LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高压 1A 峰值半桥栅极驱动器

• 符合汽车类应用标准
• 具有符合AEC-Q100标准的下列结果
  • 器件温度1级
  • 器件人体放电模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级1C
  • 器件组件充电模型（CDM）ESD分类等级C4A
• 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）
• 1A峰值输出电流（1.0A灌电流/1.0A拉电流）< /li>
• 独立的晶体管 - 晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体（TTL /CMOS）兼容输入
• 自举电源电压高达108V（直流）
• 短暂传播时间（典型值为30ns）
• 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
• 优异的传播延迟匹配（典型值为2ns）
• <源>
• 耐热增强型晶圆级小外形无引线（WSON）-8封装

应用

• 推挽转换器
• 半桥和全桥电源转换器
< li>固态电机驱动器
• 双开关正向电源转换器

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