探索KYOCERA AVX薄膜RF/微波低通滤波器的卓越性能 在当今高速发展的电子科技领域，RF/微波滤波器对于保障信号的稳定传输和处理起着至关重要的作用。KYOCERA AVX推出的一系列0805
2026-01-05 17:00:17
57 探索HMC1082CHIP：5.5 GHz - 18 GHz GaAs pHEMT MMIC中功率放大器 在微波和射频领域，高性能的放大器一直是关键组件。今天要给大家详细介绍的是Analog
2026-01-05 14:55:1518 2 GHz to 28 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器ADL9006：特性、应用与设计要点 引言 在射频与微波电路设计领域，低噪声放大器（LNA）起着至关重要的作用，它能够在放大
2026-01-05 11:10:2488 。今天要给大家介绍的就是这样一款器件——Analog Devices的HMC788A，一款0.01 GHz到10 GHz的MMIC（单片微波集成电路）RF增益模块。 文件下载： HMC788A.pdf 一
2026-01-04 16:15:0246 探索HMC462：2 - 20 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器 在电子工程领域，低噪声放大器（LNA）是射频（RF）和微波系统中至关重要的组件。它能够在放大微弱信号的同时，尽可能
2026-01-04 10:00:0765 的LP0603系列低通无铅薄膜RF/微波滤波器，分享这款滤波器的设计特点、应用场景以及测试方法等内容。 文件下载： LP0603N5200ANTR.pdf 1. LP0603系列滤波器概述 LP0603系列滤波器采用集成薄膜（ITF）无铅焊球栅阵列（LGA）封装，基于薄膜多层技术制造。这种技术使得
2025-12-31 16:05:2264 薄型RF/微波低通滤波器LP0603系列：特性、应用与测试全解析 在电子设备飞速发展的今天，RF/微波滤波器在无线通信、卫星电视等众多领域发挥着至关重要的作用。今天，我们就来详细探讨一下AVX公司
2025-12-29 16:35:12125 的低矮高度，在 5G 毫米波天线模块等应用中表现出色。本文将详细介绍这款连接器的特点、应用、规格以及使用注意事项。 文件下载： Panasonic Industrial Devices RF4窄脚距射频
2025-12-22 09:25:07205 探索LP0603系列薄膜RF/微波低通滤波器：特性、应用与测试 作为电子工程师，在设计高频无线系统时，滤波器的选择至关重要。今天我们就来深入了解一下AVX的LP0603系列薄膜RF/微波低通滤波器
2025-12-18 16:20:16164 F2970 75 Ohm SP2T RF开关：高性能与广泛应用的完美结合 在电子工程领域，RF开关是许多应用中不可或缺的组件。今天我们要介绍的F2970 75 Ohm SP2T RF开关，以其卓越
2025-12-17 16:05:06141 瑞萨 F2912：高性能 SP2T RF 开关的卓越之选 在无线通信和射频应用领域，高性能的 RF 开关至关重要。瑞萨的 F2912 作为一款高可靠性的单刀双掷（SP2T）RF 开关，凭借其出色
2025-12-16 17:55:12578 1. 双向开关前置升压 APFC 由来
双向开关前置升压 APFC 是无桥 APFC 拓扑中的一种，从拓扑结构上来说实际就是Boost 电路的变形，只是交流输入的正负半周各自对应不同的电路，此拓扑
2025-12-15 18:35:01
北京2025年12月15日 /美通社/ -- 亚马逊云科技在2025 re:Invent全球大会上宣布推出两项全新的Amazon Lambda功能——Amazon Lambda持久化函数
2025-12-15 17:08:35323 （HPA）单片微波集成电路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 频段应用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工艺并带湿度保护，封装为 QFN 塑封。具备高功率输出、高效率及宽电压工作范围等
2025-12-12 09:40:25
RFLUPA01050是RF-LAMBDA推出的一款宽带中等功率放大器模块，凭借其覆盖低频到高频的宽工作带宽、稳定的信号增益特性及集成化的保护功能，可高效满足通用通信、雷达探测及军用射频系统等场景
2025-11-28 09:20:44
云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而
2025-11-11 13:45:04193 
云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低
2025-11-11 13:44:52207 云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低
2025-11-11 13:44:41242 。技术优势GaAs MMIC工艺：采用砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）技术，具备高频、低噪声和低损耗特性。反射式关断设计：在“关断”状态下，RF1和RF2端口反射短路，简化电路设计，无需额外匹配
2025-10-31 09:26:45
电子发烧友网为你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.02–3 GHz相关产品参数、数据手册，更有PHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.02–3 GHz的引脚图、接线图
2025-10-30 18:30:29
电子发烧友网为你提供()GaAs 高隔离 SPDT 非反射开关 0.1 - 6 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs 高隔离 SPDT 非反射开关 0.1 - 6 GHz的引脚图、接线图、封装
2025-10-22 18:33:29
