台积电2nm制程进展顺利

据台积电供应链合作伙伴表示，台积电将如期采用GAA（全栅极环绕）技术来生产2nm制程节点，位于新竹科学园区的宝山P1晶圆厂，最早将于4月份开始安装设备，P2工厂和高雄工厂将于2025年开始生产采用GAA技术的2nm制程芯片。

由于台积电2nm制程进展顺利，宝山、高雄新晶圆厂的建设也在顺利进行中。台中科学园区已初步规划A14和A10生产线，将视市场需求决定是否新增2nm制程工艺。

关于台中晶圆厂二期项目，台积电仍在评估客户需求，并将在2027年决定该厂将采用2nm还是A14工艺节点。台积电2nm技术的顺利开展，也为ASML、应用材料以及多家中国台湾供应商带来商机。

2023年第三季度，台积电3nm工艺节点的营收占比约为6%左右，到目前为止3nm月产能已逐步增加到10万片，预计2024年对收入的贡献比重将更高。3nm节点中，继N3B之后，性能更好的N3E于2023年第四季度开始量产，此外N3P、N3X工艺也将满足各类客户的需求。

关于台积电2nm技术，预计将于2025年量产，客户对其兴趣浓厚，特别是在HPC高性能计算、智能手机这两项应用领域。目前英特尔已经取得ASML首台High-NA EUV光刻机，每台价值约4亿欧元。尽管台积电尚未公布这类设备的采购计划，但最新光刻机是实现2nm制程工艺所必需的。

审核编辑：黄飞