TO-3P封装详解 TO-3P封装对比及选型

TO-3P封装

Part Numbe	ID（A）	VDSS（V）	RDS（ON）
KIA9N90H	9	900	1.12
KIA10N80H	10	800	1.1
KIA16N50H	16	500	0.38
KIA18N50H	18	500	0.32
KIA20N40H	20	500	0.26
KIA24N50H	24	500	0.2
KNH8150A	30	500	0.2
KNH9120A	40	200	0.065
KA40N20A	40	200	0.1
KIA2906A	130	60	0.007
KIA2808A	150	80	0.0045
KIA2806A	150	80	0.0045

常见的MOS管封装有：
①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；
②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。

 

不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下
TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流（电流10A以上、耐压值在100V以下）在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。

TO-220/220F：这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

 

TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。

TO-92：该封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。

TO-263：是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

TO-252：是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。

SOP-8：该封装同样是为降低成本而设计，一般在50A以下的中压、60V左右的低压MOS管中较为多见。

 

SOT-23：适于几A电流、60V及以下电压环境中采用，其又分有大体积和小体积两种，主要区别在于电流值不同。

DFN：体积上，较SOT-23大，但小于TO-252，一般在低压和30A以下中压MOS管中有采用，得益于产品体积小，主要应用于DC小功率电流环境中。