电子发烧友网为你提供()0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.9-4.0 GHz、100 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT
2025-10-22 18:32:48
，开关速度可达硅基的10倍。这一特性使得GaN模块在高频应用中损耗更低，允许通过提升开关频率（如10MHz以上）缩小电感、变压器等被动元件尺寸，从而直接提升功率密度。磁集成与拓扑优化：
Leadway
2025-10-22 09:09:58
常见误区：用微波传地下数据（衰减超标）、用低频做车载雷达（精度不足）。规避关键：通信看 “距离 + 速率”，传感看 “精度 + 环境”。
RF 射频无优劣，只看适配度。选频段前先想 传多远？要多快 / 多准？有无遮挡？，匹配特性才能让 RF 射频在通信与传感中 “物尽其用”。
2025-10-16 11:28:091939 
GaN-MOSFET 的结构设计中，p-GaN gate(p 型氮化镓栅) 和Cascode(共源共栅) 是两种主流的栅极控制方案，分别适用于不同的应用场景，核心差异体现在结构设计、性能特点和适用范围上。
2025-10-14 15:28:15676 
TDK-Lambda可编程直流电源以其出色的性能和灵活性，在电子测试与研发、工业自动化、通信设备和LED照明等领域得到广泛应用。它采用高效能开关模式设计，具备高精度、高效率的特点，能够为用户提供稳定、可靠的电源输出。
2025-08-22 16:21:43767 
电子发烧友网为你提供()GaAs SPDT 开关 100 MHz–2.5 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs SPDT 开关 100 MHz–2.5 GHz的引脚图、接线图、封装手册、中文
2025-08-19 18:32:53
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC 1 W 高线性度 0.1–6.0 GHz SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC 1 W 高线性度 0.1–6.0
2025-08-19 18:32:13
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–3.0 GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–3.0 GHz的引脚图
2025-08-19 18:31:32
电子发烧友网为你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1 至 3 GHz相关产品参数、数据手册，更有PHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1 至 3 GHz的引脚图
2025-08-19 18:30:53
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–3 GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–3 GHz的引脚图、接线图、封装
2025-08-19 18:29:59
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 开关 0.1–2 GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC 高功率 SP5T 开关 0.1–2 GHz的引脚
2025-08-18 18:35:31
电子发烧友网为你提供()GaAs SP4T 吸收式开关 20 MHz–2.5 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs SP4T 吸收式开关 20 MHz–2.5 GHz的引脚图、接线图、封装手册
2025-08-18 18:34:42
电子发烧友网为你提供()20 MHz-6.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有20 MHz-6.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
2025-08-15 18:37:12
电子发烧友网为你提供()20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 开关相关产品参数、数据手册，更有20 MHz-6.0 GHz GaAs SP4T 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
2025-08-15 18:35:10
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 开关 LF–6GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC 高功率 4-CTL DPDT 开关 LF
2025-08-15 18:33:38
电子发烧友网为你提供()GaAs SPDT 7 W 开关 20 MHz - 5 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs SPDT 7 W 开关 20 MHz - 5 GHz的引脚图、接线图、封装
2025-08-15 18:31:46
电子发烧友网为你提供()用于超宽带 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 开关相关产品参数、数据手册，更有用于超宽带 （UWB） 3–8 GHz 的 GaAs SP2T 开关的引脚图
2025-08-15 18:30:58
电子发烧友网为你提供()0.5-6.0 GHz、150 W 高功率硅 PIN 二极管 SPST 开关相关产品参数、数据手册，更有0.5-6.0 GHz、150 W 高功率硅 PIN 二极管 SPST
2025-08-15 18:29:58
电子发烧友网为你提供()0.05-2.70 GHz，100 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.05-2.70 GHz，100 W 高功率硅 PIN 二极管
