台积电1.4nm制程工艺研发持续，预计2027-2028年量产

在IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，台积电公开了正在研发中的1.4nm制程工艺。尽管台积电尚未透露该制程的量产时间及详细参数，但有媒体推测，鉴于2nm于2025年量产，而N2P于2026年末起量产，那么1.4nm很可能于2027至2028年间投入生产。

此外，对于台积电的1.4nm制程技术，媒体预计其名称为A14。从技术角度来看，A14节点可能不会运用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术。不过，该公司依然致力于研究该方向，希望通过第二或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术提高性能、能效及功能性。

与日俱增的制程工艺同样推动了以下几个方面：增加晶体管密集度、提升芯片性能、节约能量消耗。到目前为止，台积电始终强调需进行系统级的协同优化以最大化新节点如N2和A14的潜能，不过这无疑将给整个团队带来巨大挑战。

据悉，早在2022年，台积电便宣布将其3nm工艺研发团队转作1.4nm工艺研发团队；与此同时，三星亦计划采取类似行动。