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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征及优势

关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。

2023-02-08 标签：SBD SiC 肖特基势垒二极管 2.2k 0

如何测试SiC MOSFET栅氧可靠性

随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻和高工作温度，逐渐成为高...

2025-03-24 标签：MOSFET 晶体管 SiC 2.2k 0

如何提高系统功率密度

在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷...

2023-05-18 标签：功率器件 SiC GaN 2.2k 0

如何确保SiC验证测试准确度？

SiC正在应用于功率更高、电压更高的设计中，如电动汽车(EV)电机驱动器、电动汽车快速充电桩、车载及非车载充电器、风能及太阳能逆变器及工控电源。

2023-03-27 标签：传感器测试示波器 2.2k 0

功率半导体的发展阶段碳化硅功率器件的三大优势

半导体（Semiconductor）是现代电子信息社会的物理基石，并已成为推动各种革命性变革和创新的强大驱动力，这点已是当前的社会共识。而功率器件正是半...

2023-10-31 标签：半导体晶闸管功率器件 2.2k 0

碳化硅功率半导体器件是怎样制造出来的

碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升...

2022-11-02 标签：滤波器 SiC 碳化硅 2.2k 0

为什么SiC在功率应用中战胜了Si？

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。

2023-12-11 标签：半导体 IGBT SiC 2.2k 0

RIGOL功率半导体动态性能测试解决方案

功率变换器是电能利用的重要装置，其性能主要取决于其核心—功率半导体器件，常见类型有 MOSFET、IGBT 和二极管。传统 Si 器件已逼近材料极限，成...

2025-07-29 标签：MOSFET SiC 功率半导体 2.2k 0

碳化硅的发展趋势及其在储能系统中的应用

碳化硅（SiC）技术比传统硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他技术更具优势，包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的...

2023-11-17 标签：转换器半导体 SiC 2.2k 0

碳化硅（SiC）芯片设计的一些关键考虑因素

芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。

2023-08-01 标签：MOSFET 芯片设计 SiC 2.2k 0

碳化硅衬底片比较重要的参数有哪些？

Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。

2024-05-19 标签：半导体 SiC 碳化硅 2.2k 0

混合器件的原理及应用

今天想抽出点时间来聊一下复合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚这个中文名字应该叫什么，文献里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 标签：MOSFET IGBT SiC 2.2k 0

揭秘碳化硅芯片的设计和制造

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个...

2023-04-06 标签：芯片 MOSFET SiC 2.2k 0

下一代主流SiC IGBT模块封装技术研发趋势——环氧灌封技术

今天讲解的是下一代主流SiC IGBT模块封装技术研发趋势——环氧灌封技术给大家进行学习。之前梵易Ryan对模块分层的现象进行了三期的分享，有兴趣的朋...

2024-12-30 标签：封装 IGBT SiC 2.2k 0

IGBT和SiC封装用的环氧材料

IGBT和SiC功率模块封装用的环氧材料在现代电子器件中起着至关重要的作用。以下是从多个角度对这些环氧材料的详细分析：1.热管理导热性能：环氧树脂需要具...

2024-10-18 标签：封装 IGBT SiC 2.2k 0

Wolfspeed碳化硅产品在恶劣环境中实现更优系统耐久性

可靠性是测量或方法的一致性。可靠性对我们行业的重要性再怎么强调也不为过。然而，一个必要的、可以带来可靠性阶跃式提升的概念讨论得较少：即我们 Wolfsp...

2025-12-09 标签：晶圆 SiC 碳化硅 2.2k 0

碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究

Si-Si键能大小为 310 kJ/mol，可以理解键能是把这两个原子拉开的力度，键能越大，需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å，...

2024-03-26 标签：SiC 晶片光刻机 2.2k 0

深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为

2023-12-04 标签：开关二极管电源电路 2.2k 0

如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？

扬杰科技干货分享- 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？引言随着碳化硅（SiC）MOS产品的迭代发展，SiC MOS相比于...

2025-12-02 标签：IGBT MOS SiC 2.1k 0

SiC开发板主要电路分析以及SiC Mosfet开关速率测试

罗姆这回提供的电路非常丰富，按由主及次的评测思路，我们需要对电路结构有所了解才能合理设计电路实验，特整理了电路分析的内容。

2023-02-27 标签：MOSFET SiC 开发板 2.1k 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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