2025-08-14 18:35:16
电子发烧友网为你提供()0.9-4.0 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.9-4.0 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT
2025-08-14 18:35:03
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC 高线性度 3 V 控制 SPDT 开关 0.1–2.5 GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC 高线性度 3 V 控制
2025-08-14 18:33:25
电子发烧友网为你提供()PHEMT GaAs IC 高线性度 3 V 控制 SPDT 0.1–2.5 GHz 开关芯片相关产品参数、数据手册，更有PHEMT GaAs IC 高线性度 3 V 控制
2025-08-14 18:33:03
MADR-009150-TR1000内容介绍： 今天我要向大家介绍的是 MACOM 的一款高功率 PIN 二极管开关的 20 - 50 V 驱动器
2025-08-12 10:24:22
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小，栅极阈值电压低（通常在1V到2V之间）、耐受电压低（通常-5V到7V）等特点，使得驱动电路设计时需格外注意，防止开关过程中因误导通或振荡而导致器件失效。
2025-08-08 15:33:512705 
电子发烧友网为你提供()0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 开关相关产品参数、数据手册，更有0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 开关的引脚图
2025-08-07 18:33:58
电子发烧友网为你提供()0.01-6.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.01-6.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-08-06 18:34:29
电子发烧友网为你提供()2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-08-06 18:33:21
电子发烧友网为你提供()0.1-6.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.1-6.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-08-06 18:32:34
电子发烧友网为你提供()0.1-3.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.1-3.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-08-06 18:31:33
电子发烧友网为你提供()20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 开关相关产品参数、数据手册，更有20 MHz 至 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 开关的引脚
2025-08-06 18:31:03
电子发烧友网为你提供()GaAs SPDT 开关 20 MHz–2.5 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs SPDT 开关 20 MHz–2.5 GHz的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
2025-08-06 18:30:00
电子发烧友网为你提供()0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二极管
2025-08-05 18:34:39
电子发烧友网为你提供()0.05-2.70 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.05-2.70 GHz 40 W 高功率硅 PIN 二极管
2025-08-05 18:34:27
电子发烧友网为你提供()0.02-2.7 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.02-2.7 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT
2025-08-05 18:33:48
电子发烧友网为你提供()0.9-4.0 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有0.9-4.0 GHz 50 W 高功率硅 PIN 二极管 SPDT
2025-08-05 18:32:58
电子发烧友网为你提供()PHEMT GaAs IC 高功率转换开关 0.1–6 GHz相关产品参数、数据手册，更有PHEMT GaAs IC 高功率转换开关 0.1–6 GHz的引脚图、接线图、封装
2025-08-05 18:32:18
电子发烧友网为你提供()单正对照 pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.5–3 GHz相关产品参数、数据手册，更有单正对照 pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.5–3 GHz
2025-08-05 18:32:04
电子发烧友网为你提供()pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–4 GHz相关产品参数、数据手册，更有pHEMT GaAs IC SPDT 开关 0.1–4 GHz的引脚图、接线图、封装
2025-08-05 18:31:03
