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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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EMI案例：交错并联SiC逆变器的环流纹波预测模型

交错并联SiC逆变器的环流纹波预测及ZVS控制策略主要从软件算法上对PWM序列进行了控制，在保证ZVS运行的同时，通过开关频率的小范围变化，实现了传导E...

2023-10-30 标签：电磁兼容 emi PWM 2.1k 0

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用...

2022-03-29 标签：SiC 碳化硅刻蚀 2.1k 0

SiC器件的工作原理与主要优势！

在追求能源效率和对高性能电力电子系统的需求不断增长的今天，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越的电气性能和热稳定性，正在变革传统功率电子技术。

2024-04-18 标签：电动汽车功率器件 SiC 2.1k 0

SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题

在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MO...

2025-05-30 标签：并联 MOSFET 驱动电路 2.1k 0

SiC MOSFET中的交流应力退化

本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应力）导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器...

2023-12-22 标签：MOSFET 半导体 SiC 2.1k 0

评估1200V SiC MOSFET在短路条件下的稳健性

由于其极低的开关损耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 为最大限度地提高功率转换器的效率提供了广阔的前景。然而，在确定这些设备是否是实际电源转换应用的实...

2022-08-09 标签：MOSFET SiC 碳化硅 2.1k 0

碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如...

2024-05-30 标签：功率器件 SiC 碳化硅 2.1k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的结构比较！

碳化硅（SiC）技术改进了各种应用中的多个系统和子系统组件。与硅相比，碳化硅通过更快的开关、在整个温度范围内的平坦RDS（on）和更好的体二极管性能表现...

2023-02-24 标签：晶体管 SiC GaN 2.1k 0

TMS320F28P650DK实时微控制器技术文档总结

TMS320F28P65x （F28P65x）是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列是可扩展、超低延迟的器件，专为提高电力电子效率而设计，包...

2025-09-29 标签：微控制器信号处理 IGBT 2.1k 0

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

2023-11-23 标签：MOSFET 电磁干扰 SiC 2.1k 0

与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点？

其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致Vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。

2023-11-29 标签：IGBT MOS PN结 2.1k 0

国产功率半导体芯片亟待突破

功率半导体在产品节能中发挥着巨大的作用。在可预见的将来，无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，将是人类消耗的最重要能源。但是75%...

2012-07-23 标签：Sic 功率半导体 IGBT技术 2.1k 0

碳化硅的特性、应用及动态测试

SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。

2024-01-09 标签：半导体 SiC 碳化硅 2.1k 0

碳化硅SiC的光学优势及应用

碳化硅（SiC）在大口径光学反射镜上的应用，主要得益于其高比刚度、优异热稳定性和宽光谱响应等特性，成为空间观测、深空探测等领域的核心材料。以下是关键应用...

2025-02-22 标签：光学 SiC 碳化硅 2.1k 0

基于SiC的优化2x250kW双逆变器

电动汽车随着汽车行业技术的进步 (HEV)，(EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 越来越受欢迎。交通系统的电气化过程需要大量电力。双逆变器技术已被用...

2022-08-03 标签：MOSFET SiC 双逆变器 2.1k 0

简述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个...

2023-02-10 标签：MOSFET SiC 宽禁带半导体 2.1k 0

碳化硅SiC功率器件的技术特点及其应用领域

随着能源转换和输电技术的发展，对高效、高速、高温工作的半导体器件需求日益增长。

2024-01-25 标签：半导体晶体管功率器件 2.1k 0

碳化硅MOSFET器件结构和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比，SiC具有许多优势，包括10倍的击穿电场强度，3倍的带隙，以及实现器件结构所需的更广泛的p型...

2022-11-21 标签：MOSFET SiC 碳化硅 2.1k 0

IGBT和SiC栅极驱动器基础知识（一）

大家好，看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档，虽然比较基础，但是概括的比较好，适合电力电子专业的初学者，总体内容如下。

2022-11-25 标签：MOSFET IGBT 功率器件 2.1k 0

AC/DC 拓扑：SpeedFit 示例

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且实用的仿真工具，可快速比较不同的系统规格、拓扑、器件甚至热参...

2023-05-22 标签：二极管变换器 PFC 2.1k 0

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