看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存储HBM不再是唯一热门，更多存储芯片与AI推理芯片结合，拥有了市场机会。 已经有不少AI推理芯片、存算一体芯片将SRAM替代DRAM，从而获得更快的访问速度、更低的刷新延迟等。 静态随机存取存储器（Static
2025-03-03 08:51:57
2677 
SRAM（静态随机存储器）是一种在通电状态下可保持数据不丢失的存储器件，无需刷新即可持续工作，因此具有高速读写、响应及时的特点，广泛应用于对实时性要求高的场景。
2025-12-08 16:51:57443 
使用DMA将数据从FLASH传输到SRAM
下载示例
演示AT32F系列使用DMA将数据从FLASH传输到SRAM的使用方法。
注：本例程对应的代码是基于雅特力提供的V2.x.x 板级支持包
2025-12-03 16:26:37
在内存技术持续革新的今天，SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）依然是计算系统中最核心的存储组件。尽管出现了MRAM、ReRAM等新兴存储方案，但二者凭借成熟的设计与明确
2025-12-02 13:50:46869 Cypress赛普拉斯512Kbit FRAM凭借微秒级写入、10^14次擦写寿命及151年数据保留，为车载黑匣子EDR提供高可靠数据存储。其-40℃~105℃车规级工作范围确保碰撞数据完整记录，满足汽车安全法规严苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
MRA、MRB、SAR、DAR、CRA和CRB这些都是属于DTC内部的寄存器，它们是无法通过CPU直接访问的。这些DTC内部寄存器中设置的值作为传输信息放置在SRAM区域中。当生成激活请求时，DTC
2025-11-28 15:50:584483 
运动控制领域，通常需要外扩FPGA实现高速脉冲收发、高速探针锁存、比较输出等功能，ARM和FPGA之间的接口通常选择并口（Localbus）或SPI接口。
FET153-S核心板引出了并口接口，但
2025-11-28 14:13:39
在各类电子设备与嵌入式系统中，存储器的性能与功耗表现直接影响着整体设计的稳定与效率。低功耗SRAM，特别是异步SRAM系列，凭借其出色的能效比与高可靠性，正成为越来越多工业控制、通信设备及便携终端中的关键部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
2025-11-25 14:28:44275 VS Code运行 pytest_hello_world.py
2025-11-24 00:33:33442 DRAM利用电容存储数据，由于电容存在漏电现象，必须通过周期性刷新来维持数据。此外，DRAM采用行列地址复用设计，提高了存储密度，但增加了控制复杂性。它广泛用于大容量、低成本存储场景，如计算机内存。
2025-11-18 11:49:00477 在现代高性能电子系统中，存储器的读写速度往往是影响整体性能的关键因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在这一需求下发展起来的重要
2025-11-18 11:13:01244 富士通16Kbit FRAM凭借微秒级写入速度与10万亿次擦写寿命，为图传模块提供高可靠性数据存储。其SPI接口与工业级温度范围（-40℃~85℃）完美适配无人机、安防监控等场景的实时数据记录需求。
2025-11-18 09:48:00317 
在处理器性能持续攀升的今天，存储系统的速度已成为制约整体算力的关键瓶颈之一。作为最接近CPU核心的存储单元，SRAM（静态随机存取存储器）承担着高速缓存的重要角色，其性能直接影响数据处理效率。当前
2025-11-12 13:58:08457 PSRAM（伪静态随机存储器）是一种兼具SRAM接口协议与DRAM内核架构的特殊存储器。它既保留了SRAM无需复杂刷新控制的易用特性，又继承了DRAM的高密度低成本优势。这种独特的设计使PSRAM在嵌入式系统和移动设备领域获得了广泛应用。
2025-11-11 11:39:04499 我目前正在使用EZ-USB™ CX3（MIPI CSI-2 到超高速USB桥接控制器）开发固件。
我想知道如何检查或估算该设备的SRAM 使用量。
由于 CX3不支持 JTAG 访问，我无法使用典
2025-11-11 06:33:59
在要求高性能与高可靠性的电子系统中，存储器的选择往往成为设计成败的关键。Netsol推出的高速异步SRAM系列，凭借其出色的性能表现与独有的错误校正（ECC）能力，为工业控制、通信设备及高精度计算等应用提供了值得信赖的存储解决方案。
2025-11-05 16:21:39284 上一篇文章介绍了如何在VS code中使用瑞萨官方插件为RA芯片创建项目与项目调试，相信大家对RA在VS code中的开发有了基础的了解。
2025-11-05 14:46:311250 
大家好，本团队此次分享的内容为可实现数据全复用高性能池化层设计思路，核心部分主要由以下3个部分组成；
1.SRAM读取模块；——池化使用的存储为SRAM
基于SRAM读与写时序，约束池化模块读与写
2025-10-29 07:10:56
PSRAM全称为pseudo SRAM，一般叫伪静态SRAM,串行PSRAM具有类似SRAM的接口协议，给出地址，读、写命令，就可以实现存取，不同于DRAM需要用到memory controller来控制内存单元定期数据刷新
