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天岳先进占据全球导电型碳化硅衬底市场第二

在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。

2024-02-22 标签：SiC GaN 碳化硅 118

村田开始量产0402M超小尺寸、低损耗MLCC

近年来，随着5G的普及, MIMO被引入的情况逐渐增多，以实现5G的高速、大容量通信、多连接和低延迟的特性，但由于它需要多台收发信号的设备，因此对无线通信电路模块化需求日益增加。

2024-02-21 标签：MLCC RF 陶瓷电容器村田 5G 163

Qorvo借助SiC FET独特优势，稳固行业领先地位

在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体技术（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。

2024-02-21 标签：MOSFET 功率器件 SiC Qorvo 103

瞄准SiC MOS出货量飙升，五大策略应对市场挑战

截至2023年，1200V碳化硅器件累计出货超过了2400万颗，得到了新能源汽车、消费电子以及工业市场的客户好评。其中SiC MOSFET营收迅速提升，相比2022年，SiC MOSFET创造的营收从17%增长至50%。

2024-01-29 标签：MOSFET MOS SiC 氮化镓碳化硅 294

SiC规模将超560亿？

结合全球功率半导体市场数据推算，2022年SiC功率半导体的渗透率为4.85%，2023年渗透率为6.53%，2028年预计将达到18.58%左右。

2024-01-25 标签：SiC 功率半导体碳化硅 190

科友提前布局：SiC行业下半场是8吋时代

2023年业内有多家企业陆续推出8英寸碳化硅衬底，成为市场热点，呈现出加速替代6英寸衬底的势头。我们认为，碳化硅行业的下半场就是8英寸的时代，谁的8英寸衬底先出货，谁就能更好地把握住时代机遇。

2024-01-25 标签：SiC 碳化硅 144

国产GaN迎来1700V突破！

该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。

2024-01-25 标签：氮化镓 GaN GaN HEMT 256

英飞凌与Wolfspeed延长SiC晶圆供应协议

为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我们正在落实一项多供应商战略，从而在全球范围内保障对于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源

2024-01-25 标签：英飞凌晶圆 SiC 102

SiC市场供需之变与未来趋势

从行业趋势看，SiC上车是大势所趋。尽管特斯拉曾在2023年3月的投资者大会上表示，将减少75%的SiC用量，一度引发SiC未来发展前景不明的猜测，但后续汽车市场和供应商都用实际行动表达了对SiC的支持。

2024-01-24 标签：MOSFET 逆变器导通电阻 SiC 功率模块 319

国内外碳化硅产品标准比对分析

碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点，是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。

2024-01-24 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 438

半导体硅片行业报告，国产替代进程加速

第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被称为宽禁带半导体材料。

2024-01-23 标签：半导体材料 SiC 氮化镓半导体制造碳化硅 398

瑞萨宣布收购Transphorm，双方已达成最终协议

此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。

2024-01-19 标签：瑞萨 GaN Transphorm 157

碳化硅IDM巨头实现突破，年产能24万片！

业内周知，功率SiC IDM 仍是其主流商业模式，而6英寸是龙头厂商的主流SiC晶圆尺寸。在供不用求的刺激下，行业内已有多家公司基于这一成熟平台有多种产能扩张计划。

2024-01-19 标签：MOSFET 功率器件 IDM 碳化硅功率芯片 532

IGBT搭乘新能源快车打开增长空间天花板

功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场规模最大，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较大功率、大电压的产品，IGBT属于功率器件的一类产品。

2024-01-17 标签：集成电路二极管 IGBT 晶体管功率器件 258

GaN巨头NexGen Power Systems破产：垂直...

NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。

2024-01-17 标签：逆变器驱动系统氮化镓 GaN 319

国内主要碳化硅衬底厂商产能现状

国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。

2024-01-12 标签：功率器件半导体材料碳化硅 1220

三安与朗明纳斯达成美洲独家销售协议，加速宽禁带半导体市场拓展

据了解，三安半导体与朗明纳斯均为三安光电集团的子公司，2013年，三安光电收购了朗明纳斯100%股权。

2024-01-12 标签：SiC GaN 功率半导体三安宽禁带半导体 168

揭秘DFN3820A二极管封装技术的创新

早期，二极管封装重点是为了满足基本的功能性和稳定性。SMB(DO-214AA ) 和 SMC(DO-214AB) 封装形式，作为行业的早期标准，为电子产品提供了可靠和经济的解决方案。

2024-01-09 标签：二极管电子元器件 Vishay 肖特基整流器 159

爱仕特1700V碳化硅功率模块已实现量产

基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。

2024-01-04 标签：SiC 功率模块碳化硅 404

宽禁带半导体技术的前沿发展有哪些

逆变器是将直流电转换为交流电的电源电路。在应用设备中，为了实现节能，对小型、轻量、高效的逆变器的需求不断增加。为了实现逆变器的高速运行，已经提出使用宽带隙半导体和结合n沟道和p沟道晶体管的互补功率逆变器。

2024-01-03 标签：MOSFET 逆变器 SiC 功率半导体宽禁带半导体 367

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