onsemi EFC6611R功率MOSFET：1节锂离子电池保护的理想之选

在电子设备的设计中，功率MOSFET是至关重要的元件，特别是在电池保护和电源开关等应用中。今天我们要介绍的是安森美（onsemi）的EFC6611R功率MOSFET，它专为1节锂离子电池保护而设计，具有诸多出色的特性。

文件下载：EFC6611R-D.PDF

产品概述

EFC6611R是一款双N沟道功率MOSFET，适用于1节锂离子电池应用，如便携式设备的电源开关。它的显著特点是低导通电阻，能够有效降低功耗，提高能源效率。该器件采用2.5V驱动，具备2kV ESD HBM（人体模型静电放电）保护，采用共漏极类型，栅极有ESD二极管保护，并且符合无铅、无卤素和RoHS标准。

关键参数

绝对最大额定值

在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 条件下，其关键参数如下：	参数	符号	值
栅源电压	(V_{gss})	(pm8V)
源极电流	(I_{s})	27A

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热阻额定值

表面安装在陶瓷基板（5000 (mm^2) x 0.8 mm）上时，热阻相关参数也有明确规定。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 时，其电气特性涵盖多个方面：

• 源极间击穿电压：(V{(BR)SSS}) 在 (I{S}=1 mA)，(V_{GS}=0 V) 条件下为12V。
• 零栅压源极电流：(I{SSS}) 在 (V{SS}=10 V)，(V_{GS}=0 V) 时最大为1A。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{GS}=pm8 V)，(V_{SS}=0 V) 时最大为 (pm1A)。
• 栅极阈值电压：(V{GS(th)}) 在 (V{SS}=6 V)，(I_{S}=1 mA) 时，范围为0.5 - 1.3V。
• 正向跨导：(g{FS}) 在 (V{SS}=6 V)，(I_{S}=3 A) 时典型值为19S。
• 静态源极间导通电阻：在不同的 (V{GS}) 和 (I{S}) 条件下有不同的值，例如在 (I{S}=5 A)，(V{GS}=4.5 V) 时，(R_{SS(on)1}) 为1.8 - 3.2 mΩ。

开关特性

其开关特性也十分重要，包括开启延迟时间 (t{d(on)})、上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和下降时间 (t{f}) 等。例如，在 (V{SS}=6 V)，(V{GS}=4.5 V)，(I{S}=3 A) 条件下，(t{d(on)}) 典型值为80ns。

总栅极电荷

在 (V{SS}=6 V)，(V{GS}=4.5 V)，(I{S}=27 A) 时，总栅极电荷 (Q{g}) 典型值为100nC。

正向源极间电压

在 (I{S}=3 A)，(V{GS}=0 V) 时，正向源极间电压 (V_{F(S - S)}) 典型值为0.75V，最大值为1.2V。

典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线，包括 (I{S}-V{SS})、(I{S}-V{GS}(th))、(R{SS(on)}-V{GS})、(R{SS(on)}-T{A})、(g{FS}-I{S})、(I{S}-V{F(S - S)}) 等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，对于电路设计和优化具有重要意义。

封装与订购信息

EFC6611R采用CSP6（1.77x3.54）封装，型号为EFCP3517 - 6DGH - 020，为无铅/无卤素封装。每盘有5000个，采用卷带包装。如果需要了解卷带规格，包括零件方向和卷带尺寸等信息，可以参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

测试电路

文档中还给出了多个测试电路，用于测量器件的各项参数。例如，测试源极间击穿电压 (V{SSS}) 和零栅压源极电流 (I{SSS}) 的测试电路1，测试栅源泄漏电流 (I_{GSS}) 的测试电路2等。需要注意的是，当测量FET2时，FET1和FET2的位置需要切换。

总结

EFC6611R功率MOSFET凭借其低导通电阻、良好的电气特性和开关特性，以及符合环保标准等优点，非常适合1节锂离子电池的充电和放电开关应用。对于电子工程师来说，在设计相关电路时，需要充分考虑其各项参数和特性，以确保电路的性能和可靠性。你在使用类似的MOSFET时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。

如果你想获取更多关于安森美产品的技术文档和在线支持，可以访问其官方网站www.onsemi.com，或者联系当地的销售代表。