HMC424ACHIPS 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器技术手册

概述
HMC424ACHIPS芯片是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器单芯片微波集成电路(MMIC)，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。

HMC424A芯片在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 3%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗≤4.2 dB。衰减器位值为0.5 (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。

该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。

HMC424A芯片采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部驱动器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。

HMC424A芯片采用符合RoHS标准的9焊盘裸片封装。
数据表：*附件：HMC424ACHIPS 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器技术手册.pdf

应用

• 蜂窝基础设施
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 测试设备和传感器
• 中频(IF)和RF设计
• 军事与太空

特性

• 衰减范围：0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB
  • 步长误差：±0.5 dB（典型值）
• 低插入损耗：2.8 dB（典型值，4.0 GHz）
• VEE = −5 V 时具有高线性度
  • 输入 P0.1dB：25 dBm（典型值）
  • 输入 IP3：45 dBm（典型值）
• 高RF输入功率处理：25 dBm（最大值）
• 低相对相位：30° (6.0 GHz)
• 单电源运行：−3 V 至 −5 V
• 裸片尺寸：1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

安装与键合技术

HMC424ACHIPS芯片背部经过金属化处理，必须使用金锡（AuSn）共晶焊盘直接连接到接地层，或通过电气导电环氧树脂连接。

芯片厚度为0.102毫米（4密耳）。建议在0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜衬底上制作50Ω微带传输线，用于将射频信号引入和引出HMC424ACHIPS芯片（见图24）。

使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底时，需将HMC424ACHIPS芯片抬高0.150毫米（6密耳），使HMC424ACHIPS芯片的共面表面与衬底表面齐平。可通过将0.102毫米（4密耳）厚的芯片连接到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）来实现，然后将钼片连接到接地层（见图25）。

微带衬底应尽可能靠近HMC424ACHIPS芯片放置，以缩短键合长度。芯片与衬底的典型间距为0.076毫米（3密耳）。

建议使用3密耳×5密耳的射频键合丝。建议使用直径为1密耳的直流键合丝。所有键合丝应尽可能短。

装配图

HMC424ACHIPS芯片的装配图如图26所示。