UCC27518 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27518和UCC27519单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电源开关.UCC27518和UCC27519采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为17ns）。

当VDD = 12V时，UCC27518和UCC27519可提供峰值为4A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

UCC27518和UCC27519具有4.5V至18V的宽VDD范围，以及-40°C至140°C的宽温度范围。当前超出VDD工作范围时，VDD引脚上的内部欠压闭锁（UVLO）电路可使输出保持低电平。该器件不仅能够工作在低于5V的低电压下，还具备非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关件。

UCC27518和UCC27519的输入引脚阈值基于CMOS逻辑电路，其中阈值电压是VDD电源电压的函数。输入阈值上限典型值（V _IN-H ）是V _DD 的55％，而输入阈值下限典型值（V _IN-L ）是V _DD 的39％。阈值上下限之间的宽滞后（通常为V _DD 的16％）提供了出色的抗噪性，并且使用户能够通过在输入脉宽调制（PWM）信号与器件的INx引脚之间使用RC电路来引入延迟。

UCC27518和UCC27519的EN引脚上还特有一个可悬空的使能功能。将EN引脚置于未连接状态，可分别实现UCC27518，UCC27519与TPS2828，TPS2829之间的引脚兼容性.EN引脚的电压阈值是固定的，不会随V _DD 引脚偏置电压变化。使能阈值上限的典型值（V _EN-H ）为2.1V，而使能阈值下限典型值（V _EN-L ）为1.25V。