0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

是德科技和Ansys携手为4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

actSMTC 来源:是德科技快讯 2023-10-10 18:22 次阅读

新参考流程采用台积电 N4PRF 制程,提供了开放、高效的射频设计解决方案

强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率

综合流程可提高设计效率,实现更准确的仿真,从而更快将产品推向市场

2023年10月9日,是德科技(Keysight Technologies,Inc.)、新思科技公司Nasdaq:SNPS)和 Ansys 公司(Nasdaq:ANSS)宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。

N4PRF 制程是半导体代工企业台积电所拥有的先进 4 纳米(nm)射频(RF)FinFET 制程技术。这个参考流程是以新思科技的定制设计产品系列为基础而构建,提供了完整的射频设计解决方案,以满足客户对开放式射频设计环境以及更高预测准确度和设计效率的需求。

该参考流程为设计人员提供了出色的解决方案选项,并且成功集成了是德科技的射频集成电路(RFIC)设计与交互式电磁(EM)分析工具,以及 Ansys 的 EM 建模和电源完整性签核解决方案。

下一代无线系统将具有更大带宽,支持更多设备联网,其通信延迟更短,并且覆盖范围更广。用于无线数据传输的射频集成电路(如收发信机和射频前端元器件)设计变得越来越复杂。

面对更高的电路频率、更小的尺寸和复杂的版图相关效应,通过物理方式研发高速设计的传统方式将遇到重重挑战。为了实现先进的性能和强健的产品可靠性,设计人员需要更准确、更全面的建模及仿真功能。

台积电 N4PRF 设计参考流程可在新思科技定制编译器 设计和版图环境中,使用低噪声放大器(LNA)和 LC 调谐压控振荡器(LC VCO)等关键设计组件对设计进行严格验证,从而有效缩短设计交付时间,提高版图设计效率。参考流程配备了先进的工具,可实现高效的无源器件合成、EM 模型提取、包含器件金属的热感知电迁移分析,以及支持正确处理电感电路(CUI)结构的版图后期提取。

除了新思科技定制编译器之外,这个开放的现代参考流程还包括:Synopsys PrimeSim 仿真工具和 PrimeSim 可靠性环境,可提供签核准确度电路仿真;以及 Synopsys IC Validator 和 Synopsys StarRC,可提供签核实体验证和提取解决方案。

Ansys Totem 可提供热感知签核电迁移验证和电源完整性分析(EM/IR)。

RaptorX 和 Exalto 提供电磁建模功能,并具有独特的 CUI 功能,可显著减少空间占用。

VeloceRF 针对多层螺旋电感器、平衡-不平衡转换器/变压器和传输线等电磁器件提供了全自动芯片版图合成。Keysight PathWave ADS RFPro 则提供了快速、交互式的电磁电路联合仿真和分析,可协助设计人员在开发期间提前发现并修复版图相关效应。

PathWave RFIC 设计(GoldenGate)支持在早期芯片设计和验证过程中进行谐波平衡仿真。

是德科技副总裁兼 EDA 事业部总经理 Niels Faché 表示:“是德科技、新思科技和 Ansys 已经扩大与台积电的战略技术合作,为台积电先进的 4nm 射频技术提供更高水平的射频设计能力。我们目睹了射频设计人员使用前几代解决方案和流程的各种不便,这些旧解决方案和流程已经无法满足如今的 WiFi-7 片上系统和射频子系统设计需求。要应对新的版图相关效应,设计人员必须具备详细的仿真和建模能力,并且必须能够准确签核。其他商用工具和工作流程无法满足如台积电这类顶尖芯片制造企业的严苛要求,通常也没有能力对包含数百个耦合信号端口的现代模拟设计进行建模。”

新思科技战略与产品管理 EDA 集团副总裁 Sanjay Bali 表示:“新思科技、Ansys 和是德科技一直利用在定制模拟、射频和多物理场设计方面数十年的专业技术,为我们共同的客户降低风险,并帮助他们加速实现成功。我们与 Ansys 和是德科技最近再次携手,为台积电先进 N4P 制程提供新的射频设计参考流程。这是一个开放、优化的流程,可为先进 WiFi-7 系统提供高质量的结果。”

Ansys 公司电子半导体光学业务副总裁兼总经理 John Lee 表示:“随着射频频率攀升至毫米波和亚太赫兹范围,多物理场为我们的客户带来了新的挑战,包括优化功率、空间占用、可靠性和性能等等。客户想要一次就设计出成功的产品,需要在整个设计流程中都采用高性能的解决方案。我们与是德科技和新思科技正在携手与台积电开展紧密合作,将我们先进的电源完整性和电磁建模技术引入定制设计流程中,从而满足高速电路设计人员的需求。”







审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 转换器
    +关注

    关注

    27

    文章

    8212

    浏览量

    141972
  • 压控振荡器
    +关注

    关注

    10

    文章

    115

    浏览量

    29172
  • 射频集成电路

    关注

    5

    文章

    29

    浏览量

    16834
  • FinFET
    +关注

    关注

    10

    文章

    247

    浏览量

    89696
  • 射频设计
    +关注

    关注

    0

    文章

    48

    浏览量

    8464

原文标题:是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

文章出处:【微信号:actSMTC,微信公众号:actSMTC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    Ansys与SynMatrix合作,简化无线通信射频滤波器设计工作流程