电子发烧友网为你提供()GaAs IC 高隔离正控制 SPDT 非反射开关 DC–4.0GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs IC 高隔离正控制 SPDT 非反射开关 DC–4.0GHz的引脚
2025-08-05 18:30:41
电子发烧友网为你提供()PHEMT GaAs IC SPDT 开关 300 KHz–2.5 GHz相关产品参数、数据手册，更有PHEMT GaAs IC SPDT 开关 300 KHz–2.5
2025-08-05 18:30:03
电子发烧友网为你提供()20 MHz 至 6.0 GHz GaAs SPDT 开关相关产品参数、数据手册，更有20 MHz 至 6.0 GHz GaAs SPDT 开关的引脚图、接线图、封装手册
2025-08-04 18:30:05
电子发烧友网为你提供()GaAs 高隔离 SPDT 非反射开关 100 MHz-6 GHz相关产品参数、数据手册，更有GaAs 高隔离 SPDT 非反射开关 100 MHz-6 GHz的引脚图
2025-07-31 18:31:21
MASW-011052 是由MACOM推出的 HMIC™硅 PIN 二极管 SP2T 宽带开关，选用 MACOM 专利技术的 HMIC（异石微波集成电路）工艺技术，工作频率范围为 2-18 GHz
2025-07-18 08:57:26
电子发烧友网为你提供()大信号开关塑料封装 PIN 二极管相关产品参数、数据手册，更有大信号开关塑料封装 PIN 二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，大信号开关塑料封装 PIN 二极管真值表，大信号开关塑料封装 PIN 二极管管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-16 18:33:13
电子发烧友网为你提供()快速开关速度、低电容、塑料封装 PIN 二极管相关产品参数、数据手册，更有快速开关速度、低电容、塑料封装 PIN 二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，快速
2025-07-16 18:31:45
电子发烧友网为你提供()用于高功率开关应用的表面贴装 PIN 二极管相关产品参数、数据手册，更有用于高功率开关应用的表面贴装 PIN 二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，用于高功率
2025-07-15 18:35:00
电子发烧友网为你提供()开关和衰减器塑料封装 PIN 二极管相关产品参数、数据手册，更有开关和衰减器塑料封装 PIN 二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，开关和衰减器塑料封装 PIN 二极管真值表，开关和衰减器塑料封装 PIN 二极管管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-15 18:34:47
小功率高效率E-GaN开关电源管理方案：U8723AH+U7116W小功率开关电源的效率是一个重要的设计指标，它决定了电源的功耗和发热量。为了提高效率，可以选择低损耗的开关管和电感，减小输出端纹波
2025-07-10 16:15:36571 
功率密度等特点，因此日益受到欢迎。
如今，市面上有众多基于GaN技术的开关可供选择。然而，与传统的MOSFET相比，由于需要采用不同的驱动方式，这些开关的应用在一定程度上受到了限制。
图1.SMPS中
2025-06-11 10:07:24
RFLUPA18G40GD宽带固态功率放大器18GHz-40GHzRFLUPA18G40GD是一款由 RF-Lambda 生产的宽带固态功率放大器，频率范围为18至40GHz
2025-06-09 08:49:58
和极低直流功耗的电池供电应用。RF1140具有低插入损耗、低控制电压、高线性和非常好的谐波特性。此外，RF1140DS集成了解码逻辑，只允许开关控制所需的两条控制线。该部件基于RFMD的GaAs
2025-06-06 09:19:12
**：N型。- **品牌**：RF-Lambda。### 应用场景RFLUPA1260G51A 窄带功率放大器适用于以下领域：- **无线通信**：用于信号增强和基站
2025-05-21 15:47:13
RFLUPA0001GK 是一款由 RF-Lambda 公司生产的宽带功率放大器，以下是其详细的技术参数和应用场景信息：### 技术参数- **工作频率范围**：20 MHz 至 1000 MHz
2025-05-21 15:22:44
RFLNPA535W100 是一款由 RF-Lambda 公司生产的宽带功率放大器，以下是其主要技术参数和应用场景：### 技术参数- **频率范围**：0.020 GHz 至 0.520 GHz
2025-05-21 15:15:11
RFLNPA4547A 是一款由 RF-Lambda 公司生产的窄带功率放大器，以下是其主要技术参数和应用场景：### 技术参数- **频率范围**：0.450 GHz 至 0.470 GHz
2025-05-21 15:13:11
RFLUPA250K220MA是一款高性能的L波段宽带功率放大器，由RF-LAMBDA公司设计，专为满足现代通信系统的需求而开发。以下是其主要特性：### 性能参数- **工作频率范围
2025-05-21 15:11:22
以进一步分成两类——直流变换器和交流变换。常见的开关电源拓扑大约有10种，每种拓扑都有自己的特点和适用场合。 在选用时需要注意哪些问题呢?首先是输入电压范围：一般情况下，输入电压为220V,240v或
2025-05-12 16:04:14
HMC424A芯片是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器单芯片微波集成电路(MMIC)，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。
2025-04-24 14:44:51851 