2025-10-27 16:04:47450 非挥发性存储器，如NAND、NOR Flash，数据在掉电后不会丢失。这类存储器通常速度比较慢，可以做资料和大数据存储。
2025-10-27 15:14:39310 在存储解决方案中，外置SRAM通常配备并行接口。尽管并口SRAM在数据传输率方面表现卓越，但其原有的局限性也日益凸显。最明显的挑战在于物理尺寸：不论是占用的电路板空间或是所需的引脚数量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 本篇将详细介绍如何利用Verilog HDL在FPGA上实现SRAM的读写测试。SRAM是一种非易失性存储器，具有高速读取和写入的特点。在FPGA中实现SRAM读写测试，包括设计SRAM接口模块
2025-10-22 17:21:384118 
电机驱动EMC整改：传统VS智能，性价比之争｜深圳南柯电子
2025-10-21 10:13:33354 CIU32D695x8 ARM Cortex-M0+ 32-bit MCU，64KB Flash ，6KB SRAM ， DMA ，2x UART ， I2C ，2x SPI ， Timers
2025-10-20 11:37:02801 
ADSP-21060LCW-160内容介绍： 哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是一款处理器——ADSP-21060LCW-160。 它拥有一个令人惊叹的计算核心，能够以每秒 4000 万条指令（40 MIPS）的速度运行，更令人瞩目的是，它每秒可以完成高达 1.6 亿次浮点运算（160 MFLOPS）。这
2025-10-15 12:01:31
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工业级FRAM，150ns极速写入、1万亿次擦写、-40℃~+85℃宽温，I²C接口低功耗，SOP-8小封装，为PLC、电表、编码器等边缘节点提供高可靠非易失存储。
2025-10-10 09:45:00307 Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是随机存取存储器器件，可通过兼容串行外设接口 (SPI) 的串行总线访问。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通过串行外设接口 (SPI) 兼容总线访问的随机存取存储器器件。该SRAM
2025-10-09 11:12:55561 富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1为LED显示系统提供高速、高耐久性数据存储方案，支持纳秒级写入与10^12次擦写，解决传统存储器延迟高、寿命短问题，适用于智能交通、户外广告等严苛环境，显著提升系统响应与可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
在此前的文章《SRAM PUF：为每颗芯片注入“不可复制的物理指纹”，守护芯片安全》中，我们探讨了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介绍了SRAM PUF作为一种安全可靠、经济
2025-09-05 10:46:161153 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速异步SRAM，采用55ns访问速度、2.5V~3.6V宽电压设计，支持-40℃~85℃工业级温度范围，适用于车载导航、工业控制及通信设备等高可靠性场景。
2025-09-04 10:00:00534 8月29日，广汽集团发布2025年半年度报告。报告期内，公司合并口径营业总收入约426.11亿元。公司资产负债率为44.65%，财务健康水平进一步提高。
2025-09-01 10:50:551265 Cypress 64Kbit FRAM以纳秒写入、万亿次擦写、微瓦功耗，破解手持检测器数据丢帧、寿命及续航痛点，覆盖-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天续航，零掉电丢数。
2025-08-28 09:45:00434 使用 NUC505 时如何将代码放入 SRAM 中执行？
2025-08-28 08:25:40
如何保持SRAM的状态，并在芯片复位时不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如何保持SRAM的状态，并在芯片复位时不初始化？
2025-08-21 07:17:17
如何在Keil开发环境中查看代码大小和SRAM使用情况？
2025-08-20 06:38:41
两个总线能不能同时使用，用了华邦的SDRAM发现SDRAM数据高概率读写错误，但是用ISSI的没问题。如果不对外部SRAM读写就正常。
2025-08-12 06:56:57
如今我们所生活的互联世界依赖于数以亿计的芯片。社会正常运转所需的芯片数量之大，令人惊叹，因此保护芯片安全的技术至关重要。
2025-08-11 16:18:131127
AD7606BSTZ引脚配置：OS0/OS1/OS2=0;RANGE=0; REF SEL=0; STBY=0;REFIN外接5v，采样频率10khz，并口模式，STM32F103fsmc读取，采集5v基准得到数值0X76F6,而不是0X7FFF,采集其它电压，等比例缩小，请问什么原因呢？