    Ansys扩展其电子系列产品组合,以简化无线通信射频滤波器设计工作流程
    的头像 发表于 04-08 09:45 181次阅读
    <b class='flag-5'>Ansys</b>与SynMatrix合作,简化无线通信<b class='flag-5'>射频</b>滤波器设计工作<b class='flag-5'>流程</b>

    采用3nm制程 联发科天玑9400性能将超越骁龙8 Gen4

    3nm制程行业资讯
    北京中科同志科技股份有限公司
    发布于 :2024年02月01日 09:29:15

    新思科技携手Ansys和三星共同开发14LPU工艺的全新射频集成电路设计

    新思科技(Synopsy)近日宣布,携手Ansys 、三星半导体晶圆代工(以下简称“三星”)共同开发了面向三星14LPU工艺的全新射频集成电路(RFIC)设计参考
    的头像 发表于 12-11 18:25 486次阅读

    22nm技术节点的FinFET制造工艺流程

    引入不同的气态化学物质进行的,这些化学物质通过与基材反应来改变表面。IC最小特征的形成被称为前端制造工艺(FEOL),本文将集中简要介绍这部分,将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 FinFET 的工艺流程,解释了 FE
    的头像 发表于 12-06 18:17 1439次阅读
    22<b class='flag-5'>nm</b>技术节点的<b class='flag-5'>FinFET</b>制造工艺<b class='flag-5'>流程</b>

    台积电7nm制程降幅约为5%至10%

    据供应链消息透露,台积电计划真正降低其7nm制程的价格,降幅约为5%至10%。这一举措的主要目的是缓解7nm制程产能利用率下滑的压力。
    的头像 发表于 12-01 16:46 546次阅读

    三星突破4nm制程良率瓶颈,台积电该有危机感了

    三星已将4nm制程良率提升到了70%左右,并重点在汽车芯片方面寻求突破。特斯拉已经将其新一代FSD芯片交由三星生产,该芯片将用于特斯拉计划于3年后量产的Hardware 5(HW 5.0)计算机。
    的头像 发表于 12-01 10:33 1152次阅读
    三星突破<b class='flag-5'>4nm</b><b class='flag-5'>制程</b>良率瓶颈,台积电该有危机感了

    新思科技携手合作伙伴面向台积公司N4PRF工艺推出全新射频方案

    全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。
    的头像 发表于 11-27 16:54 433次阅读

    三星代工获AMD大单!

    内情人士透露,AMD採用Zen 5c架构的新一代芯片包含众多型号,其中低阶芯片将由三星4nm制程代工,高阶芯片则由台积电3nm制程代工。业界认为台积电3
    的头像 发表于 11-17 16:37 370次阅读

    新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

    是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该
    发表于 10-30 16:13 127次阅读

    高通或成为台积电3nm制程的第三家客户

    苹果已经发布了基于台积电3nm制程的A17 Pro处理器。最近,有消息称,高通的下一代5G旗舰芯片也将采用台积电3nm制程,并预计会在10月下旬公布,成为台积电3
    的头像 发表于 09-26 16:51 1449次阅读

    高通骁龙8 Gen3将分4nm/3nm两版

    高通推出骁龙8 Gen 3处理器两个版本的原因是什么?目前还没有确切的消息。s骁龙8 Gen1及骁龙8+ Gen1处理器于2022年上市,骁龙8 Gen1处理器为三星4纳米打造,骁龙8+ Gen1处理器采用台积电4nm制程
    的头像 发表于 09-26 11:48 1335次阅读

    突破!国产3nm成功流片,预计明年量产

    据21ic了解,联发科技2022年11月发布的“天玑9200”旗舰芯片,首次采用了台积电第二代4nm制程工艺;而即将在今年下半年发布的“天玑9300”,据说仍会采用台积电4nm工艺。由此推测,明年的这款3
    的头像 发表于 09-11 17:25 6422次阅读
    突破!国产3<b class='flag-5'>nm</b>成功流片,预计明年量产

    Ansys为英特尔16nm工艺节点的签核验证提供支持

    Ansys多物理场平台支持英特尔16nm工艺的全新射频功能和其他先进特性,能够通过与芯片相关的预测准确性来加速完成设计并提高性能
    发表于 08-15 09:27 329次阅读
    <b class='flag-5'>Ansys</b>为英特尔16<b class='flag-5'>nm</b>工艺节点的签核验证提供支持

    英特尔全新16nm制程工艺有何优势

    英特尔独立运作代工部门IFS后,将向三方开放芯片制造加工服务,可能是为了吸引客户,英特尔日前发布了全新的16nm制程工艺。
    的头像 发表于 07-15 11:32 802次阅读

    顶级组合!新思科技联合三方推出全新射频设计流程,引领自动驾驶新革命

    针对台积公司16FFC的79GHz毫米波射频设计流程加速自动驾驶系统中射频集成电路的开发。 新思科技、Ansys和是德科技近日宣布,推出针对台积公司16纳米精简型工艺技术(16FFC)
    的头像 发表于 05-17 05:45 256次阅读
    顶级组合!新思科技联合三方推出<b class='flag-5'>全新</b><b class='flag-5'>射频</b>设计<b class='flag-5'>流程</b>,引领自动驾驶新革命