在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,台积电公开了正在研发中的1.4nm制程工艺。尽管台积电尚未透露该制程的量产时间及详细参数,但有媒体推测,鉴于2nm于2025年量产,而N2P于2026年末起量产,那么1.4nm很可能于2027至2028年间投入生产。
此外,对于台积电的1.4nm制程技术,媒体预计其名称为A14。从技术角度来看,A14节点可能不会运用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术。不过,该公司依然致力于研究该方向,希望通过第二或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术提高性能、能效及功能性。
与日俱增的制程工艺同样推动了以下几个方面:增加晶体管密集度、提升芯片性能、节约能量消耗。到目前为止,台积电始终强调需进行系统级的协同优化以最大化新节点如N2和A14的潜能,不过这无疑将给整个团队带来巨大挑战。
据悉,早在2022年,台积电便宣布将其3nm工艺研发团队转作1.4nm工艺研发团队;与此同时,三星亦计划采取类似行动。
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