2025-07-28 08:20:47
赛普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI总线、10¹²次擦写寿命和100 krad(Si)抗辐射能力，取代呼吸机中EEPROM与SRAM加电池的传统方案，为智能生命支持系统提供原子级可靠的数据存储基石。
2025-07-24 11:25:44521 
= 0x102a26db, LR = 0x7ffffff
同样的逻辑在SRAM0,SRAM1,SRAM2,和code flash的ecc inject测试暂时都没有出现过这类问题。 work flash需要做什么特殊的操作吗？
2025-07-18 06:19:51
各位大佬，我们实验室有一台设备，以一个单片机作为微型计算机，有一个db25并口输出接口用来连接针式打印机，我现在想把它跟工控机连接起来读取其输出数据，联系过厂家说他们没有做这种功能，但是既然可以连接
2025-07-15 17:42:52
一般我们开发MCU自带的SRAM，对一般应用来说，已经够用了，但是对于内存需求较高的场合，比如跑GUI或者算法等，自带的内存会就不够用，这个时候就要外扩SRAM或SDRAM。
2025-07-15 09:33:091781 
客户要求Flash driver不能存储在Flash中，需要在升级的时候，由CAN FBL发送到SRAM中，再运行SRAM中的Flash driver
我应该如何实现这个要求？如何能把Flash driver分离成一个单独的部分，再由CAN FBL加载到SRAM中?你们有相关的文档和示例程序吗？
2025-07-15 07:22:16
电子发烧友网综合报道，Marvell 美满电子当地时间 17 日宣布推出业界首款 2nm 定制 SRAM，可为 AI xPU 算力设备提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上缓存。Marvell
2025-06-21 00:57:007264 CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 产品特点及核心优势：核心特点接口与模式支持 SPI（单线） 和 QPI（四线） 模式，默认上电为 SPI 模式，可通过指令切换至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圆厂委托， 季丰在执行完SRAM芯片在中子辐射下SER测试后， 通过对SRAM芯片的深入研究，对测试失效数据的分析，将逻辑失效地址成功转换为物理坐标地址，最终在图像上显示失效位置，帮助客户直观地看到失效点分布位置。 通过多个失效芯片图像的叠加，客户可以看到多个芯片失效积累效果。
2025-06-03 10:08:45862 
我对 PMG1 闪光灯有疑问。
1.微控制器读取闪存中的软件信息时，软件信息部署在哪里？ 是 SRAM 吗？
2.微控制器加载软件时，在部署之前是否检查 SRAM 是否复位？
2025-05-23 06:22:31
在工业通信领域，技术革新与突破始终是推动行业发展的核心动力。今天，为大家带来基于DSMC/FlexBus并口的RK3576J与FPGA通信方案，核心板国产化率高达100%，为工控场景带来高效、稳定的通信新体验。
2025-05-21 11:51:051687 
为大家带来基于DSMC/FlexBus并口的RK3576J与FPGA通信方案
2025-05-20 11:45:184103 
你好。我是CYUSB3的初学者。
我想创建一个使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 访问 SRAM 的应用程序。
目前我已经在我的电脑上安装了SDK，但是有什么参考资料吗？
2025-05-14 06:51:40
DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。
DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字节加密SRAM的安全
2025-05-13 11:22:05618 
规格型号：T19264M02外形尺寸：120.0mm*62.0mm视窗尺寸：104.0mm*39.0mm控制芯片：7920带中文字库接口方式：并口/串口工作电压：5.0V或3.3V规格型号
2025-04-28 10:50:33
规格型号：T12864C065A外形尺寸：65mm*41mm，视窗尺寸：61.5*31.5mm，控制芯片：ST7565，接口方式：并口或SPI串口，工作电压：3.3V，显示效果：白底黑字、绿底黑字
2025-04-28 10:43:03
产品型号：T12232M6529A外形尺寸：65.4*29.0*5.8MM视窗尺寸：60.0*19.0MM通讯接口：并口/SPI/3.3V/5V/排线接口控制芯片：ST7565工作电压
2025-04-27 16:33:02
UV-EPROM的结构与使用方法，闪速存储器的结构与使用方法，EEPROM的结构与使用方法， SRAM的结构与使用方法， 特殊的SRAM的结构与使用方法 ，DRAM的结构与使用方法，
2025-04-16 16:04:56
我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有没有办法从 .map 文件确定 SRAM 使用情况。
非常感谢帮助。
