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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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碳化硅(SiC)功率器件市场的爆发与行业展望

随着全球对电动汽车接纳度的逐渐提高，碳化硅(SiC)在未来的十年里将迎来全新的增长机遇。预计，将来功率半导体的生产商和汽车行业的运作商会更积极地参与到这...

2024-04-30 标签：电动汽车功率器件 SiC 2k 0

SiC单晶衬底加工技术的工艺流程

SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来...

2024-11-14 标签：SiC 工艺流程加工技术 2k 0

TMS320F280036C-Q1微控制器技术文档总结

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，专为提高电力电子效率而设计，包...

2025-09-30 标签：微控制器 mcu 逆变器 2k 0

皮秒激光器优化碳化硅划刻

在切割脆性 SiC 晶片时，必须减少或完全消除机械锯切的边缘崩裂现象。单晶切割还应将材料的机械变化降至最低。同时还应优先考虑最大限度地减小切口宽度，以限...

2024-09-11 标签：激光器 SiC 碳化硅 2k 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内...

2023-02-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 2k 0

如何化解第三代半导体的应用痛点

所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝...

2023-05-18 标签：半导体 SiC GaN 2k 0

提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET...

2024-08-19 标签：IGBT SiC IGBT模块 2k 0

SiC MOSFET计算损耗的方法

本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使...

2025-06-12 标签：开关电路 MOSFET 波形 2k 0

碳化硅SiC在新能源汽车中的应用分析

SiC器件的主要用途是车载设备。SiC器件可以使纯电动汽车、混合动力车的电机控制系统损失的功率降低到1/10，实现低功耗化；同时，能将新能源汽车的效率提...

2023-10-25 标签：新能源汽车 MOSFET 功率器件 2k 0

使用碳化硅基MOSFET提高功率转换效率

碳化硅（SiC）已经成为一个明确的选择，因为它已经成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有许多性能优势，特别是在效率、更高的可靠性、更少的热管理...

2023-05-24 标签：MOSFET FET SiC 2k 0

碳化硅二极管与硅相比的八大优势

宽带隙半导体使许多以前使用硅（Si）无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性，并说明了为什么碳化硅二极管（SiC）在多个指标上具有明显的优势。

2023-08-04 标签：二极管半导体晶体管 2k 0

基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展

近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶...

2023-05-25 标签：充电器晶体管场效应晶体管 2k 0

碳化硅技术如何赋能离线式开关模式电源

碳化硅（SiC）技术推动多种应用和功率系统的设计创新。与硅（Si）相比，SiC 凭借更快的开关速度、在温度范围内平稳的导通电阻 RDS(on) 和更优的...

2023-05-20 标签：电源 smps SiC 2k 0

详解GaN和SiC器件测试的理想探头

DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是Ga...

2022-11-03 标签：SiC GaN MOSFET管 2k 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET动态特性分析

SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必...

2023-06-16 标签：MOSFET 安森美 SiC 2k 0

大面积烧结的进步提高了功率模块的性能

以碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体可在功率转换应用中实现更快的开关速度、更低的损耗和更高的功率密度。随着功率半导体效率的提高，碳化...

2023-11-21 标签：SiC 氮化镓功率模块 2k 0

中国碳化硅衬底价格2024年快速滑落 800V的春天看来要到了

国际半导体IDM厂商，如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等，在中国市场仍然占据碳化硅元件的重要地位。消息人士补充，外国汽车品牌或与中国合资的汽车品牌...

2024-03-14 标签：SiC 碳化硅射频器件 2k 0

优化SiC功率器件的三个步骤

随着 SiC MOSFET 等新型功率晶体管越来越多地用于电力电子系统，使用特殊的驱动器已成为必要。通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，...

2022-08-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 2k 0

聊聊SiC在电动汽车上的应用

上期EV焦点栏目我们聊了聊电动汽车为什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的关系。今天这期，我们相对放大一下，聊聊SiC在电动汽车上的应用。

2024-01-02 标签：电动汽车 MOSFET 电池充电 2k 0

利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化

　最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 标签：SiC GaN AC-AC转换器 2k 0

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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