功率半导体的N和P掺杂浓度技术探讨
01
导率型号的符号上去的, 表示电导型号的符号上的, 用来表示掺杂水平。
- 和 P
表示具有比临近区域更
掺杂水平的N和P层N+ 和 pr 表示具有比临近区域更
掺杂水平的N和P层
02
N- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3
P- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3
03
N 典型掺杂范围 1015~1018/cm3
P 典型掺杂范围 1015~1018/cm3
041
N+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3
P+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3
一个功率器件在其内部包含有一个弱掺杂N-区域
重掺杂N++和P++层接近金属化表面
审核编辑 黄宇
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