2025-04-08 06:00:58
中小尺寸彩屏TFT-LCD显示控制器RA8889ML3N电路原理图，最高驱动1366*2048分辨率，支持并口/串口（SPI）主控接口，支持图形绘图引擎，支持JPEG视频硬解码. 原理图和PCB图资料如下:*附件：RA8889_EV_Board_202006118.zip
2025-04-03 14:33:52
如何使用 S32 Design Studio for ARM 将自定义数据放入 SRAM 中以进行S32K146？
2025-04-01 08:27:32
我在定制硬件中使用S32K312 IC （单核）。我已使用 RTD SDK 创建了该项目。
我看到有以下 RAM（大分区）可供我们使用（根据生成的链接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
除了运算、控制和存储部件，海波阔系统需要的一些通用的外部接口，如中断控制器、看门狗、计数器、串口和并口等。
MCU主要应用于要求不高的场合。
中央处理器(CPU)
中央处理器(CPU)是通用
2025-03-23 09:47:39
PT5F2306 是一款 51 内核的触控 A/D 型 8 位 MCU，内置 16K*8bit FLASH、内部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、触控检测、12 位高精度
2025-03-17 17:25:28
0 采用STM32F427+FPGA+Flash。
STM32通过FMC总线访问FPGA内部SRAM，起始地址为0x60000000；
Flash中存储FPGA的配置数据，STM32和FPGA均可
2025-03-12 07:59:54
SRAM16 KB RTC SRAM最大 8 MB Quad SPI flash2 MB 嵌入式 PSRAM（仅 ESP32 - S3FH4R2 芯片）Wi -
2025-03-07 14:46:59
本书主要介绍了UV-EPROM的结构和使用方法，闪速存储器的结构和使用方法，EEPROM的结构和使用方法， SRAM的结构与使用方法，特殊的SRAM的结构与使用方法，DRAM的结构与使用方法，
2025-03-07 10:52:47
两块SRAM分别位于不同的基地址，有什么方法可以使这两块区域SRAM当成一块使用
2025-03-07 08:59:10
，520KB SRAM，16KB RTC SRAM模组集成元件40MHz 晶振4/8/16MB SPI flash（可选），ESP32-DOWDR2-V3 芯片另内置 2
2025-03-06 19:42:35
MSP430™超低功耗（ULP）FRAM平台将独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM技术以低很多的功耗将SRAM的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。
2025-03-04 17:11:151075 
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的单片机，专为Wi-Fi /蓝牙通信控制而设计；能够实现指纹的图像采集、特征提取、特征比对，可应用于智能锁；支持大型程序代码和拥有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU应用。
2025-03-04 09:27:09762 带幻象时钟的DS1243Y 64K NV SRAM是一款内置实时时钟、完全静态的非易失性RAM（结构为8192个字x 8位）。DS1243Y具有独立的锂能源和控制电路，可持续监控VCC是否发生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44:58891 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:38:41748 
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10:50932 
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
我们项目里面只用到了mipi接口，请问下如何处理不用的并口输入呢？
规格书中在第7页有描述PDM_CVS_TE,VSYNC_WE,HSYNC_CS,DATAEN_CMD需要下拉，但没有明确说PCLK和PDATA【0~23】该如何处理，
请问下PCLK和PDATA【0~23】该如何处理呢？
2025-02-27 08:43:29
DS3232是低成本温度补偿晶体振荡器(TCXO)，内置精度极高的温度补偿实时时钟(RTC)以及236字节电池备份SRAM。此外，DS3232还具有电池输入，可在器件主电源掉电时保持精确计时。集成晶
2025-02-26 15:05:231007 
DS3232M是一款低成本、极其精确的I2C实时时钟（RIC），具有236字节的电池支持SRAM。该设备集成了电池输入，并在设备主电源中断时保持精确的计时，微机电系统（MEMS）谐振器的集成提高了
2025-02-26 13:58:471055 
问下我如果只用到DLPC3433的mipi输入，将并口进行接地处理（如下图）会不会对mipi-dsi的使能有影响呢？
2025-02-26 06:54:29
请问如果仅仅使用MIPI DSI，并口不用。那么如果有些并口引脚悬空，那么会影响MIPI的使能吗?
