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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突破 1.1 ...

2025-06-07 标签：SiC 功率半导体碳化硅 833 0

新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块...

2025-06-03 标签：MOSFET SiC 868 0

国产碳化硅MOSFET行业洗牌：SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰

国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰，与其视为行业危机，不如理解为市场机制的自我净化——当参数虚标、低质低价等乱象被清除，真正具备创新能力的企...

2025-06-24 标签：SiC 功率半导体碳化硅 376 0

国产SiC碳化硅MOSFET功率半导体产业可复制的战略框架与方向指引

国产碳化硅(SiC)功率半导体企业成功验证了国产碳化硅企业从“替代进口”到“全球竞合”的可行路径。随着8英寸量产窗口临近，国产碳化硅(SiC)功率半导体...

2025-06-24 标签：SiC 功率半导体碳化硅 638 0

中国SiC碳化硅功率半导体产业“结硬寨，打呆仗”的破局之路

中国SiC产业从政策扶持、技术攻坚到资本赋能的缩影。其发展揭示了中国半导体企业的共性路径：以IDM模式突破封锁，以成本优势抢占市场，以资本耐力换取技术时...

2025-06-24 标签：SiC 功率半导体碳化硅 379 0

硅基时代的黄昏：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

革命性替代：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 当效率差距跨越临界点，IGBT被淘汰便是唯一结局倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模...

2025-05-30 标签：MOSFET IGBT SiC 826 0

基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的产品力分析

从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析，中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步，具体体...

2025-06-19 标签：MOSFET SiC 碳化硅 675 0

新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOS...

2025-05-29 标签：MOSFET SiC 1k 0

浮思特 | 紧凑型SiC模块助力高功率密度车载充电器发展

电动汽车领域的发展日新月异：电动动力系统正朝着更高效率、更紧凑化的方向演进，以提升车辆自主性和续航里程。车载充电器(OBC)作为这一发展的核心部件，必须...

2025-05-29 标签：模块 SiC 车载充电器 900 0

Power Integrations发布1700 V SiC开关集成电路，专为800 V电动汽车设计

在全球电动汽车市场快速发展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)开关集成电路，专门为800V电动汽车系...

2025-05-28 标签：电动汽车集成电路 SiC 615 0

新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...

2025-05-27 标签：MOSFET SiC 1.2k 0

扬杰科技出席2025功率半导体器件与集成电路会议

此前，5月22日至24日，“2025功率半导体器件与集成电路会议”在南京熹禾涵田酒店顺利召开。扬杰科技受邀参加，董事长梁勤女士亲自参加会议，功率器件事业...

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什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组？特性是什么？主要应用哪里？

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组一、核心器件定义 ‌ IGBT（绝缘栅双极型晶体管） ‌ 电力电子领域核心开关器件，通过栅极电压...

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Wolfspeed破产重组 SiC行业格局生变

近日，行业先驱Wolfspeed被曝拟通过破产保护程序实施业务重组。这一动向折射出SiC产业激烈竞争下的洗牌趋势，也凸显中国供应链的快速崛起对传统巨头的...

2025-05-26 标签：SiC 碳化硅 822 0

选择基本半导体SiC碳化硅功率模块，赋能盘式电机驱动新纪元

传统硅基IGBT受限于开关损耗和频率瓶颈，而碳化硅(SiC)功率模块凭借材料优势，成为理想选择。基本半导体推出的BMF240R12E2G3与BMF008...

2025-06-19 标签：SiC 功率模块碳化硅 689 0

逆变焊机新时代：碳化硅（SiC）技术开启高效节能新篇章

在工业制造领域，焊接设备是核心生产力工具之一，其效率与能耗直接影响生产成本和环保标准。传统焊机多采用IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术，但在高频应用场景下...

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SiC碳化硅MOSFET驱动技术创新，赋能高效能源未来

BASiC Semiconductor（基本半导体）作为领先的碳化硅（SiC）功率器件及驱动解决方案提供商，始终致力于通过技术创新推动电力电子系统的高效...

2025-06-19 标签：MOSFET 功率器件 SiC 658 0

国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

在Wolfspeed宣布破产的背景下，国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。

2025-06-19 标签：半导体 SiC 碳化硅 719 0

国产1700V SiC MOSFET在电力电子辅助电源中的全面进口替代方案

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2025-06-09 标签：MOSFET SiC 辅助电源 468 0

基本半导体SiC功率模块：中国工商业储能变流器PCS厂商出海的“技术引擎”

在全球能源转型与碳中和目标的驱动下，工商业储能市场正经历技术代际更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模块凭借其高频高效、耐高温高压等特性，成为储能变流器(P...

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