3.3 V、4路LVPECL输出、SiGe时钟扇出缓冲器技术手册

KADCL944是一款超快型时钟扇出缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅锗(SiGe)双极性工艺制造。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。 ...

2025-04-10 标签：缓冲器 SiGe LVPECL 931 0

ADL5562 2.6GHz 超低失真RF/IF差分放大器技术手册

ADL5562是一款专为RF和IF而优化的高性能差分放大器。该放大器在宽频范围内提供2.1 nV/√Hz的低噪声以及出色的失真性能，从而使其成为驱动8-...

2025-03-14 标签：放大器差分放大器 SiGe 925 0

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工业4.0是由德国政府《德国2020高技术战略》中所提出的十大未来项目之一。该项目由德国联邦教育局及研究部和联邦经济技术部联合资助，投资预计达2亿欧元。旨在提升制造业的智能化水平，建立具有适应性、资源效率及基因工程学的智慧工厂，在商业流程及价值流程中整合客户及商业伙伴。
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