2025-02-26 06:01:27
结果变化，因此RGB并口上发出的两帧图片间隔可能会比较长（下图Frame TIme时间）。请问这种情况下DLPC900对VSYNC的间隔是否有最小时间要求？比如必须固定60Hz之类的？
另外，请问如果我们去掉EVM的IT6535的话，是否不能直接使用官网上的FW和GUI？
2025-02-24 06:45:02
3.5英寸高清智能串口屏 8位MCU并口通信的COG裸屏 或带驱动板232串口通信的智能屏
2025-02-18 14:49:36824 
),
通过并口传输，在RGB888模式下，图片大小为1920*1080*24bit， 如果时钟频率是100MHz，需要多久能传输完毕？和速度1440 Hz (1-bit) and 180 Hz (8-bit)有何关系？多谢
2025-02-18 07:21:58
规格型号：T160160C027B分 辨 率：160*160外形尺寸：65.5*71.5视窗尺寸：60.0*60.0显示模式：FSTN工作电压：3.3V通讯接口：SPI或8位并口，FPC焊接"
2025-02-17 13:58:401
你好。我选用的是TI的ths1230与DSP2812之间直接并口连接，进行数据采集，时钟频率为12.5MHZ，也即采样率为12.5MHZ，XINTF选用的是ZONE6。但DSP读AD的数据
2025-02-11 06:55:58
产品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（静态随机存取存储器），专为高速数据存储和处理而设计。该器件具有快速的访问时间和较高的数据传输速率，广泛应用
2025-02-09 22:38:10
这次采用ads8548作为AD芯片，采用pdf上的电路，用的是硬件模式，采集电压给的都是1V，busy信号也出来了，为什么从并口读出来的数都是全0呢？
2025-02-05 07:19:59
时的频率PWM正常、产生500K频率时在上升沿和下降沿有些尖脉冲、达到10M时PWM波直接失真变形成了类似正弦波）；二是告诉ADC的并口输出的数据处理问题（我们目前使用的ADC12040为12位并口输出
2025-01-24 06:51:37
实践ADS1605
因为设计要做ADS解码专用，所以找来找去用到了ADS1605这个芯片，并口设计，信号可以识别小信号的。
因为买的是专业板子，所以上面都集成好了。
板子流程图。
用到解码流程图
效果还不错，就是数据容易受到干扰的。
2025-01-21 07:58:03
软件设置，并口。内部参考电压。REFIO 和 REFN 引脚通过0.47uF电容，REFN接地。配置寄存器为0X8C0083FF。
BUSY引脚监测读取数据，数据不正确。测量REFIO引脚电压为0.
看手册，REFIO引脚应该是内部参考的输出啊。请问哪儿出问题了。
2025-01-16 06:47:28
交流充电桩VS直流充电桩，您真的清楚它们的区别吗？
2025-01-14 11:24:502863 
的内部存储器进行指令获取，F-CBUS的目标是内部Flash、外部存储器（QSPI_flash）、BLE和内部SRAMs SRAM0 SRAM1 SRAM2和SRAM3。类似的 SBUS是RISC-V
2025-01-11 23:26:36
需要2个单片机同时都能访问SRAM,需要把2个单片机的总线通过开关进行切换，查了SN74CBTLV16292 芯片，是属于FET multiplexer/demultiplexer ，头一次用这个
2025-01-09 08:24:26
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