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CSD25481F4 P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4

数据:

描述

这款90mΩ,20V P通道FemtoFET™MOSFET的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60%以上。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402外壳尺寸)
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度0.35mm
  • 集成型静电放电(ESD)保护二极管
    • 额定值> 4kV人体放电模式(HBM)
    • 额定值>
    • 无铅且无卤素small>所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25481F4 CSD25480F3 CSD25483F4 CSD25484F4 CSD25485F5
-20     -20     -20     -20     -20    
-12     -12     -12     -12     -12    
Single     Single     Single     Single     Single    
105     159     245     109     42    
175     260     390     180     70    
800     840     1070     825     250    
-10     -10.4     -6.5     -22     -31    
-2.5     -1.7     -1.6     -2.5     -5.3    
0.913     0.7     0.96     1.09     2.7    
0.153     0.1     0.16     0.15     0.56    
0.24     0.26     0.25     0.35     0.67    
-0.95     -0.95     -0.95     -0.95     -0.95    
LGA 0.6x1.0     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x1.0     LGA 0.6x1.0     LGA 0.8x1.5    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD25481F4 相关库存