电子发烧友综合报道 最近多家GaN厂商推出双向GaN功率开关，即GaN BDS（Bidirectional Switch，双向开关）。这是一种较为新型的GaN功率器件产品，顾名思义，双向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 电子设计创新大会（EDICON China），展示多款模块化射频微波开关和微波开关设计工具Microwave Switching Design Tool（MSDT），MSDT是向所有用户开放的免费在线
2025-04-17 09:27:13377 
ADMV1012 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。
2025-03-27 16:51:58799 
ADMV1010 是一款采用砷化镓 (GaAs) 设计的紧凑式微波单片集成电路 (MMIC) 单边带 (SSB) 降频器，它采用符合 RoHS 指令的封装，专门针对点对点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为 12.6 GHz 至 15.4 GHz。
2025-03-27 14:17:32753 
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模块、单芯片微波集成电路(MMIC)放大器，采用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造。
此款2 mm × 2
2025-03-21 14:33:54862 
HMC347ALP3E单刀双掷SPDT射频开关ADI
HMC347ALP3E是Analog Devices（ADI）公司精心打造的一款宽带、高隔离度的非反射型GaAs pHEMT SPDT（单刀双掷
2025-03-14 09:45:46
基于LTSpice的GaN开关损耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318 
介绍了氮化镓（GaN）功率IC在电机逆变器中的应用，对比传统硅基解决方案，阐述了其优势、实际应用案例、设计考量及结论。 *附件
2025-03-12 18:47:172082 
HMC641ALC4是一款宽带反射GaAs pHEMT SP4T开关，采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。 该开关还集成
2025-03-07 16:55:33826 
NAXIANGTECHNOLOGY纳祥科技NX7006单刀双掷射频开关NX7006芯片概述纳祥科技NX7006是一款单刀双掷（SPDT）LTE多模多频带(MMMB)开关。其切换功能由集成的通用
2025-03-07 16:46:371164 
GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些TTL
2025-03-07 16:21:50845 
3.0 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和笔记本电脑。 该设计提供出色的插入损耗性能，非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 两个控制电压所需的直流电流非常小，并与CMOS和一些TTL逻辑系列兼容。
2025-03-07 15:53:391025 
0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 GaAs PHEMT设计在+3 V偏置时提供出色的+36 dBm 1dB压缩点线性度性能和+60 dBm三阶交调截点。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 片内电路在极低直流电流时采用正控制电源工作。
2025-03-07 15:13:48891 
控制，具有快速开关速度，且直流功耗比基于pin二极管的解决方案小。 HMC1084采用紧凑型外形尺寸，非常适合微波无线电、SATCOM以及传感器应用。 HMC1084采用无铅4x4 mm SMT封装，兼容表面贴装制造技术。
2025-03-06 11:52:46912 
HMC1055是一款低成本、砷化镓(GaAs)、单刀单掷(SPST)开关，采用LFCSP表贴封装。 该开关具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶交调性能，非常适合0.5 GHz至4.0 GHz范围内的许多蜂窝和无线基础设施应用。
2025-03-06 11:47:17922 
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
HMC232A的工作频率范围为100 MHz至12 GHz，在6 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗
2025-03-05 16:00:13903 
：本文档详细介绍了如何准确测量高速GaN E-HEMT的性能，包括电流和电压的测量技术、双脉冲开关测试、开关能量测量等。 这里给大家带来免费的下载地址： *附件：高速GaN E-HEMT的测量技巧.pdf 二、测量技术 1. 短环路的重要性 原因 ：长地线会引入不必要的电感，导致
2025-02-27 18:06:411061 在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在开关模式电源
2025-02-11 13:44:551177 
。本文将深入探讨微波电容的基本概念、结构特点、工作原理、性能指标、测量方法以及实际应用，为工程师在设计和测试微波电路时提供全面而详细的指导。
2025-02-03 14:16:001406 板布置应用商业无线基础设施建设蜂窝网络和WiMAX基础设施建设通用型宽带放大器公共移动电台工业、科学和医疗RF-LAMBDA是全球领先的射频微波与毫米波器件制造商，RF-LAMBDA产品线均依据美国
2025-01-22 09:03:00
Skyworks 的APD2220-000硅PIN二极管致力于性能卓越射频和微波电路中的开关和衰减器器件需求设计。APD2220-000设计在从低于100 MHz到超过30 GHz的宽频率范围内都
2025-01-20 09:31:55
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
评论