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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD18535KTT CSD18535KTT

数据： CSD18535KTT 60V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

描述

这款60V，1.6mΩ，D ² PAK（TO-263）NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

特性

超低Q _g和Q _gd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
D ² PAK塑料封装

应用

次级侧同步整流器
电机控制

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18535KTT	CSD18536KTT	CSD18542KTT	CSD19505KTT	CSD19506KTT	CSD19535KTT	CSD19536KTT
60	60	60	80	80	100	100
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
2.9	2.2	5.1
2	1.6	4	3.1	2.3	3.4	2.4
400	400	400	400	400	400	400
63	108	44	76	120	75	118
10.4	14	6.9	11	20	11	17
D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
20	20	20	20	20	20	20
1.9	1.8	1.8	2.6	2.5	2.7	2.5
279	349	170	212	291	197	272
200	200	200	200	200	200	200
Yes	Yes	Yes	No	No	No	No

技术文档

数据手册（1）

CSD18535KTT 60V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

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